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• 發(fā)布了文章 2024-12-25 11:56

  AEC-Q102之靜電放電測試（HBM）

  

  靜電放電（ESD）是電子元器件在運輸、安裝和使用過程中常見的一種現(xiàn)象，它可能導致器件損壞、性能降低或壽命縮短。因此，對電子元器件進行ESD試驗至關(guān)重要，以確保其在實際應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性。AEC-Q102標準中包含了多種ESD試驗，其中人體模型（HBM）試驗是最為常見的一種。什么是HBM試驗？HBM試驗，即人體模型試驗，是一種評估電子器件對由人體產(chǎn)生的靜電

  ESD 測試 靜電放電

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• 發(fā)布了文章 2024-12-25 11:55

  氬離子拋光：揭示材料微觀結(jié)構(gòu)

  

  氬離子拋光技術(shù)概述氬離子拋光技術(shù)是一種精密的材料表面處理方法，它通過精細調(diào)控氬離子束的深度和強度，實現(xiàn)對樣品表面的拋光，以消除表面損傷并展示材料的微觀結(jié)構(gòu)。這項技術(shù)對于多種分析儀器至關(guān)重要，包括掃描電子顯微鏡（SEM）、光學顯微鏡和掃描探針顯微鏡等，尤其是在進行EDS、EBSD、CL、EBIC等高級分析時，高質(zhì)量的樣品表面是確保結(jié)果準確性的關(guān)鍵。數(shù)調(diào)整氬離子

  SEM 顯微鏡 材料

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• 發(fā)布了文章 2024-12-25 11:54

  Rohs 、REACH 、無鹵的區(qū)別

  

  RoHS指令詳解RoHS（限制特定有害物質(zhì)）是歐盟為降低電子和電氣設(shè)備中有害物質(zhì)含量而實施的一項法規(guī)。該指令的主要目的是限制六種有害物質(zhì)的使用，以減少對環(huán)境和人類健康的影響。具體限制物質(zhì)及其含量標準如下：鉛（Pb）：不得超過0.1%（1000ppm），常見用途包括焊料、玻璃和PVC穩(wěn)定劑。汞（Hg）：不得超過0.1%（1000ppm），用于溫控器、傳感器等。

  REACH RoHS 電氣設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2024-12-24 11:32

  紫外(UV)老化測試：7個關(guān)鍵問題解析

  

  紫外線對產(chǎn)品的影響在自然界中，陽光中的紫外線是導致產(chǎn)品光降解和光老化的主要原因。這種無形的輻射不僅對人體健康構(gòu)成威脅，對產(chǎn)品的損害同樣不容忽視。產(chǎn)品或材料在加工、貯存及使用過程中，會受到光、熱、氧、機械應(yīng)力、臭氧、有害金屬離子、輻射等多種外界因素的影響，導致產(chǎn)品或材料內(nèi)部發(fā)生物理或化學變化，最終失去其原有的使用價值。太陽光對產(chǎn)品的具體影響紫外線造成的損害類型

  太陽光 紫外線 老化測試

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• 發(fā)布了文章 2024-12-24 11:32

  帶你一文了解什么是引線鍵合（WireBonding）技術(shù)？

  

  微電子封裝中的引線鍵合技術(shù)引線鍵合技術(shù)在微電子封裝領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色，它通過金屬線將半導體芯片與外部電路相連，實現(xiàn)電氣互連和信息傳遞。在理想條件下，金屬引線與基板之間的連接可以達到原子級別的鍵合，這種鍵合是通過電子共享或原子擴散實現(xiàn)的。引線鍵合與封裝技術(shù)在集成電路（IC）封裝中，引線鍵合是實現(xiàn)芯片與引線框架（基板）連接的關(guān)鍵技術(shù)。盡管倒裝焊和載帶自動焊

  半導體芯片 引線鍵合 微電子封裝

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• 發(fā)布了文章 2024-12-24 11:30

  探索掃描電子顯微鏡下的能譜分析技術(shù)（EDX）

  

  掃描電子顯微鏡（SEM）以其在納米級別解析樣品的能力而聞名，它通過電子束與樣品的交互來收集信息。除了常見的背散射電子（BSE）和二次電子（SE）信號外，SEM還能檢測到其他多種信號，這些信號為研究者提供了樣品的深層信息。本文將深入探討SEM中的能譜（EDX）技術(shù)，揭示其工作原理。電子束與樣品的相互作用在SEM的運作過程中，電子束與樣品表面的交互作用產(chǎn)生了一系

  SEM 顯微鏡 電子束

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• 發(fā)布了文章 2024-12-24 11:29

  EBSD失效分析策略

  

  材料失效分析在材料科學和工程實踐中，失效分析扮演著至關(guān)重要的角色，它致力于探究產(chǎn)品或構(gòu)件在實際使用過程中出現(xiàn)的失效現(xiàn)象。這些現(xiàn)象可能表現(xiàn)為由多種因素引起的斷裂，例如疲勞、應(yīng)力腐蝕或環(huán)境誘導的脆性斷裂等。深入探究這些失效的原因，能夠幫助工程師和科學家有效控制風險，并預(yù)防未來的失效事件。金鑒實驗室具備專業(yè)的測試設(shè)備，能夠為客戶提供材料失效分析，以應(yīng)對半導體行業(yè)帶

  失效分析 材料 測試設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2024-12-24 11:27

  離子污染度的測試方法

  

  離子污染對電子設(shè)備的影響電子技術(shù)迅猛發(fā)展的今天，電子設(shè)備的復(fù)雜性和集成度不斷攀升，電路板上的元件布局日益緊湊，線路間距縮小，這使得對電路板（PCB/PCBA）的清潔度要求變得更加嚴格。離子污染，作為影響電路板清潔度的關(guān)鍵因素，其控制和管理變得尤為關(guān)鍵。離子污染可能會引起離子遷移異常，進而導致產(chǎn)品失效，如腐蝕、短路等，據(jù)研究，因污染問題導致的電子產(chǎn)品失效率超過

  測試 電路板

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• 發(fā)布了文章 2024-12-23 17:30

  FIB：芯片制造中的關(guān)鍵檢測工具

  

  聚焦離子束技術(shù)（FIB）在技術(shù)日新月異的當代，半導體技術(shù)已成為推動科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級的引擎。半導體器件在我們的日常生活中扮演著不可或缺的角色，無論是在通訊設(shè)備、交通工具還是醫(yī)療儀器中，它們都發(fā)揮著核心作用。隨著這些器件尺寸的日益微型化，對它們的精確診斷和修復(fù)技術(shù)提出了前所未有的挑戰(zhàn)。聚焦離子束技術(shù)（FIB）正是在這樣的需求下應(yīng)運而生，成為解決這些難題的關(guān)鍵技

  fib 檢測 芯片制造

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• 發(fā)布了文章 2024-12-23 17:29

  AEC-Q101標準下的分立半導體器件認證

  

  AEC組織概述AEC（AutomotiveElectronicsCouncil）是由美國三大汽車制造商克萊斯勒、福特和通用汽車共同發(fā)起成立的組織，成立于1994年。該組織的目標是建立一套全球性的汽車電子部件標準，其成員包括全球的汽車制造商、電子模塊生產(chǎn)商和元器件供應(yīng)商。AECQ101標準簡述AECQ101標準是一套針對汽車用離散半導體元件的可靠性測試和認證標

  AEC 半導體 認證

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