當(dāng)前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)廣闊發(fā)展機(jī)遇，碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)憑借高頻、高功率、低損耗等優(yōu)異特性，已成為車載快充、數(shù)據(jù)中心及能源領(lǐng)域能效升級(jí)的核心關(guān)鍵材料。相較于傳統(tǒng)硅基 MOSFET，碳化硅器件更具備高頻低損耗、耐高溫、高耐壓、高功率密度及高可靠性等突出優(yōu)勢(shì)，在大功率電源應(yīng)用中可顯著提升轉(zhuǎn)換效率、縮小產(chǎn)品體積、降低系統(tǒng)成本，是新一代高效電源的理想技術(shù)方案。

晶豐明源結(jié)合碳化硅 SiC MOSFET 器件優(yōu)勢(shì)，率先推出 BP3532GC、BP3532HC 系列產(chǎn)品。方案在全功率范圍內(nèi)采用準(zhǔn)諧振谷底導(dǎo)通與混合頻率調(diào)節(jié)模式，集成恒壓 + 恒流雙閉環(huán)反饋控制，實(shí)現(xiàn)高精度電壓輸出與穩(wěn)定的過(guò)載恒流控制；結(jié)合先進(jìn)大貼片 EHSOP10 封裝，在 200W 反激恒壓電源應(yīng)用中，系統(tǒng)效率可達(dá) 93% 以上，體積縮減 30%，有效拓展終端應(yīng)用場(chǎng)景，進(jìn)一步提升電源整體性能與可靠性。

大功率內(nèi)置碳化硅產(chǎn)品BP3532GC/BP3532HC

目標(biāo)應(yīng)用：賦能多元恒壓照明場(chǎng)景

本系列方案主要針對(duì)高性能恒壓驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)，目標(biāo)應(yīng)用包括：

恒壓燈帶照明

櫥衛(wèi)照明驅(qū)動(dòng)

開(kāi)關(guān)電源

圖1. 兩級(jí)高PF隔離恒壓應(yīng)用電路圖

圖2. 單級(jí)低PF隔離恒壓應(yīng)用電路圖(200W 24V/8.3A)核心性能：效率提升

內(nèi)置直驅(qū)800V SiC MOSFET，支持高頻(<150KHz)工作，有效提升電源功率密度

全功率范圍內(nèi)QR CRM/DCM模式工作，單級(jí)低PF應(yīng)用，效率>93%

副邊輸出整流管尖峰低，可以用低耐壓MOSFET，提高系統(tǒng)效率

BP3532GC集成恒壓+恒流雙反饋功能，雙重過(guò)功率保護(hù)

優(yōu)化滿載和空載Burst mode噪音，待機(jī)功耗低至<0.3W

BP3532GC集成高壓啟動(dòng)和輸入欠壓自動(dòng)降功率保護(hù)

集成輸出開(kāi)路保護(hù)，短路保護(hù)和系統(tǒng)異常過(guò)溫等多重保護(hù)功能

圖3. EHSOP-10封裝(BP3532GC)

全系列Demo方案

晶豐明源提供覆蓋100W至200W的完整參考方案，滿足不同功率段的設(shè)計(jì)需求：

200W方案：BP3532HC+BP62110S

(長(zhǎng)寬高-140mm x 50mm x 14mm) 150W方案：BP3532GC + BP62110S

(長(zhǎng)寬高- 154mm x 30.5mm x 11mm)

108W方案：BP2632GC + BP3532GC + BP62110S

(長(zhǎng)寬高：175mm x 56mm x 13mm)

方案實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)

效率曲線

全功率范圍內(nèi)谷底導(dǎo)通模式工作，單級(jí)低PF應(yīng)用，系統(tǒng)效率>93%。BP3532GC在 200W /150w反激恒壓電源方案中實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)效率大于93% 的優(yōu)異表現(xiàn)。這得益于芯片內(nèi)置直驅(qū)800V SiC MOSFET，和全功率范圍內(nèi)，全程實(shí)現(xiàn) MOSFET準(zhǔn)諧振谷底導(dǎo)通控制，顯著降低了開(kāi)關(guān)損耗。

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輸出負(fù)載調(diào)整率曲線

BP3532GC集成恒壓+恒流雙反饋功能。當(dāng)輸出功率從輕載逐漸增大滿載時(shí)，輸出電壓保持穩(wěn)定;當(dāng)功率超過(guò)恒流設(shè)定點(diǎn)之后，芯片進(jìn)入恒流反饋模式，輸出電流維持最大恒流值，輸出電壓開(kāi)始平滑下降，當(dāng)VCC電壓降至VCC_UVLO后停止輸出。整個(gè)過(guò)程線性過(guò)渡、無(wú)跳變，實(shí)現(xiàn)了電源在過(guò)載情況下保持輸出精準(zhǔn)的恒流保護(hù)功能。

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空載功耗

優(yōu)化滿載和空載Burst mode噪音，待機(jī)功耗低至<0.3W

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輸入欠壓自動(dòng)降功率保護(hù)

BP3532GC兼容寬輸入電壓應(yīng)用，當(dāng)輸入電壓跌落時(shí)，芯片根據(jù)輸入電壓的降低程度，自動(dòng)減小輸出電流。能夠保證在低輸入電壓時(shí)，確保電源仍能安全、可靠地運(yùn)行。

過(guò)溫保護(hù)

BP3532GC 集成芯片內(nèi)部溫度檢測(cè)與保護(hù)機(jī)制。當(dāng)系統(tǒng)工作溫度超過(guò)設(shè)定閾值時(shí)，芯片自動(dòng)觸發(fā)過(guò)溫保護(hù)，及時(shí)關(guān)斷輸出，防止電源因過(guò)熱而損壞。待溫度回落至安全區(qū)間后，電源可自動(dòng)恢復(fù)工作?？杀ＷC電源在高溫環(huán)境或異常情況下的可靠性與安全性。

短路保護(hù)

BP3532GC內(nèi)置多種保護(hù)功能，包括輸出開(kāi)路/短路保護(hù)，VCC欠壓/過(guò)壓保護(hù)，CS開(kāi)路保護(hù)、副邊二極管/副邊繞組短路保護(hù)。

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BP3532GC全程谷底開(kāi)通，效率高

BP3532GC 在全功率范圍內(nèi), MOSFET 都在最低谷底電壓點(diǎn)開(kāi)通，有效降低了開(kāi)關(guān)損耗，從而顯著提升系統(tǒng)效率。同時(shí)，這一控制方式使副邊同步整流 MOS 管的電壓尖峰大幅降低，對(duì) MOS 管的耐壓要求也隨之下降，允許選用更低耐壓、更低成本的同步整流管，在提升可靠性的同時(shí)優(yōu)化了系統(tǒng)成本。下圖圖1為帶輕載時(shí)BP3532GC的VDS波形，為谷底導(dǎo)通。圖2為同步整流DRAIN腳開(kāi)機(jī)波形，無(wú)尖峰;圖3為同步整流DRAIN腳關(guān)機(jī)波形，無(wú)尖峰。

<< 滑動(dòng)查看空載功耗 - 200/150/100W >>晶豐明源恒壓電源選型

內(nèi)置碳化硅BP3532GC、BP3532HC恒壓系列產(chǎn)品，在大功率恒壓電源應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)效率躍升和功率密度提升、同時(shí)減小產(chǎn)品尺寸、降低整機(jī)重量。使電源系統(tǒng)兼具高效率、低發(fā)熱、高可靠性三大特性，全面護(hù)航您的恒壓電源應(yīng)用。

BP3532GC/BP3532HC 應(yīng)用在終端電源產(chǎn)品系列

晶豐明源

上海晶豐明源半導(dǎo)體股份有限公司(股票代碼:688368)成立于2008年10月，是專業(yè)的電源管理和控制驅(qū)動(dòng)芯片供應(yīng)商。公司總部位于上海，在杭州、成都、南京、上海、海南和香港設(shè)有子公司，在深圳、廈門、中山、東莞、蘇州等13個(gè)城市設(shè)有客戶支持中心，為客戶提供全方位服務(wù)。

晶豐明源專注于電源管理和電機(jī)控制芯片的研發(fā)和銷售，堅(jiān)持自主創(chuàng)新產(chǎn)品覆蓋LED照明驅(qū)動(dòng)芯片、AC/DC電源管理芯片、DC/DC電源管理芯片、電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)芯片等，廣泛應(yīng)用于LED照明、家電、手機(jī)、個(gè)人電腦、服務(wù)器、基站、網(wǎng)通、汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

晶豐明源堅(jiān)持“創(chuàng)芯助力智造，用心成就伙伴”的使命，為行業(yè)發(fā)展而拼搏，為國(guó)家強(qiáng)盛而立志，在技術(shù)領(lǐng)先的領(lǐng)域推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步，在國(guó)產(chǎn)落后的領(lǐng)域奮力縮小差距，鑄就時(shí)代芯夢(mèng)想!

*本文提及的測(cè)試結(jié)果是在實(shí)驗(yàn)室條件下真實(shí)測(cè)試下得出，實(shí)際產(chǎn)品視應(yīng)用環(huán)境和批次差異，可能會(huì)存在不同，晶豐明源保留最終解釋權(quán)