格羅方德非易失性存儲器（NVM）產(chǎn)品組合中性能最強、可靠性最高的嵌入式存儲技術(shù)，現(xiàn)已開放原型驗證。

近日，格羅方德（納斯達(dá)克代碼：GFS ，簡稱 GF）宣布，在其超低功耗 FDX 平臺上推出符合 Grade 1 車規(guī)認(rèn)證的嵌入式磁性隨機存取存儲器（eMRAM）技術(shù)。這一進(jìn)展進(jìn)一步豐富了格羅方德在嵌入式非易失性存儲器（eNVM）領(lǐng)域的產(chǎn)品布局，并強化了其 AutoPro 汽車解決方案平臺的實力。

本次發(fā)布的全新FDX+AutoPro150 eMRAM 技術(shù)相較于業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品，在性能與可靠性方面具備顯著優(yōu)勢：

經(jīng)驗證的50 萬次寫入耐久性

低于 10 納秒的讀取延遲

可支持更大容量存儲設(shè)計的更優(yōu)擴展能力

該技術(shù)針對磁場干擾進(jìn)行了優(yōu)化，并通過了嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠性驗證，可在高達(dá) 150°C 條件下穩(wěn)定運行，從而賦能高性能系統(tǒng)級芯片（SoC）解決方案，滿足汽車關(guān)鍵應(yīng)用需求。通過與格羅方德增強型 FDX 平臺實現(xiàn)片上集成，可實現(xiàn)緊湊靈活的芯片設(shè)計，兼具出色能效與安全性。

當(dāng)前，eMRAM 技術(shù)已被一級供應(yīng)商廣泛應(yīng)用于軟件定義汽車（SDV）和高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）中的微控制器（MCU），為安全關(guān)鍵功能提供實時處理能力，并支持空中軟件升級（OTA），從而縮短停機時間并提升用戶體驗。隨著物理 AI（Physical AI）系統(tǒng)持續(xù)迭代與規(guī)?；瘧?yīng)用，eMRAM 的高速訪問特性與低功耗優(yōu)勢，將為自動駕駛汽車、人形機器人等自主學(xué)習(xí)實體提供面向未來的設(shè)計方案。

格羅方德超低功耗產(chǎn)品線高級副總裁Ed Kaste：“隨著面向Grade 1車規(guī)認(rèn)證的FDX+AutoPro150 eMRAM平臺的推出，格羅方德正在為最嚴(yán)苛的汽車及工業(yè)應(yīng)用環(huán)境樹立嵌入式存儲性能的新標(biāo)桿。通過將高速、可靠的 MRAM 與高能效 FDX 平臺相結(jié)合，為客戶打造新一代軟件定義汽車及新興物理 AI 系統(tǒng)提供強大路徑。這一里程碑式的創(chuàng)新彰顯了格羅方德規(guī)?；桓秳?chuàng)新汽車解決方案的承諾，助力客戶更高效、更安心地與制造伙伴共同打造面向未來的產(chǎn)品方案?！?/p>

博世數(shù)字半導(dǎo)體路線與運營副總裁Dominik Erb：“MRAM 是汽車前沿創(chuàng)新領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)，其速度、耐久度與可靠性將推動下一代軟件定義汽車 MCU 實現(xiàn)實時、分布式智能。我們歡迎格羅方德在 FDX 平臺上推出嵌入式 MRAM 技術(shù)——這一方案能夠滿足汽車行業(yè)日益增長的市場需求。”

目前， FDX+AutoPro150 eMRAM 的工藝設(shè)計套件（PDK）可通過格羅方德自助平臺GF Connect獲取，助力客戶快速啟動設(shè)計流程。依托多個核心客戶的項目支持，該技術(shù)預(yù)計將于 2026 年下半年在格羅方德位于德國德累斯頓的工廠實現(xiàn)量產(chǎn)。