onsemi碳化硅JFET晶體管UJ3N065080K3S技術(shù)解析

作為電子工程師，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，選擇合適的功率器件至關(guān)重要。今天要和大家分享的是安森美（onsemi）推出的高性能G3碳化硅（SiC）常開型JFET晶體管UJ3N065080K3S，它在諸多方面展現(xiàn)出了卓越的性能。

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產(chǎn)品概述

UJ3N065080K3S采用TO247 - 3封裝，額定電壓為650V，典型導(dǎo)通電阻(R{DS(ON)})為80mΩ。這款晶體管屬于安森美高性能G3 SiC常開型JFET系列，具有超低導(dǎo)通電阻和柵極電荷，能有效降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。其常開特性以及在(V{GS} = 0V)時(shí)的低(R_{DS(ON)})，非常適合用于無需主動(dòng)控制的電流保護(hù)電路，也適用于共源共柵操作。

產(chǎn)品特性

電氣性能

1. 低導(dǎo)通電阻：典型導(dǎo)通電阻(R{DS(on), typ})為80mΩ，在不同的(V{GS})和(T{J})條件下，導(dǎo)通電阻會(huì)有所變化。例如，在(V{GS} = 2V)、(I{D} = 10A)、(T{J} = 25^{circ}C)時(shí)，典型值為68mΩ；在(V{GS} = 0V)、(I{D} = 10A)、(T_{J} = 25^{circ}C)時(shí)，典型值為80mΩ。
2. 電壓控制：通過控制柵源電壓(V_{GS})來實(shí)現(xiàn)對(duì)晶體管的導(dǎo)通和關(guān)斷控制。
3. 低柵極電荷：總柵極電荷(Q{g})在(V{DS} = 400V)、(I{D} = 24A)、(V{GS})從 - 18V到0V的條件下為75nC，有助于降低開關(guān)損耗。
4. 低固有電容：輸入電容(C{iss})、輸出電容(C{oss})和反向傳輸電容(C{rss})等參數(shù)都表現(xiàn)良好，例如在(V{DS} = 100V)、(V{GS} = - 20V)、(f = 100kHz)時(shí)，(C{iss})為630pF。

溫度特性

1. 高工作溫度：最大工作溫度可達(dá)175°C，能適應(yīng)較為惡劣的工作環(huán)境。
2. 溫度無關(guān)的快速開關(guān)：開關(guān)速度極快，且不受溫度影響，保證了在不同溫度條件下的穩(wěn)定性能。

環(huán)保特性

該器件無鉛、無鹵素，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

典型應(yīng)用

UJ3N065080K3S具有廣泛的應(yīng)用場景，以下是一些典型應(yīng)用：

1. 過流保護(hù)電路：利用其常開特性和低導(dǎo)通電阻，可實(shí)現(xiàn)有效的電流保護(hù)。
2. DC - AC逆變器：在逆變器中，其低開關(guān)損耗和快速開關(guān)特性有助于提高轉(zhuǎn)換效率。
3. 開關(guān)模式電源：能降低電源的損耗，提高電源的性能。
4. 功率因數(shù)校正模塊：改善功率因數(shù)，提高電能利用效率。
5. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：為電機(jī)提供穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電流。
6. 感應(yīng)加熱：在感應(yīng)加熱系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用。

產(chǎn)品參數(shù)

最大額定值

熱特性

電氣特性

電氣特性涵蓋了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù)，例如：

• 靜態(tài)特性：包括漏源擊穿電壓(BV{DS})、總漏極泄漏電流(I{D})、總柵極泄漏電流(I{G})、漏源導(dǎo)通電阻(R{DS(on)})、柵極閾值電壓(V{G(th)})和柵極電阻(R{G})等。
• 動(dòng)態(tài)特性：輸入電容(C{iss})、輸出電容(C{oss})、反向傳輸電容(C{rss})、有效輸出電容(C{oss(er)})、總柵極電荷(Q{g})、柵極 - 漏極電荷(Q{GD})、柵極 - 源極電荷(Q{GS})、導(dǎo)通延遲時(shí)間(t{d(on)})、上升時(shí)間(t{r})、關(guān)斷延遲時(shí)間(t{d(off)})、下降時(shí)間(t{f})、導(dǎo)通能量(E{ON})、關(guān)斷能量(E{OFF})和總開關(guān)能量(E{TOTAL})等。

封裝與訂購信息

UJ3N065080K3S采用TO247 - 3封裝，標(biāo)記為UJ3N065080K3S，每管裝600個(gè)。具體的訂購和運(yùn)輸信息可參考數(shù)據(jù)手冊第7頁。

總結(jié)

安森美UJ3N065080K3S碳化硅JFET晶體管憑借其低導(dǎo)通電阻、低開關(guān)損耗、高工作溫度和快速開關(guān)等特性，在眾多應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。電子工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)，可以根據(jù)具體需求考慮選用這款器件，以提高電路的性能和可靠性。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似的功率器件呢？它們的表現(xiàn)又如何呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。