動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:27
C2M0040120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C2M0040120D 漏源電壓：1200V 柵極 - 源極電壓：-10/+25V 柵極 - 源極電壓：-5/+20V888瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:19
C3M0040120K碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0040120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V1.6k瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:09
C3M0040120D碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0040120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V487瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 21:03
C3M0040120J1碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0040120J1 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V270瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 20:56
C3M0032120K碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：C3M0032120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài)：-8/+19V976瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 11:21
CG2H80045D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H80045D-GP4 PSAT功率：45 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 擊穿電壓：高擊穿電壓181瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 10:52
CG2H80030D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H80030D-GP4 PSAT功率：30 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 耐壓：高擊穿電壓272瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 10:40
CG2H80015D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H80015D-GP4 PSAT功率：15 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 耐壓：高擊穿電壓328瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 10:04
CG2H40120F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40120F-AMP 頻率：高達(dá) 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時(shí) 20 dB 小信號(hào)增益 增益：2.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益210瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 10:01
CG2H40120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：CG2H40120F 頻率：高達(dá) 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時(shí) 20 dB 小信號(hào)增益 增益：2.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益430瀏覽量
