HMC661LC4B:超寬帶4 GS/s跟蹤保持放大器的技術解析
在電子設計領域,高性能的跟蹤保持放大器是實現(xiàn)高速信號處理和數(shù)據(jù)采集的關鍵組件。今天,我們就來深入探討一下HMC661LC4B這款超寬帶4 GS/s跟蹤保持放大器,看看它在實際應用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。
一、典型應用場景
HMC661LC4B具有出色的性能,適用于多種應用場景,包括但不限于以下幾個方面:
- RF自動測試設備(ATE):在RF ATE應用中,需要對高頻信號進行精確的采樣和處理,HMC661LC4B的高帶寬和高速采樣能力能夠滿足這一需求。
- 數(shù)字采樣示波器:為示波器提供高速、高精度的信號采樣,確保能夠準確捕捉高頻信號的細節(jié)。
- RF解調(diào)系統(tǒng):幫助實現(xiàn)RF信號的解調(diào),提高解調(diào)的準確性和效率。
- 數(shù)字接收系統(tǒng):在數(shù)字接收系統(tǒng)中,對輸入信號進行快速采樣和處理,提升系統(tǒng)的性能。
- 高速峰值檢測器:能夠快速檢測信號的峰值,為后續(xù)的信號處理提供重要依據(jù)。
- 軟件定義無線電(SDR):滿足SDR系統(tǒng)對寬帶信號處理的要求,增強系統(tǒng)的靈活性和可擴展性。
- 雷達、電子對抗(ECM)和電子情報(ELINT)系統(tǒng):在這些對信號處理要求極高的系統(tǒng)中,HMC661LC4B能夠提供可靠的性能支持。
- 高速數(shù)模轉換器(DAC)去毛刺:有效去除DAC輸出信號中的毛刺,提高信號質(zhì)量。
二、產(chǎn)品特性
1. 帶寬與采樣率
HMC661LC4B擁有18 GHz的輸入帶寬(1 Vp-p滿量程),這意味著它能夠處理高頻信號,為寬帶信號處理提供了有力支持。同時,其最大采樣率可達4 GS/s,能夠快速準確地對信號進行采樣。
2. 動態(tài)范圍
在動態(tài)范圍方面,該放大器表現(xiàn)出色。例如,在4 GHz、0.5 Vp-p輸入,時鐘頻率為1 GS/s的條件下,無雜散動態(tài)范圍(SFDR)可達68 dB;在4 GHz、1 Vp-p輸入,時鐘頻率為1 GS/s時,SFDR為57 dB。
3. 輸出特性
采用直接耦合輸入輸出(I/O)方式,輸出波形干凈,毛刺極小。在保持模式下,饋通抑制大于60 dB,輸出噪聲僅為1.05 mV RMS,確保了輸出信號的高質(zhì)量。
4. 封裝與兼容性
它采用RoHS合規(guī)的4x4 mm表面貼裝技術(SMT)封裝,并且提供單級或雙級評估板,方便工程師進行測試和開發(fā)。
三、電氣規(guī)格
1. 模擬輸入
- 差分滿量程范圍:線性測試的滿量程輸入為1 Vpp。
- 輸入電阻:每個引腳到地的電阻為50 Ω。
- 回波損耗:在0 - 12 GHz范圍內(nèi),回波損耗為 -23 dB;在12 - 18 GHz范圍內(nèi),回波損耗為 -8 dB。
- 輸入共模電壓:范圍為 -0.1 V至0.1 V。
2. 時鐘輸入
- 直流差分時鐘高電壓(跟蹤模式):范圍為20 - 2000 mV。
- 直流差分時鐘低電壓(保持模式):范圍為 -2000至 -20 mV。
- 幅度(正弦輸入):每個端口為 -6至10 dBm。
- 輸入共模電壓:范圍為 -0.5至0.5 V。
- 時鐘轉換速率:推薦為2 - 4 V/ns,以獲得最佳線性度。
- 回波損耗:在0 - 3 GHz范圍內(nèi),回波損耗為 -24 dB;在3 - 6 GHz范圍內(nèi),回波損耗為 -18 dB。
- 輸入電阻:每個引腳到地的電阻為50 Ω。
3. 模擬輸出
- 差分滿量程范圍:為1 Vp-p。
- 共模輸出電壓:為0 V。
- 輸出阻抗:每個端口為50 Ω。
- 回波損耗:在0 - 3 GHz范圍內(nèi),回波損耗為 -18 dB;在3 - 6 GHz范圍內(nèi),回波損耗為 -11 dB。
4. 跟蹤模式動態(tài)特性
- 基帶增益:范圍為 -1.5至0.5 dB。
- 跟蹤模式帶寬:在1 Vp-p輸入時為6 GHz。
5. 保持模式動態(tài)特性
- 采樣帶寬:在 -3 dB增益、1 Vp-p輸入電平下為18 GHz。
- 差分下垂率(線性分量):為 -1.4 %/ns。
- 差分下垂率幅度(固定分量):為0.9 mV/ns。
- 饋通抑制:在3 GHz時大于等于60 dB。
- 積分噪聲:在500 MHz時鐘頻率下為1.05 mV RMS。
- 最大保持時間:為2 ns。
6. 單音總諧波失真/無雜散動態(tài)范圍(THD/SFDR)
在不同頻率和輸入電平下,HMC661LC4B都表現(xiàn)出了良好的性能。例如,在1 Vp-p滿量程輸入時,在0.995 - 11.995 GHz的頻率范圍內(nèi),THD/SFDR在 -56至 -31 dB之間;在0.5 Vp-p半滿量程輸入時,THD/SFDR在 -65至 -38 dB之間。
7. 跟蹤到保持和保持到跟蹤切換特性
- 孔徑延遲:模擬值為 -6 ps。
- 隨機孔徑抖動:在1 GHz滿量程輸入時小于70 fs。
- 差分基座(線性分量):在1 GHz時鐘頻率、6 dBm時鐘功率下為 -1.0 %。
- 差分基座幅度(固定分量):為2.8 mV。
- 時鐘頻率:在50%占空比下,范圍為250 - 4000 MHz。
8. 時鐘緩沖器管道延遲
模擬值為35 ps。
9. 采集時間和建立時間
- 采集到1 mV的時間:模擬值為132 ps。
- 建立到1 mV的時間:模擬值為135 ps。
10. 輸出緩沖器延遲
從保持節(jié)點到輸出的模擬值為43 ps。
11. 電源要求
- VccTH電壓:范圍為1.9 - 2.1 V,電流為82 mA。
- VccOF電壓:范圍為1.9 - 2.1 V,電流為40 mA。
- VccOB電壓:范圍為1.9 - 2.1 V,電流為73 mA。
- VccCLK電壓:范圍為1.9 - 2.1 V,電流為26 mA。
- Vee電壓:范圍為 -5至 -4.5 V,(Vee + VeeCLK)電流為 -242 mA。
- 功耗:為1.59 W。
四、規(guī)格定義
1. 孔徑延遲
指精確采樣時間相對于保持命令施加到設備的時間的延遲,它是時鐘切換過渡到保持節(jié)點的延遲與輸入信號群延遲到保持節(jié)點的差值。
2. 孔徑抖動
采樣時刻的時間標準差。
3. 采集時間
內(nèi)部保持到跟蹤過渡與保持節(jié)點信號在指定精度內(nèi)跟蹤輸入信號的時間間隔,不包括時鐘緩沖器的管道延遲。
4. 差分基座
由采樣過渡期間跟蹤保持(T/H)開關中的電荷再分配引起的采樣值分量,通常由固定偏移、與輸入信號幅度線性相關的分量和非線性相關的分量組成。
5. 差分下垂率
T/H處于保持模式時,保持樣本的差分輸出電壓的緩慢漂移,通常由保持電容上的電流泄漏引起。
6. 饋通抑制
衡量T/H內(nèi)部開關在關斷狀態(tài)(保持模式)下的隔離度,定義為保持模式下輸出信號(正弦輸入)的幅度與跟蹤模式下輸出信號幅度的比值。
7. 滿量程范圍
T/H在滿足規(guī)格要求的情況下能夠處理的最小和最大信號電平之間的電壓范圍。
8. 采樣帶寬
保持樣本幅度所代表的采樣信號電平的 -3 dB帶寬,包括從信號輸入到保持節(jié)點的傳遞函數(shù)帶寬以及與采樣孔徑有限持續(xù)時間相關的任何帶寬限制效應。
9. 建立時間
內(nèi)部跟蹤到保持過渡與保持輸出信號在指定精度內(nèi)穩(wěn)定的時間間隔,不包括時鐘緩沖器的管道延遲,但包括輸出放大器的群延遲。
10. 無雜散動態(tài)范圍(SFDR)
正弦輸出信號幅度與落入一個奈奎斯特帶寬內(nèi)的最大非線性產(chǎn)物幅度之間的比值,通常以dB表示。
11. 總諧波失真(THD)
非線性產(chǎn)生的諧波和諧波混疊(在一個奈奎斯特頻帶內(nèi)測量)的總功率與輸出信號功率的比值。
五、應用注意事項
1. 總體應用
HMC661LC4B超寬帶單級T/H放大器專為微波數(shù)據(jù)轉換應用而優(yōu)化,能夠為高速模數(shù)轉換器(A/D)的前端采樣提供支持,增強其輸入帶寬和高頻線性度。由于大多數(shù)高速A/D轉換器的輸入帶寬有限,且在高頻下線性度會迅速下降,而HMC661LC4B具有18 GHz的輸入帶寬和出色的寬帶線性度,能夠有效解決這些問題。
2. 靜電放電(ESD)防護
盡管芯片上集成了ESD保護網(wǎng)絡,但RF/微波兼容接口的保護能力有限,因此在使用時仍需采取ESD預防措施。
3. 電源順序
如果使用獨立電源偏置,推薦的電源啟動順序為VccOB、VccOF、VccTH、VccCLK、Vee / VeeCLK。如果需要,VccOB、VccOF、VccTH和VccCLK可以連接到一個 +2 V電源。
4. 輸入信號驅(qū)動
為了獲得最佳效果,輸入應采用差分驅(qū)動方式。如果采用單端驅(qū)動,設備的線性度會有所下降,此時未使用的輸入應端接50 Ω電阻。
5. 時鐘輸入
當(CLKP – CLKN)為高時,設備處于跟蹤模式;當(CLKP – CLKN)為低時,設備處于保持模式。時鐘輸入應盡可能采用差分驅(qū)動,如果采用單端驅(qū)動,單端幅度/轉換速率應與差分驅(qū)動推薦的全差分幅度/轉換速率相似,未使用的輸入應端接50 Ω電阻。為了獲得最佳線性度,推薦時鐘過零轉換速率約為2 - 4 V/ns(每個時鐘輸入),正弦時鐘輸入的最小幅度為 -6 dBm(每個差分半電路輸入)。
6. 輸出
為了獲得最干凈的輸出波形,輸出應采用差分檢測方式。輸出阻抗為50 Ω電阻,返回至VccOB電源。輸出級設計用于驅(qū)動每個差分半電路輸出端接50 Ω到地的負載。設備提供真正的接地參考共模輸出,通常在 ±50 mV以內(nèi),用戶可以通過微調(diào)VccOB電源將輸出共模電平精確調(diào)整到0 V。此外,通過調(diào)整VccOB電源,共模輸出電平可以在大約 ±0.5 V的范圍內(nèi)調(diào)整。
7. 輸出放大器帶寬
輸出放大器的帶寬約為7 GHz,在高輸入頻率下,采樣波形的輸出幅度可能會比跟蹤模式響應稍大。對于時鐘速率較低(如 <1 GHz)的用戶,可以通過將輸出濾波到低于7 GHz的帶寬來優(yōu)化信噪比。輸出電纜應采用高質(zhì)量的電纜,長度應在2英尺或更短,以減少頻率響應滾降和色散的影響。同時,應調(diào)整輸出電纜長度以最小化負載與設備之間的反射擾動。
六、線性度測量
1. 測量問題
在表征T/H的線性度時,用戶通常更關注保持樣本的傳遞函數(shù)線性度(T/H模式線性度)。由于T/H模式線性度與跟蹤模式線性度通常不同,且高速T/H缺乏足夠線性度的寬帶時域儀器,因此需要采用頻域儀器和測量技術來選擇性地表征波形的保持模式部分。
2. 雙級配置測量方法
常見的方法是將兩個T/H級聯(lián)成雙級配置,使第二個T/H(T/H 2)對第一個T/H(T/H 1)的輸出進行重采樣。兩個T/H通常以主從操作方式相差180度時鐘,以消除第一個T/H輸出波形的跟蹤模式部分。但這種方法并不完全能代表單個T/H的線性度,因為第二個T/H會對整體線性度產(chǎn)生影響。
3. 衰減雙級技術
為了解決雙級技術在單級T/H線性度表征中的不足,Hittite開發(fā)了衰減雙級技術。該方法在第一級T/H和第二級T/H之間插入顯著的衰減A(dB),通常衰減值為10 dB。這種配置可以消除跟蹤模式分量,同時大幅降低第二級設備非線性產(chǎn)物對總頻譜的貢獻,使第一級設備的線性度主導整體線性度。
4. 輸出波形頻率響應校正
在雙級T/H的情況下,輸出波形類似于方波,其頻譜內(nèi)容受到SIN(πf/fs )/(πf/fs)(Sinc)函數(shù)頻率響應包絡的加權。為了正確測量樣本的線性度,需要校正響應包絡的影響或采用低頻拍頻產(chǎn)物技術將相關的非線性諧波產(chǎn)物混頻到低頻。
七、絕對最大額定值
| 參數(shù) | 額定值 |
|---|---|
| VccTH, VccOF, VccCLK | 2.1 Vdc |
| VccOB | 3 Vdc |
| Vee, VeeCLK | -5.25 Vdc |
| CLKP, CLKN輸入功率 | +10 dBm |
| INP, INN輸入功率 | +10 dBm |
| 結溫 | 125 °C |
| 連續(xù)功耗(T = 85 °C) | 2 W |
| 熱阻(結到封裝底部) | 20 °C/W |
| 存儲溫度 | -65至 +150 °C |
| 工作溫度 | -40至 +85 °C |
| ESD靈敏度(HBM) | 1B類 |
八、封裝信息
HMC661LC4B采用氧化鋁白色封裝,引腳鍍層為鎳上鍍金,MSL評級為3。封裝標記包含4位批號。
九、引腳描述
| 引腳編號 | 功能 | 描述 |
|---|---|---|
| 1, 2, 5, 13, 14, 17, 18 | GNDa | 模擬地,與時鐘地必須連接到相同的直流電位,但可根據(jù)需要進行RF隔離。 |
| 3 | INP | 正T/H輸入,片上有直流50 Ω端接,指定性能下標稱最大單端輸入電平為 ±0.25 V (-2 dBm),最大為 +10 dBm。 |
| 4 | INN | 負T/H輸入,片上有直流50 Ω端接,指定性能下標稱最大單端輸入電平為 ±0.25 V (-2 dBm),最大為 +10 dBm。 |
| 6 | VeeCLK | 負時鐘緩沖器電源,VeeCLK和Vee必須連接到相同電位,總(Vee + VeeCLK)標稱電流在 -4.75 V時為 -242 mA。 |
| 7 | VccCLK | 時鐘緩沖器電源,在2 V時需要26 mA的標稱電流。 |
| 8, 11, 12 | GNDc | 時鐘地,與模擬地必須連接到相同的直流電位,但可根據(jù)需要進行RF隔離。 |
| 9, 10 | CLKN, CLKP | 負CLK輸入,正CLK輸入,片上有50 Ω端接,最大為 +10 dBm。 |
| 15, 16 | OUTP, OUTN | 正T/H RF輸出,負T/H RF輸出,輸出阻抗為50 Ω,標稱直流共模輸出電壓為0 V,50 Ω負載阻抗可以是直流或交流耦合。 |
| 19, 21, 24, 封裝底座 | Vee | 負模擬電源,總(Vee + VeeCLK)電流在 -4.75 V時為 -242 mA。 |
| 20 | VccOB | 50 Ω輸出緩沖器電源,VccOB電流在2 V時為73 mA,用戶可以通過在 +1 V至 +3 V范圍內(nèi)改變VccOB來調(diào)整輸出共模電壓,使Vocm~1/2(VccOB - 2)(直流耦合輸出)。 |
| 22 | VccOF | 輸出緩沖器電源,在2 V時需要40 mA的標稱電流。 |
| 23 | VccTH | T/H核心電源,在2 V時需要82 mA的標稱電流。 |
十、評估PCB
評估PCB包含多種元件,如SRI K-連接器、SRI SMA-
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