近日，由世紀電源網(wǎng)與電子研習(xí)社聯(lián)合主辦的“AI PowerDC算力供電創(chuàng)新技術(shù)國際領(lǐng)軍者論壇”在深圳灣萬麗酒店圓滿舉辦。作為國內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心企業(yè)，龍騰半導(dǎo)體以參展商和演講嘉賓的雙重身份深度參與此次論壇，與眾多行業(yè)專家、學(xué)者及產(chǎn)業(yè)鏈伙伴共同探討AI算力時代下供電技術(shù)的前沿趨勢與解決方案。

芯聚算力 智啟未來

現(xiàn)場實況

本次論壇聚焦AI算力爆發(fā)式增長背景下的供電技術(shù)變革，圍繞數(shù)據(jù)中心供電高效化與綠色化升級、800V高壓直流架構(gòu)加速滲透、固態(tài)變壓器（SST）等核心技術(shù)迭代等行業(yè)趨勢，設(shè)置三大分會場：“算力電源技術(shù)革新”、“數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)/SST”、“供電核心元件方案”。論壇匯聚了全國電力電子、數(shù)據(jù)中心、功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂尖專家與領(lǐng)軍企業(yè)，現(xiàn)場交流氛圍熱烈，專業(yè)觀眾參與度高，充分體現(xiàn)出行業(yè)對AI算力供電技術(shù)的高度關(guān)注。

芯品亮相

作為本次論壇的重要參展企業(yè)之一，龍騰半導(dǎo)體在展區(qū)設(shè)立專業(yè)展臺，系統(tǒng)展示了公司自主開發(fā)的功率器件及IGBT模塊產(chǎn)品，覆蓋從低壓到高壓、從分立器件到模塊化的完整產(chǎn)品體系，彰顯了公司在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)積累與供應(yīng)服務(wù)能力。展位吸引了大量工程師前來咨詢，龍騰半導(dǎo)體銷售及技術(shù)支持團隊就產(chǎn)品性能、應(yīng)用場景及技術(shù)選型等問題提供了詳盡解答，并與多位工程師就行業(yè)技術(shù)痛點與未來發(fā)展進行了深入交流，獲得積極反饋，并達成初步合作意向。

論壇演講

論壇同期，龍騰半導(dǎo)體高壓產(chǎn)品線張工發(fā)表了題為《高壓MOSFET：進階賦能新能源》的專題技術(shù)報告，分享了企業(yè)在高壓功率器件領(lǐng)域的技術(shù)突破。梳理了高壓MOSFET從傳統(tǒng)VDMOS到超結(jié)結(jié)構(gòu)的技術(shù)演進歷程，對比了多次外延與溝槽工藝的技術(shù)差異，重點介紹了龍騰半導(dǎo)體G3第三代超結(jié)MOSFET平臺的核心優(yōu)勢：采用5.5μm極致緊湊元胞結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)比導(dǎo)通電阻低至8.5mΩ·cm2，柵極電荷降低24%，并實現(xiàn)輸出電容降幅達50%。

目前，龍騰半導(dǎo)體超結(jié)MOSFET已覆蓋650V–1200V全電壓等級，同步推出第三代 SiC MOSFET 技術(shù)，憑借更低的比導(dǎo)通電阻、更優(yōu)的開關(guān)效率，滿足數(shù)據(jù)中心、儲能、充電樁、車載電源等多領(lǐng)域應(yīng)用需求。依托IDM全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控優(yōu)勢，結(jié)合先進封裝技術(shù)與嚴苛的可靠性測試，持續(xù)為AI算力供電、新能源及電力電子領(lǐng)域，提供高效穩(wěn)定、高功率密度的核心功率器件。

本次AI PowerDC算力供電創(chuàng)新技術(shù)國際領(lǐng)軍者論壇，是龍騰半導(dǎo)體在算力與新能源賽道的又一次重要亮相。未來，公司將緊密圍繞數(shù)據(jù)中心、新能源等前沿需求，深化在超結(jié)MOSFET、IGBT及SiC MOSFET等高端功率器件領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)品迭代，推動功率半導(dǎo)體向更高效率、更可靠方向持續(xù)演進，積極助力國家“雙碳”戰(zhàn)略。