日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

主要部件選型:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 2019-07-02 15:06 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

點(diǎn)擊“藍(lán)字”關(guān)注ROHM !

本文將對(duì)電源IC BD7682FJ的外置MOSFET的開(kāi)關(guān)調(diào)整部件和調(diào)整方法進(jìn)行介紹。
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路:R16、R17、R18、D17


"
為了優(yōu)化外置MOSFET Q1的開(kāi)關(guān)工作,由R16、R17、R18、D17組成一個(gè)調(diào)整電路,用來(lái)調(diào)節(jié)來(lái)自BD7682FJ的OUT引腳的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)(參見(jiàn)電路圖)。這個(gè)電路會(huì)對(duì)MOSFET的損耗和噪聲產(chǎn)生影響,因此需要邊確認(rèn)MOSFET的開(kāi)關(guān)波形和損耗邊優(yōu)化。
"


開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)的速度由串聯(lián)插入柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)線的R16和R17來(lái)調(diào)整。


開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的速度由用來(lái)抽取電荷的二極管D17和R16的組合來(lái)調(diào)整。


通過(guò)減小各電阻值,可提高開(kāi)關(guān)速度(上升/下降時(shí)間)。


在此次的電路示例中,R16=10Ω/0.25W,R17=150Ω,D17=肖特基勢(shì)壘二極管RB160L-60(60V/1A)。


準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)損耗基本上不會(huì)在導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生,關(guān)斷時(shí)的損耗占主導(dǎo)地位。



要想降低開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗,需要減小R16,提高開(kāi)關(guān)關(guān)斷速度。但這會(huì)產(chǎn)生急劇的電流變化,開(kāi)關(guān)噪聲會(huì)變大。


開(kāi)關(guān)損耗和噪聲之間存在著此起彼消(Trade-off)的制約關(guān)系。所以需要在裝入實(shí)際產(chǎn)品的狀態(tài)下測(cè)量MOSFET的溫度上升(=損耗)和噪聲情況,并確認(rèn)溫度上升和噪聲水平在容許范圍內(nèi)。請(qǐng)根據(jù)需要將上述常數(shù)作為起始線進(jìn)行調(diào)整。


另外,由于R16中會(huì)流過(guò)脈沖電流,因此需要確認(rèn)所用電阻的抗脈沖特性。


R18是MOSFET柵極的下拉電阻,請(qǐng)以10kΩ~100kΩ為大致標(biāo)準(zhǔn)。

關(guān)鍵要點(diǎn):

  • 調(diào)整柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào),并優(yōu)化開(kāi)關(guān)晶體管的損耗和噪聲。

  • 加快開(kāi)關(guān)的上升/下降時(shí)間可減少損耗,但開(kāi)關(guān)噪聲會(huì)變大。


“閱讀原文”我們一起進(jìn)步

原文標(biāo)題:主要部件選型:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路

文章出處:【微信公眾號(hào):羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 羅姆
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    448

    瀏覽量

    67957
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    探索MAX15024:高性能單/雙路高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)

    探索MAX15024/MAX15025:高性能單/雙路高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 在電子工程師的設(shè)計(jì)世界里,選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)于
    的頭像 發(fā)表于 02-04 15:45 ?447次閱讀

    MAX15025:高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

    MAX15024/MAX15025:高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,選擇合適的MOSFET柵極
    的頭像 發(fā)表于 02-04 15:45 ?313次閱讀

    深入剖析LTC7003:高性能高側(cè)N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)

    公司的LTC7003就是這樣一款優(yōu)秀的產(chǎn)品,它以其出色的性能和豐富的功能,在眾多應(yīng)用中展現(xiàn)出強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)。今天,我們就來(lái)深入剖析LTC7003,了解它的特點(diǎn)、工作原理、應(yīng)用場(chǎng)景以及設(shè)計(jì)要點(diǎn)。 文件下載: LTC7003.pdf 產(chǎn)品概述 主要特性 LTC7003是一款快速高側(cè)N溝道
    的頭像 發(fā)表于 02-04 09:10 ?571次閱讀

    深入剖析LTC7068:高性能半橋MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)

    深入剖析LTC7068:高性能半橋MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的MOSFET柵極
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:15 ?233次閱讀

    ISO5451:高性能隔離式IGBT和MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

    ISO5451:高性能隔離式IGBT和MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用 在電力電子領(lǐng)域,隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)于IGBT和
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:25 ?456次閱讀

    SM74101 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器:小封裝大能量

    SM74101 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器:小封裝大能量 在電子工程師的設(shè)計(jì)世界里,高效、可靠且緊湊的MOSFET柵極
    的頭像 發(fā)表于 01-11 17:05 ?704次閱讀

    UCC23513:高性能單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的深度解析

    UCC23513:高性能單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的深度解析 在電力電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件(如IGBT、
    的頭像 發(fā)表于 01-08 14:50 ?416次閱讀

    UCC5880-Q1:汽車(chē)應(yīng)用中高性能IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)

    UCC5880-Q1:汽車(chē)應(yīng)用中高性能IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 在汽車(chē)電子領(lǐng)域,尤其是電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)的發(fā)展中,高性能的柵極
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:15 ?446次閱讀

    EiceDRIVER? APD 2ED2410-EM:高性能汽車(chē)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器解析

    EiceDRIVER? APD 2ED2410-EM:高性能汽車(chē)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器解析 在汽車(chē)電子領(lǐng)域,對(duì)于可靠且高效的MOSFET柵極
    的頭像 發(fā)表于 12-20 16:25 ?1519次閱讀

    MOSFET柵極閾值電壓Vth

    (1)Vth是指當(dāng)源極與漏極之間有指定電流時(shí),柵極使用的電壓; (2)Vth具有負(fù)溫度系數(shù),選擇參數(shù)時(shí)需要考慮。 (3)不同電子系統(tǒng)選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同,需要根據(jù)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)
    發(fā)表于 12-16 06:02

    為什么MOSFET柵極前面要加一個(gè)100Ω電阻

    是MOS管柵極存在的寄生電容。一般為了加快MOS管導(dǎo)通和截止的速度,降低其導(dǎo)通和截止過(guò)程中的產(chǎn)生損耗,柵極上的等效電阻是應(yīng)該越小越好,最好為0。 但我們卻經(jīng)常會(huì)看到關(guān)于MOSFET電路
    發(fā)表于 12-02 06:00

    基于仁懋MOSFET的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路柵極電阻選型與VGS波形優(yōu)化

    PART01柵極電阻在MOSFET驅(qū)動(dòng)中的核心作用在直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 09-27 10:17 ?1536次閱讀
    基于仁懋<b class='flag-5'>MOSFET</b>的直流電機(jī)<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電路</b>:<b class='flag-5'>柵極</b>電阻<b class='flag-5'>選型</b>與VGS波形優(yōu)化

    MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器充放電中的能量轉(zhuǎn)換過(guò)程

    MOSFET開(kāi)關(guān)中,柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)承擔(dān)著為其充電與放電的關(guān)鍵任務(wù),而這背后的能量轉(zhuǎn)換過(guò)程,直接影響驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率與熱設(shè)計(jì)。傳統(tǒng)功率損耗公式雖廣泛使用,但在某些應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 08-19 09:09 ?2864次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>器充放電中的能量轉(zhuǎn)換過(guò)程

    MOSFET柵極應(yīng)用電路分析匯總(驅(qū)動(dòng)、加速、保護(hù)、自舉等等)

    各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié),如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng),容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效,因此發(fā)這篇文章將柵極常見(jiàn)的電路整理出來(lái)供大家參
    發(fā)表于 05-06 17:13

    SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)

    柵極驅(qū)動(dòng)器是確保SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵,設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:54 ?1855次閱讀
    SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電路</b>設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)
    汪清县| 建阳市| 康保县| 阜城县| 会泽县| 阿尔山市| 巫山县| 嘉义县| 徐水县| 元朗区| 和硕县| 芒康县| 英吉沙县| 东安县| 古田县| 航空| 咸宁市| 旌德县| 阜康市| 井研县| 隆昌县| 新蔡县| 循化| 黔西县| 宜宾县| 鹿泉市| 紫金县| 杂多县| 舒城县| 大厂| 蒙城县| 邮箱| 休宁县| 内乡县| 濮阳市| 无锡市| 平阴县| 云南省| 离岛区| 寿宁县| 桓台县|