新潔能（NCE）是一家國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體企業(yè)，專注于MOSFET和IGBT等產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)。公司產(chǎn)品線非常豐富，涵蓋了從低電壓到高電壓的各類MOSFET產(chǎn)品，包括N溝道、P溝道以及N+P溝道MOSFET。以下是新潔能授權(quán)代理商/經(jīng)銷商-南山電子整理的新潔能12-150V 30-100V P溝道MOSFET系列產(chǎn)品介紹, 并為該系列型號(hào)快速提供小批量樣品和最新價(jià)格報(bào)價(jià)，歡迎通過南山電子官網(wǎng)在線咨詢或致電400-888-5058。

12-150V P-Channel Trench MOSFET:

技術(shù)特點(diǎn)：采用先進(jìn)的工藝制造技術(shù)、更優(yōu)的工藝條件、精細(xì)優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化產(chǎn)品導(dǎo)通電阻、開關(guān)特性、可靠性等并持續(xù)推進(jìn)產(chǎn)品迭代，以豐富的產(chǎn)品系列、業(yè)內(nèi)先進(jìn)的參數(shù)性能與優(yōu)異的可靠性成為行業(yè)標(biāo)桿。

應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)、通信、消費(fèi)電子等各個(gè)領(lǐng)域。

封裝形式：包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等多種封裝形式。

30-100V P-Channel SGT-I MOSFET:

技術(shù)特點(diǎn)：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET在降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度上擁有天然的優(yōu)勢(shì)，獨(dú)特的柵極負(fù)壓開啟機(jī)制，使得P溝道功率MOSFET成為高端開關(guān)的理想選擇。P溝道功率MOSFET產(chǎn)品的選用可以簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)，往往可以降低系統(tǒng)的總成本，為設(shè)計(jì)人員提供了一種新的選擇。此外，P溝道功率MOSFET產(chǎn)品利用空穴作為載流子進(jìn)行導(dǎo)電，其遷移率低于N溝道功率MOSFET中的載流子電子，同等情況下，P溝道功率MOSFET產(chǎn)品導(dǎo)電性能弱于N溝道功率MOSFET產(chǎn)品。新潔能基于SGT-I技術(shù)的-30~-100V P溝道功率產(chǎn)品提供超低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），為設(shè)計(jì)人員在簡(jiǎn)化系統(tǒng)復(fù)雜度、降低系統(tǒng)總成本的前提下，進(jìn)一步提高系統(tǒng)效率與性能。

應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)控制及低壓驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

封裝形式：包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多種封裝形式。