中國.北京，2026年4月26日– 在2026北京國際汽車展覽會期間，深圳方正微電子有限公司聯(lián)合中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟,隆重舉辦“方正微電子車規(guī)主驅(qū)SiC MOSFET出貨量超3000萬顆里程碑暨G3平臺新產(chǎn)品發(fā)布會”。

方正微電子總裁吳偉濤正式宣布：公司車規(guī)級主驅(qū)SiC MOSFET芯片累計出貨量突破3000萬顆，在新能源汽車車規(guī)主驅(qū)SiC MOSFET市場占有率超過10%。這一數(shù)字不僅是企業(yè)發(fā)展的一個重要里程碑，更標志著中國SiC企業(yè)在新能源車SiC應(yīng)用領(lǐng)域中，國產(chǎn)SIC主驅(qū)芯片市場突破的新里程碑！會上，中國汽車芯片聯(lián)盟理事長董揚和產(chǎn)業(yè)合作伙伴等一同見證了這個重要里程碑。

深圳方正微電子有限公司總裁 吳偉濤

中國汽車芯片聯(lián)盟聯(lián)席理事長 董揚

發(fā)布會上方正微電子副總裁彭建華介紹了公司全新一代車規(guī)級SiC MOSFET——G3平臺系列產(chǎn)品。G3平臺產(chǎn)品的重磅亮相，被業(yè)界解讀為國產(chǎn)SiC技術(shù)從“追趕”階段到“逐步領(lǐng)先”階段的轉(zhuǎn)折點。

深圳方正微電子有限公司副總裁 彭建華

方正微電子最新一代G3平臺產(chǎn)品采用了業(yè)界領(lǐng)先的最新柵極和薄外延技術(shù)。首產(chǎn)品1200V /11mΩ SiC MOS芯片，Die size小于25mm2，但是常溫性能做到Rdson 11mΩ， 高溫175°C 19.96mΩ， 領(lǐng)先于國際頭部友商當(dāng)前的主流產(chǎn)品。其高性能、高可靠、高價值的特點，代表著中國第三代半導(dǎo)體SiC芯片最先進的技術(shù)。該產(chǎn)品的正式推出，標志著中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已邁入全球第一梯隊，國產(chǎn)碳化硅技術(shù)已比肩國際頭部友商，在中國SiC行業(yè)是新的里程碑。

針對相同模塊輸出電流能力，客戶僅用4顆芯片并聯(lián)替代就可以實現(xiàn)當(dāng)前國際主流方案的6顆芯片并聯(lián)，僅此一項可以幫助客戶實現(xiàn)單電機成本降低40%。

方正微電子的產(chǎn)品布局并不僅限于新能源汽車主驅(qū)逆變器。其產(chǎn)品系列已全面覆蓋新能源車、光儲充、AI數(shù)據(jù)中心、eVTOL及機器人等新興領(lǐng)域。方正微電子的產(chǎn)品已進入主力應(yīng)用行業(yè)TOP客戶供應(yīng)鏈。

吳偉濤總裁在致辭中表示：面向未來，方正微電子將持續(xù)加大研發(fā)投入，與產(chǎn)業(yè)鏈伙伴開放合作、協(xié)同創(chuàng)新，以更可靠、更具競爭力的產(chǎn)品和更安全的產(chǎn)能保障，共同驅(qū)動中國新能源汽車產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展！