在嵌入式系統(tǒng)、RAID控制器、服務(wù)器日志存儲(chǔ)等對(duì)引腳數(shù)量、功耗和空間有嚴(yán)格要求的場(chǎng)景中，選擇一款合適的非易失性存儲(chǔ)器往往決定了整個(gè)方案的穩(wěn)定性。MRAM存儲(chǔ)芯片憑借其高速讀寫(xiě)、無(wú)限endurance和數(shù)據(jù)保持特性，正成為越來(lái)越多工程師的首選。

MR25H128A是一款128Kb容量的串行外設(shè)接口MRAM存儲(chǔ)芯片，工作電壓3.3V，支持最高40MHz的讀寫(xiě)頻率。它采用8-DFN小型封裝（同時(shí)提供8引腳SOIC選項(xiàng)），非常適合空間受限的嵌入式設(shè)備。不同于傳統(tǒng)EEPROM或Flash，MRAM存儲(chǔ)芯片不需要擦除操作，寫(xiě)操作和讀操作一樣快，且理論上可以無(wú)限次讀寫(xiě)。這意味著在頻繁記錄數(shù)據(jù)的場(chǎng)景（如系統(tǒng)日志、運(yùn)行狀態(tài)保存）中，再也不用擔(dān)心存儲(chǔ)介質(zhì)過(guò)早失效。

MRAM存儲(chǔ)芯片MR25H128A提供工業(yè)級(jí)（-40至+85°C）和AEC-Q100 1級(jí)（-40至+125°C）及3級(jí)（-40至+85°C）選項(xiàng)。對(duì)于車(chē)載電子、工業(yè)控制等嚴(yán)苛環(huán)境，1級(jí)認(rèn)證確保了芯片在高溫下仍能穩(wěn)定存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。MRAM存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)非易失性可保持20年，斷電瞬間自動(dòng)保留數(shù)據(jù)，無(wú)需額外電池。對(duì)于RAID控制器緩存、固態(tài)硬盤(pán)緩沖區(qū)等需要高速數(shù)據(jù)交換的應(yīng)用，MRAM存儲(chǔ)芯片能在不增加引腳數(shù)過(guò)多的前提下顯著提升性能。英尚微代理各種高性能MRAM內(nèi)存芯片，如需了解更多，搜索英尚微電子。

審核編輯 黃宇