onsemi FFSB2065BDN - F085碳化硅肖特基二極管:新一代功率半導(dǎo)體的卓越之選
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,不斷追求更高性能、更高效率和更高可靠性是工程師們的不懈目標。今天,我們來深入了解一下 onsemi 的 FFSB2065BDN - F085 碳化硅(SiC)肖特基二極管,看看它如何在眾多產(chǎn)品中脫穎而出。
一、碳化硅技術(shù)優(yōu)勢
碳化硅肖特基二極管采用了全新的技術(shù),與傳統(tǒng)的硅二極管相比,具有顯著的優(yōu)勢。它沒有反向恢復(fù)電流,這意味著在開關(guān)過程中能夠減少能量損耗,提高效率。此外,其開關(guān)特性不受溫度影響,并且具有出色的熱性能,這些特點使得碳化硅成為下一代功率半導(dǎo)體的理想選擇。使用該二極管的系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度,同時還能降低電磁干擾(EMI),減小系統(tǒng)的尺寸和成本。
二、產(chǎn)品特性
1. 溫度性能
該二極管的最大結(jié)溫可達 175°C,這使得它能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。同時,它具有雪崩額定值 49 mJ,能夠承受一定的瞬態(tài)能量沖擊。
2. 電流能力
具有高浪涌電流容量,正向電流方面,在不同溫度條件下有不同的額定值。例如,在 (T{C}<25^{circ}C) 時,連續(xù)整流正向電流為 23.6 A;在 (T{C}<140^{circ}C) 時為 10 A;在 (T_{C}=25^{circ}C),10 s 條件下,非重復(fù)峰值正向浪涌電流可達 600 A。
3. 溫度系數(shù)
具有正溫度系數(shù),這一特性使得多個二極管并聯(lián)使用時更加容易,因為正溫度系數(shù)有助于均流,避免某個二極管因過熱而損壞。
4. 開關(guān)特性
沒有反向恢復(fù)和正向恢復(fù),這大大減少了開關(guān)損耗,提高了開關(guān)速度,從而提升了整個系統(tǒng)的性能。
5. 可靠性認證
通過了 AEC - Q101 認證,并且具備生產(chǎn)件批準程序(PPAP)能力,這表明該產(chǎn)品在汽車等對可靠性要求極高的應(yīng)用領(lǐng)域具有良好的適用性。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
1. 汽車領(lǐng)域
適用于電動汽車(BEV - EV)、混合動力汽車(HEV - EV)的車載充電器以及 HEV - EV 的 DC - DC 轉(zhuǎn)換器。在這些應(yīng)用中,碳化硅肖特基二極管的高效、高速和高可靠性能夠滿足汽車電子系統(tǒng)對功率轉(zhuǎn)換的嚴格要求。
四、產(chǎn)品參數(shù)
1. 最大額定值
| 符號 | 參數(shù) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (V_{RRM}) | 重復(fù)峰值反向電壓 | 650 | V |
| (E_{AS}) | 單脈沖雪崩能量(注 1) | 49 | mJ |
| (I{F})((T{C}<25^{circ}C)) | 連續(xù)整流正向電流 | 23.6 | A |
| (I{F})((T{C}<140^{circ}C)) | 連續(xù)整流正向電流 | 10 | A |
| (I{F,Max})((T{C}=25^{circ}C),10 s) | 非重復(fù)峰值正向浪涌電流 | 600 | A |
| (I{F,Max})((T{C}=150^{circ}C),10 s) | 非重復(fù)峰值正向浪涌電流 | 554 | A |
| (I{F,SM})((t{p}=8.3 ms) 半正弦脈沖,(T_{C}=25^{circ}C)) | 非重復(fù)正向浪涌電流 | 45 | A |
| (P{tot})((T{C}=25^{circ}C)) | 功率耗散 | 75 | W |
| (P{tot})((T{C}=150^{circ}C)) | 功率耗散 | 12.5 | W |
| (T{J},T{STG}) | 工作和存儲溫度范圍 | - 55 至 + 175 | °C |
注 1:(E{AS}) 的 49 mJ 是基于起始 (T{J}=25^{circ}C),(L = 0.5 mH),(I_{AS}=14 A),(V = 50 V)。
2. 熱特性
| 符號 | 參數(shù) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (R_{theta c}) | 外殼熱阻(最大) | 2.0 | °C/W |
3. 電氣特性((T_{C}=25^{circ}C),除非另有說明 - 每支路)
| 符號 | 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (V_{F}) | 正向電壓 | (I{F}=10 A),(T{C}=25^{circ}C) | - | 1.38 | - | V |
| (I{F}=10 A),(T{C}=125^{circ}C) | - | 1.6 | 2.0 | V | ||
| (I{F}=10 A),(T{C}=175^{circ}C) | - | - | 2.4 | V | ||
| (I_{R}) | 反向電流 | (V{R}=650 V),(T{C}=25^{circ}C) | - | 0.5 | 40 | μA |
| (V{R}=650 V),(T{C}=175^{circ}C) | - | 1 | 80 | μA | ||
| (Q_{C}) | 總電容電荷 | (V = 400 V) | - | 25 | - | nC |
| (C) | 總電容 | (V_{R}=200 V),(f = 100 kHz) | - | - | 421 | pF |
| (V_{R}=400 V),(f = 100 kHz) | - | - | - | pF |
需要注意的是,產(chǎn)品的參數(shù)性能是在列出的測試條件下給出的,如果在不同條件下運行,產(chǎn)品性能可能與電氣特性有所不同。
五、封裝與訂購信息
該產(chǎn)品采用 D2PAK - 3(TO - 263,3 - 引腳)封裝,每盤裝 800 個。關(guān)于編帶和卷盤的規(guī)格,包括零件方向和卷盤尺寸等信息,可以參考其編帶和卷盤封裝規(guī)格手冊 BRD8011/D。
六、典型特性與測試
文檔中還給出了一系列典型特性曲線,如正向特性、反向特性、電流降額、功率降額、電容電荷與反向電壓關(guān)系、電容與反向電壓關(guān)系、電容存儲能量以及結(jié)到外殼的瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。同時,還提供了未鉗位電感開關(guān)測試電路及波形。這些信息對于工程師在設(shè)計電路時評估二極管的性能非常有幫助。
總之,onsemi 的 FFSB2065BDN - F085 碳化硅肖特基二極管憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,為電子工程師在功率轉(zhuǎn)換設(shè)計中提供了一個優(yōu)秀的選擇。在實際應(yīng)用中,工程師們需要根據(jù)具體的設(shè)計要求和工作條件,合理選擇和使用該二極管,以充分發(fā)揮其優(yōu)勢。大家在使用這款二極管的過程中,有沒有遇到過什么有趣的問題或者有什么獨特的應(yīng)用經(jīng)驗?zāi)??歡迎在評論區(qū)分享。
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