動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-01-08 10:57

  氬離子切拋技術(shù)在簡(jiǎn)化樣品制備流程中的應(yīng)用

  

  在材料科學(xué)和工程領(lǐng)域，樣品的制備對(duì)于后續(xù)的分析和測(cè)試至關(guān)重要。傳統(tǒng)的制樣方法，如機(jī)械拋光和研磨，雖然在一定程度上可以滿足要求，但往往存在耗時(shí)長(zhǎng)、操作復(fù)雜、容易損傷樣品表面等問題。隨著技術(shù)的發(fā)展，氬離子切拋技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，為材料制樣提供了一種更為高效、精細(xì)的選擇。傳統(tǒng)制樣方法的局限性1.EBSD樣品制備的挑戰(zhàn)電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)在材料科學(xué)中具有廣泛的應(yīng)

  半導(dǎo)體 材料 離子束

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• 發(fā)布了文章 2025-01-08 10:55

  灼熱絲試驗(yàn)測(cè)試步驟詳解

  

  什么是灼熱絲測(cè)試？灼熱絲測(cè)試是一種評(píng)估電子電器產(chǎn)品在過熱情況下起火危險(xiǎn)性的重要實(shí)驗(yàn)。灼熱絲測(cè)試的目的與設(shè)備灼熱絲測(cè)試的目的是為了確保電子電器產(chǎn)品在設(shè)計(jì)和制造過程中考慮到了熱安全，防止因過熱引發(fā)火災(zāi)。測(cè)試設(shè)備包括一個(gè)固定規(guī)格的電阻絲環(huán)，即灼熱絲，它通過大電流加熱至試驗(yàn)規(guī)定的高溫，然后以規(guī)定的壓力大灼燒樣品一段時(shí)間，以此來模擬產(chǎn)品在實(shí)際使用中可能遇到的熱沖擊。灼

  測(cè)試 灼熱絲 試驗(yàn)

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• 發(fā)布了文章 2025-01-08 10:54

  化學(xué)測(cè)試——含溴阻燃劑檢測(cè)

  

  溴化阻燃劑簡(jiǎn)介溴系阻燃劑（BrominatedFlameRetardants，簡(jiǎn)稱BFRs）是含溴有機(jī)化合物的一大類，包括多溴二苯醚（簡(jiǎn)稱PBDEs）、六溴環(huán)十二烷（簡(jiǎn)稱HBCDD）和多溴聯(lián)苯（簡(jiǎn)稱PBBs）等。這類化合物憑借其出色的阻燃效能，被廣泛地應(yīng)用于塑料制品、各種紡織品以及兒童相關(guān)產(chǎn)品中，主要目的是提升這些產(chǎn)品的耐火性能。應(yīng)用與潛在風(fēng)險(xiǎn)溴化阻燃劑的使

  檢測(cè) 測(cè)試

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• 發(fā)布了文章 2025-01-07 11:20

  錫須生長(zhǎng)現(xiàn)象

  

  在電子制造領(lǐng)域，錫須是一種常見的物理現(xiàn)象，表現(xiàn)為在錫質(zhì)表面自發(fā)生長(zhǎng)的細(xì)長(zhǎng)晶體。這些晶體類似于晶須，能在多種金屬表面形成，但以錫、鎘、鋅等金屬最為常見。錫須的形成對(duì)那些選擇錫作為電路連接材料的制造商來說，是一個(gè)需要特別關(guān)注的問題。錫須生長(zhǎng)的根源探究1.應(yīng)力因素的探討錫須問題通常與電鍍層內(nèi)部的壓縮應(yīng)力有關(guān)。這種應(yīng)力可能由多種因素引起，例如電鍍過程中的化學(xué)反應(yīng)、鍍

  晶體 電子制造 錫須

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• 發(fā)布了文章 2025-01-07 11:19

  聚焦離子束（FIB）在加工硅材料的應(yīng)用

  

  在材料分析中的關(guān)鍵作用在材料科學(xué)領(lǐng)域，聚焦離子束（FIB）技術(shù)已經(jīng)成為一種重要的工具，尤其在制備透射電子顯微鏡（TEM）樣品時(shí)顯示出其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。金鑒實(shí)驗(yàn)室作為行業(yè)領(lǐng)先的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，能夠幫助研究人員準(zhǔn)確評(píng)估FIB加工對(duì)材料的影響，確保樣品的質(zhì)量和分析的可靠性。本文將深入探討FIB技術(shù)在TEM樣品制備中的應(yīng)用，并分析由此產(chǎn)生的人工缺陷問題。FIB技術(shù)的卓越性能F

  fib 硅材料 離子束

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• 發(fā)布了文章 2025-01-07 11:17

  電子背散射衍射晶體學(xué)織構(gòu)分析與數(shù)據(jù)處理

  

  晶體的取向，即晶體坐標(biāo)系（CCS）相對(duì)于樣品坐標(biāo)系（SCS）的定位，對(duì)于理解材料的物理和化學(xué)性質(zhì)具有決定性的作用。晶體取向不僅影響材料的力學(xué)性能，如強(qiáng)度、韌性、塑性等，還對(duì)電學(xué)、熱學(xué)、光學(xué)等性能產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。例如，在半導(dǎo)體材料中，晶體取向決定了載流子的遷移率和復(fù)合效率，從而影響器件的性能；在金屬材料中，晶體取向影響金屬的塑性變形機(jī)制和疲勞壽命等。1.旋轉(zhuǎn)矩

  數(shù)據(jù)處理 晶體 材料

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• 發(fā)布了文章 2025-01-07 11:13

  電氣安全測(cè)試項(xiàng)目詳解

  

  安全檢測(cè)認(rèn)證的重要性在電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與制造過程中，安全性是不可忽視的核心要素。安全檢測(cè)認(rèn)證是確保電子產(chǎn)品在進(jìn)入市場(chǎng)前滿足安全標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵步驟。這些認(rèn)證過程涵蓋了模擬用戶可能的使用情況，包括正常使用和異常使用，以評(píng)估產(chǎn)品可能帶來的風(fēng)險(xiǎn)，如電擊、火災(zāi)和機(jī)械傷害，并在產(chǎn)品出廠前通過設(shè)計(jì)預(yù)防這些風(fēng)險(xiǎn)。國(guó)際安規(guī)體系概覽IEC：國(guó)際電工委員會(huì)，負(fù)責(zé)制定國(guó)際電工標(biāo)準(zhǔn)。UL：

  檢測(cè)認(rèn)證 測(cè)試 電氣安全 耐壓測(cè)試

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• 發(fā)布了文章 2025-01-06 12:29

  EBSD技術(shù)在氬離子截面切割制樣中的應(yīng)用

  

  電子背散射衍射技術(shù)電子背散射衍射技術(shù)（ElectronBackscatterDiffraction，簡(jiǎn)稱EBSD）是一種將顯微組織與晶體學(xué)分析相結(jié)合的先進(jìn)圖像分析技術(shù)。起源于20世紀(jì)80年代末，經(jīng)過十多年的發(fā)展，EBSD已經(jīng)成為材料科學(xué)領(lǐng)域中不可或缺的分析工具。EBSD技術(shù)通過分析晶體的取向來成像，因此也被稱為取向成像顯微術(shù)。EBSD成像原理及其應(yīng)用EBSD

  顯微鏡 材料

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• 發(fā)布了文章 2025-01-06 12:28

  半導(dǎo)體需要做哪些測(cè)試

  

  設(shè)計(jì)芯片：半導(dǎo)體制造的起點(diǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造始于芯片設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)階段是整個(gè)制造過程的第一步，工程師們根據(jù)產(chǎn)品所需的功能來設(shè)計(jì)芯片。芯片設(shè)計(jì)完成后，下一步是將這些設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為實(shí)體的晶圓。晶圓由重復(fù)排列的芯片組成，每個(gè)小格子狀的結(jié)構(gòu)就代表一個(gè)芯片。芯片的體積大小直接影響到單個(gè)晶圓上可以產(chǎn)出的芯片數(shù)量。半導(dǎo)體制程工序概覽半導(dǎo)體制程工序可以分為三個(gè)主要階段：晶圓制作、封裝

  半導(dǎo)體 封裝測(cè)試 測(cè)試 芯片設(shè)計(jì)

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• 發(fā)布了文章 2025-01-06 12:26

  FIB-SEM技術(shù)全解析：原理與應(yīng)用指南

  

  聚焦離子束掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）雙束系統(tǒng)是一種集成了聚焦離子束（FIB）和掃描電子顯微鏡（SEM）功能的高科技分析儀器。它通過結(jié)合氣體沉積裝置、納米操縱儀、多種探測(cè)器和可控樣品臺(tái)等附件，實(shí)現(xiàn)了微區(qū)成像、加工、分析和操縱的一體化。這種系統(tǒng)在物理、化學(xué)、生物、新材料、農(nóng)業(yè)、環(huán)境和能源等多個(gè)領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。FIB-SEM雙束系統(tǒng)1.系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與工作原

  fib SEM 顯微鏡

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