動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 09:33
CG2H80060D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H80060D-GP4 PSAT功率：60 W 典型 PSAT 操作電壓：28 伏操作 電壓：高擊穿電壓294瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:35
C3M0160120J碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0160120J 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 柵極-源極電壓靜態(tài)：-4/+15V417瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:27
C2M0080120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C2M0080120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓：-10/+25V 脈沖漏極電流：80A1.6k瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:20
C3M0075120K碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0075120K 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19 柵極-源極電壓靜態(tài)：-4/+151.1k瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:14
C3M0075120J碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0075120J 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19 柵極-源極電壓靜態(tài)：-4/+15547瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:08
C3M0075120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0075120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19 柵極-源極電壓靜態(tài)：-4/+15506瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:59
E3M0075120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：E3M0075120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：80A539瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:52
E3M0075120K碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：E3M0075120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：80A740瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:43
C3M0075120K-A碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0075120K-A 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：4/+15V383瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:35
C3M0075120D-A碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0075120D-A 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：4/+15V303瀏覽量
