根據(jù)市場分析公司Yole Developpement的數(shù)據(jù)，經(jīng)過40多年的發(fā)展，PCM將迎來迅速發(fā)展的大時代，并在2023年實現(xiàn)約50億美元的年銷售額。

其市場份額將會從2018年的2.73億美元增長到2023的61億美元，這將占每年獨立的新興非易失性存儲器市場份額的83％，這是一個約86％的復合年增長率。

預計到2023年， ReRAM的銷售額將從2018年幾乎微不足道的份額增長到銷售額排名第二的位置。

新興的非易失性存儲器市場受到來自獨立的和嵌入式應(yīng)用技術(shù)市場的沖擊。資料來源：Yole Developpement。

獨立非易失性存儲器的增長將主要通過SCM及推動基于PCM的3D XPoint存儲器的Intel和Micron來推動。值得注意的是，海力士正在研究類似于英特爾和美光的方法。

Yole的分析師Simone Bertolazzi在一份聲明中說：“雖然圍繞嵌入式應(yīng)用的新興NVM正在發(fā)展，但獨立存儲器將會主導市場，這主要由SCM企業(yè)和客戶端應(yīng)用驅(qū)動?！?/p>

Yole的高級分析師Yann de Charentenay表示，DRAM的擴展在未來五年內(nèi)仍會繼續(xù)，但速度將比以前慢。由于3D集成技術(shù)的發(fā)展，NAND閃存的容量也將不斷增加。因此，新興的NVM不會取代獨立的DRAM和NAND閃存，但會在組合存儲器中對其進行補充。

Yole表示，ReRAM有望成為第一個與3D XPoint相競爭的獨立技術(shù)，但由于技術(shù)挑戰(zhàn)，ReRAM的發(fā)展相對較為緩慢。獨立的ReRAM的主要支持者是Crossbar Inc.和Nantero Inc.

新興的非易失性存儲器因應(yīng)用而發(fā)展。資料來源：Yole Developpement。

Yole聲稱ReRAM可能在2020年之后再次競爭SCM。由于高速和高耐久性，STT-MRAM也很有前景，但制造工藝更復雜。

相比之下，對于新興非易失性存儲器的嵌入式市場，STT-MRAM正在為微控制器增添動力。Yole說，所有主要的代工廠都參與了這個領(lǐng)域。

與獨立市場相比，嵌入式新興NVM市場規(guī)模較小，占2017年新興NVM市場的3％左右。然而，所有頂級代工廠都在準備28nm或22nm的STT-MRAM產(chǎn)品，中芯國際和聯(lián)華電子將ReRAM推遲了約兩年。

Yole預測，到2023年，STT-MRAM將占據(jù)每年11億美元的市場份額的四分之三左右，其余大部分將用于ReRAM技術(shù)。

目前尚不清楚Yole是如何衡量嵌入式存儲器市場的，因為存儲器的價值已經(jīng)包含在嵌入存儲器的微控制器和SoC的銷售價格中。

作為嵌入式NVM，Yole給予PCM很小的市場份額。STMicroelectronics是迄今為止唯一宣布有意使用該技術(shù)的公司。