動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 09:58
CG2H40120P高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40120P 頻率：高達(dá) 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時(shí) 20 dB 小信號(hào)增益 增益：2.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益226瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 09:23
CG2H40045F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40045F-AMP 頻率：高達(dá) 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 18 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 14 dB 小信號(hào)增益237瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 09:18
CG2H40045F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40045F 頻率：高達(dá) 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 18 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 14 dB 小信號(hào)增益541瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 09:16
CG2H40045P高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40045P 頻率：高達(dá) 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時(shí) 18 dB 小信號(hào)增益 增益：4.0 GHz 時(shí) 14 dB 小信號(hào)增益275瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 22:03
C3M0032120D是一款功率轉(zhuǎn)換器
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0032120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V406瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 21:57
C3M0032120J1碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0032120J1 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V426瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 21:51
C2M0025120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C2M0025120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V695瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 21:43
C3M0021120K碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0021120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V1.3k瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 21:30
C3M0021120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0021120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V410瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 21:24
C3M0016120K碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0016120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V628瀏覽量
