安森美SiC MOSFET NTBG025N065SC1：高效能功率器件的卓越之選

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天就來深入探討安森美（onsemi）推出的一款SiC MOSFET——NTBG025N065SC1。

文件下載：NTBG025N065SC1-D.PDF

產(chǎn)品特性亮點(diǎn)

低導(dǎo)通電阻

這款MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻，典型值在不同柵源電壓下表現(xiàn)優(yōu)異。在(V{GS}=18V)時(shí)，典型(R{DS(on)})為(19mOmega)；當(dāng)(V{GS}=15V)時(shí)，典型(R{DS(on)})為(25mOmega)。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗更小，能夠有效提高系統(tǒng)效率。

低柵極電荷與輸出電容

超低的柵極電荷(Q{G(tot)} = 164nC)和低輸出電容(C{oss}=278pF)，使得該器件在開關(guān)過程中能夠快速響應(yīng)，減少開關(guān)損耗，提高開關(guān)頻率，從而有助于縮小系統(tǒng)體積和降低成本。

高可靠性

經(jīng)過100%雪崩測(cè)試，能夠承受較高的雪崩能量，確保在惡劣的工作環(huán)境下依然穩(wěn)定可靠。工作結(jié)溫可達(dá)(175^{circ}C)，并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保又安全。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

該器件適用于多種功率應(yīng)用領(lǐng)域，如開關(guān)模式電源（SMPS）、太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）以及能量存儲(chǔ)系統(tǒng)等。在這些應(yīng)用中，SiC MOSFET的高性能能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠性。

關(guān)鍵參數(shù)解讀

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。同時(shí)，熱阻等參數(shù)會(huì)受到整個(gè)應(yīng)用環(huán)境的影響，并非固定不變。

熱特性

• 結(jié)到外殼的熱阻(R_{theta JC})典型值為(0.38^{circ}C/W)。
• 結(jié)到環(huán)境的熱阻(R_{theta JA})為(40^{circ}C/W)（在特定條件下）。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓(V{(BR)DSS})在(V{GS}=0V)，(I_{D}=1mA)時(shí)為(650V)，其溫度系數(shù)為(0.15V/^{circ}C)。
• 零柵壓漏極電流(I{DSS})在(V{DS}=650V)，(V{GS}=0V)，(T{J}=25^{circ}C)時(shí)為(10mu A)，(T_{J}=175^{circ}C)時(shí)為(1mA)。
• 柵源泄漏電流(I{GSS})在(V{GS}= +18/ - 5V)，(V_{DS}=0V)時(shí)為(250nA)。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓(V{GS(TH)})在(V{GS}=V{DS})，(I{D}=15.5mA)時(shí)，范圍為(1.8 - 4.3V)。
• 推薦柵極電壓(V_{GOP})為(-5 + 18V)。
• 漏源導(dǎo)通電阻(R{DS(on)})在不同條件下有不同值，如(V{GS}=15V)，(I{D}=45A)，(T{J}=25^{circ}C)時(shí)為(25mOmega)；(V{GS}=18V)，(I{D}=45A)，(T{J}=25^{circ}C)時(shí)為(19 - 28.5mOmega)；(V{GS}=18V)，(I{D}=45A)，(T{J}=175^{circ}C)時(shí)為(24mOmega)。
• 正向跨導(dǎo)(g{FS})在(V{DS}=10V)，(I_{D}=45A)時(shí)為(27S)。

電荷、電容與柵極電阻

• 輸入電容(C{ISS})在(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V_{DS}=325V)時(shí)為(3480pF)。
• 輸出電容(C_{OSS})為(278pF)。
• 反向傳輸電容(C_{RSS})為(25pF)。
• 總柵極電荷(Q{G(TOT)})在(V{GS}= - 5/18V)，(V{DS}=520V)，(I{D}=45A)時(shí)為(164nC)。
• 柵源電荷(Q{GS})為(48nC)，柵漏電荷(Q{GD})為(48nC)。
• 柵極電阻(R_{G})在(f = 1MHz)時(shí)為(1.5Omega)。

開關(guān)特性

• 開通延遲時(shí)間(t{d(ON)})在(V{GS}= - 5/18V)，(V{DS}=400V)，(I{D}=45A)，(R_{G}=2.2Omega)，感性負(fù)載下為(17ns)。
• 上升時(shí)間(t_{r})為(19ns)。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間(t_{d(OFF)})為(32ns)。
• 下降時(shí)間(t_{f})為(8ns)。
• 開通開關(guān)損耗(E{ON})為(93mu J)，關(guān)斷開關(guān)損耗(E{OFF})為(84mu J)，總開關(guān)損耗(E_{TOT})為(177mu J)。

源漏二極管特性

• 連續(xù)源漏二極管正向電流(I{SD})在(V{GS}= - 5V)，(T_{J}=25^{circ}C)時(shí)為(83A)。
• 脈沖源漏二極管正向電流(I{SDM})在(V{GS}= - 5V)，(T_{J}=25^{circ}C)時(shí)為(284A)。
• 正向二極管電壓(V{SD})在(V{GS}= - 5V)，(I{SD}=45A)，(T{J}=25^{circ}C)時(shí)為(4.7V)。
• 反向恢復(fù)時(shí)間(t{RR})在(V{GS}= - 5/18V)，(I{SD}=45A)，(dI{S}/dt = 1000A/mu s)時(shí)為(25ns)。
• 反向恢復(fù)電荷(Q{RR})為(171nC)，反向恢復(fù)能量(E{REC})為(15.8mu J)，峰值反向恢復(fù)電流(I_{RRM})為(13.7A)。

封裝與訂購(gòu)信息

該器件采用D2PAK - 7L封裝，每盤800個(gè)，以卷帶包裝形式供貨。

總結(jié)

安森美NTBG025N065SC1 SiC MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，在功率應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。電子工程師在設(shè)計(jì)開關(guān)模式電源、太陽(yáng)能逆變器等系統(tǒng)時(shí)，可以充分考慮這款器件，以提高系統(tǒng)的性能和效率。不過，在實(shí)際應(yīng)用中，還需要根據(jù)具體的工作條件對(duì)器件的參數(shù)進(jìn)行驗(yàn)證和優(yōu)化。大家在使用這款器件的過程中，有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)兀繗g迎在評(píng)論區(qū)分享。