動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 21:15
C3M0016120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0016120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V599瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 21:05
C3M0120100K碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0120100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V516瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 20:57
C3M0120100J碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0120100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V308瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 18:20
C3M0065100K碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0065100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V762瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 14:45
CG2H40035F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40035F-AMP 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64%217瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 14:42
CG2H40035F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40035F 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64%228瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-23 14:36
CG2H40035P高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40035P 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64%306瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-22 22:19
C3M0065100J碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0065100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V440瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-22 21:45
C3M0280090J碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0280090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V369瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-22 21:36
C3M0120090D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0120090D 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V520瀏覽量
