1、低功耗國產(chǎn)PSRAM存儲芯片簡介
PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）作為一種特殊的DRAM變體，其接口邏輯卻向SRAM看齊：只需提供地址、讀寫命令即可完成存取操作，無需像SDRAM那般配備復(fù)雜的控制器、刷新機(jī)制，也無需將地址拆分為行地址與列地址。早期PSRAM常見于2G基帶的數(shù)據(jù)緩存場景，往往以SiP封裝形式集成于芯片內(nèi)部。隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備對小型化和低功耗要求的持續(xù)提升，PSRAM的這一先天優(yōu)勢逐漸凸顯，并由此衍生出SPI/QPI/OPI（單線/四線/八線串行接口）等串行PSRAM品類。

2、低功耗國產(chǎn)PSRAM存儲芯片三種主流串行PSRAM接口
①SPI PSRAM：采用8-pin SOP封裝，最高工作頻率可達(dá)104MHz。它保留經(jīng)典的片選(CS)、時鐘(CLK)、串行輸入(SI)和串行輸出(SO)四個信號引腳，兼容標(biāo)準(zhǔn)SPI總線，適合主控資源有限的低成本系統(tǒng)。

②QPI PSRAM：同樣為8-pin SOP封裝，頻率也支持到104MHz。與SPI版本的區(qū)別在于，它將原來的SI/SO擴(kuò)展為3個額外的雙向數(shù)據(jù)管腳（共4個I/O）。由此理論峰值帶寬可提升至416Mbps，在無需增加封裝尺寸的前提下實現(xiàn)數(shù)據(jù)吞吐量的躍升。

③OPI PSRAM：采用24腳封裝，擁有8條串行數(shù)據(jù)線，最高時鐘頻率提升至133MHz。更關(guān)鍵的是它支持DDR雙沿傳輸模式，因此峰值帶寬可達(dá)133MHz×8bit×2=2.128Gbps，適用于高分辨率圖像緩存或大數(shù)據(jù)流實時處理場景。

3、低功耗國產(chǎn)PSRAM存儲芯片典型型號
由英尚代理的EMI品牌推出的EMI132LA16LM-70I型SPI/QPI PSRAM存儲芯片，采用SPI/QPI雙模接口設(shè)計，在傳輸速率、引腳數(shù)量、功耗控制之間取得了優(yōu)異的平衡。PSRAM芯片內(nèi)置自管理刷新邏輯，系統(tǒng)主控?zé)o需額外提供DRAM刷新命令，可顯著降低軟件開發(fā)復(fù)雜度。PSRAM存儲芯片主要規(guī)格如下：
①存儲容量與組織：32Mb（2M×16位），支持字節(jié)尋址
②供電電壓：單電源2.7~3.3V
③封裝：48BGA
④運(yùn)行速率：60~70ns訪問時間
⑤接口靈活度：可切換標(biāo)準(zhǔn)SPI模式或高速Q(mào)PI模式
⑥功耗特性：超低功耗設(shè)計，適合電池供電的設(shè)備

4、低功耗國產(chǎn)PSRAM存儲芯片應(yīng)用場景
①便攜式智能設(shè)備：如智能手表、AR/VR眼鏡。這類產(chǎn)品對貼片面積和運(yùn)行功耗非常敏感，EMI132LA16LM-70I的小封裝與低功耗特性正好滿足設(shè)計要求。
②物聯(lián)網(wǎng)終端節(jié)點(diǎn)：在傳感器數(shù)據(jù)緩存任務(wù)中，PSRAM的自刷新機(jī)制可以在主機(jī)休眠時自主維持?jǐn)?shù)據(jù)，降低系統(tǒng)整體喚醒頻率。
③工業(yè)控制系統(tǒng)：用于高速數(shù)據(jù)采集的緩沖存儲器，PSRAM芯片QPI模式下133MHz的突發(fā)傳輸能力能匹配現(xiàn)場總線的高速數(shù)據(jù)流。

對于正在評估低引腳數(shù)、高帶寬存儲方案的嵌入式工程師而言，SPI/QPI PSRAM提供了一個兼具性價比與性能的中間路線。EMI代理商英尚微支持技術(shù)指導(dǎo)及產(chǎn)品解決方案。

審核編輯 黃宇