動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 09:33
CG2H80060D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào):CG2H80060D-GP4 PSAT功率:60 W 典型 PSAT 操作電壓:28 伏操作 電壓:高擊穿電壓294瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:35
C3M0160120J碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào):C3M0160120J 漏源電壓:1200V 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài):-8/+19V 柵極-源極電壓靜態(tài):-4/+15V417瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:27
C2M0080120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào):C2M0080120D 漏源電壓:1200V 柵極-源極電壓:-10/+25V 脈沖漏極電流:80A1.6k瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:20
C3M0075120K碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào):C3M0075120K 漏源電壓:1200V 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài):-8/+19 柵極-源極電壓靜態(tài):-4/+151.1k瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:14
C3M0075120J碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào):C3M0075120J 漏源電壓:1200V 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài):-8/+19 柵極-源極電壓靜態(tài):-4/+15547瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:08
C3M0075120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào):C3M0075120D 漏源電壓:1200V 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài):-8/+19 柵極-源極電壓靜態(tài):-4/+15506瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:59
E3M0075120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào):E3M0075120D 漏源電壓:1200V 柵極 -源極電壓:-8/+19V 脈沖漏極電流:80A539瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:52
E3M0075120K碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào):E3M0075120K 漏源電壓:1200V 柵極 -源極電壓:-8/+19V 脈沖漏極電流:80A740瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:43
C3M0075120K-A碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào):C3M0075120K-A 漏源電壓:1200V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài):-8/+19V 柵極 -源極電壓靜態(tài):4/+15V383瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:35
C3M0075120D-A碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào):C3M0075120D-A 漏源電壓:1200V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài):-8/+19V 柵極 -源極電壓靜態(tài):4/+15V303瀏覽量