近年來，由于氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積，GaN已被RF工業(yè)大量采用。根據(jù)兩個主要應用：電信基礎設施和國防，推動整個氮化鎵射頻市場預計到2024年成長至20億美元，產(chǎn)業(yè)研究機構Yole Développement(Yole)的研究報告指出，過去十年，全球電信基礎設施投資保持穩(wěn)定，在該市場中，更高頻率的趨勢為5G網(wǎng)路中頻率低于6GHz的PA中的RF GaN提供了一個最佳發(fā)展的動力。

自從20年前第一批商用產(chǎn)品出現(xiàn)以來，GaN已成為射頻功率應用中LDMOS和GaAs的重要競爭對手，并以更低的成本不斷提高性能和可靠性。第一個GaN-on-SiC和GaN-on-Si元件幾乎同時出現(xiàn)，但GaN-on-SiC在技術上已經(jīng)變得更加成熟。GaN-on-SiC目前主導GaN射頻市場，已滲透到4G LTE無線基礎設施市場，預計將部署在5G 6GHz以下的RRH架構中。然而，與此同時，在經(jīng)濟高效的LDMOS技術方面也取得了顯著進展，這可能會挑戰(zhàn)5G sub-6Ghz主動式天線和大規(guī)模MIMO部署中的GaN解決方案。

GaN市場整體規(guī)模再2018年約6.45億美元，無線通訊應用約3.04億美元、軍事約2.7億美元，航太應用3700萬美元為三大主要應用，2024年整體市場將成長至200.13億美元，年復合成長率達21%，無線通訊應用規(guī)模達7.52億美元，軍事應用為9.77億美元，值得注意的是RF Energy將從200萬美元成長至1.04億美元。