動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-12-15 16:55

  電動汽車和數(shù)據(jù)中心的熱管理的未來

  

  在電動車電池領(lǐng)域，盡管浸沒式冷卻技術(shù)提高了熱均衡性，省去了冷板和TIMs的需要，但由于液體的熱導(dǎo)率低及電池密封難度等因素，其應(yīng)用面臨挑戰(zhàn)，預(yù)計僅在特殊領(lǐng)域（如高性能或高成本的電動車）采用。盡管如此，隨著電動車市場的增長，IDTechEx預(yù)測到2027年，浸沒式冷卻液體的需求將比去年增長8倍。

  數(shù)據(jù)中心 熱管理 電動汽車

  1.7k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-12-14 16:59

  三星與ASML將聯(lián)手在韓國投資76億美元建設(shè)先進芯片工廠

  

  他說：“這次將是韓荷半導(dǎo)體聯(lián)盟的重要轉(zhuǎn)折點?！彼硎驹诎雽?dǎo)體成為戰(zhàn)略資產(chǎn)和全球供應(yīng)鏈圍繞地緣政治風(fēng)險增長的情況下，此次訪問荷蘭將幫助兩國，“建立一個有組織的制度框架，密集解決全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈問題?！?

  ASML 三星 半導(dǎo)體

  1.1k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-12-14 16:58

  碳化硅的挑戰(zhàn)與機遇

  

  可能的解決方案是降低電極偏壓并減小氧化物厚度。Cooper解釋道，薄氧化物提高了對通道的控制——要知道在硅MOSFET中就運行在低電壓下。這種解決方案需要對制造過程進行微調(diào)。雖然關(guān)于薄介質(zhì)碳化硅器件的研究較少，但硅器件使用的氧化物厚度薄達到5nm，且沒有引發(fā)過多的隧道效應(yīng)。如上所述，使用高介電常數(shù)適宜可以在保持物理厚度的同時提供更好的通道控制。

  功率半導(dǎo)體 電動汽車 碳化硅

  1.8k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-12-13 15:14

  碳化硅（SiC）技術(shù)在伺服器領(lǐng)域的潛力

  

  正在被廣泛使用的伺服技術(shù)使60年代的自動化工程師羨慕無比。這種體積小、精確且完全電動的技術(shù)反映了我們現(xiàn)在可以使用的半導(dǎo)體控制、傳感器和電力技術(shù)的緊湊性。今天的最大挑戰(zhàn)仍然是伺服和其控制器之間的布線。由于必須承受來自電機和控制信號的高電流，布線成本昂貴，且是電磁干擾（EMI）的重要源頭。阻抗不匹配引發(fā)的反射波經(jīng)常成為問題，對電機繞組的絕緣產(chǎn)生了破壞性壓力。

  IGBT 伺服器 硅基 碳化硅

  2k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-12-13 15:11

  日本計劃為電動汽車和芯片生產(chǎn)提供10年稅收優(yōu)惠

  

  這些稅收優(yōu)惠將包括每臺電動汽車40萬日元（2749美元），每升可持續(xù)航空燃料30日元，以及每噸綠色鋼鐵2萬日元。優(yōu)惠將持續(xù)10年，從業(yè)務(wù)計劃獲得批準(zhǔn)開始。政府將要求企業(yè)在2026財年結(jié)束之前提交其計劃。

  半導(dǎo)體 電動汽車 芯片

  1.2k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-12-12 15:44

  AMD印度重視數(shù)據(jù)中心及電信業(yè)作為戰(zhàn)略增長領(lǐng)域

  

  AMD，全球半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)，在印度呈現(xiàn)強勁影響力，確認(rèn)數(shù)據(jù)中心和電信部門作為未來增長的核心良機。AMD印度銷售總監(jiān)Vinay Sinha在與《亞洲電子時報》對話中指出，由政府?dāng)?shù)字化推動的數(shù)據(jù)飛速增長、5G的興起及AI、大數(shù)據(jù)以及業(yè)務(wù)中機器學(xué)習(xí)的應(yīng)用等因素，闡釋了印度市場對于AMD的重要性。

  amd 半導(dǎo)體 數(shù)據(jù)中心

  935瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-12-12 15:42

  電動汽車發(fā)展推動高壓器件的要求

  

  隨著電動汽車市場的發(fā)展，設(shè)備的電壓需求不斷提升，甚至一些被認(rèn)為是相對低電壓的設(shè)備也正在突破已有的基線。處理高電壓的技術(shù)不是新的話題，但由于新的需求的數(shù)量和種類的增加，無論是晶圓廠還是測試公司，高電壓測試都被置于了首要優(yōu)先級。例如，汽車現(xiàn)在已經(jīng)成為了多領(lǐng)域系統(tǒng)，電壓需求范圍大約在40伏特到2千伏特之間。

  電動汽車 電壓 高壓器件

  1.4k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-12-11 16:10

  英特爾宣布完成PowerVia背面供電技術(shù)的開發(fā)

  

  英特爾在2023年國際電子設(shè)備制造大會上宣布，他們已經(jīng)成功完成了一項名為PowerVia的背面供電技術(shù)的開發(fā)。這個技術(shù)是基于英特爾的最新晶體管研究成果，它實現(xiàn)了互補金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（CFET）的60納米柵極間距垂直堆疊。通過堆疊晶體管，該技術(shù)提高了面積效率和性能，同時還結(jié)合了背面供電和直接背面接觸這兩種技術(shù)。

  三星 晶體管 芯片 英特爾

  1.8k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-12-11 16:09

  ?GaN半導(dǎo)體技術(shù)及其在電子領(lǐng)域的前景

  

  當(dāng)前各種氮化鎵技術(shù)正在加速向200mm過渡，以期降低生產(chǎn)成本，使氮化鎵寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)在混合型和全電動汽車、消費電子產(chǎn)品、智能手機以及其他產(chǎn)品的制造中得到廣泛應(yīng)用。然而，制造者們是否能適當(dāng)?shù)亟档统杀?，并保穩(wěn)較新版本的氮化鎵技術(shù)的制程穩(wěn)定性，仍是一項未知挑戰(zhàn)。

  半導(dǎo)體 晶體管 氮化鎵 電動汽車

  2k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-12-08 17:06

  AMD正式發(fā)布 MI300X AI 加速器，力壓英偉達H100

  

  如今，AMD已正式步入高性能計算（HPC）領(lǐng)域，并攜正規(guī)的數(shù)據(jù)中心GPU，觀察其與英偉達主導(dǎo)地位的角逐將會相當(dāng)有趣。這場戰(zhàn)斗類似于游戲GPU領(lǐng)域中的角逐，英偉達已占據(jù)了絕大多數(shù)市場份額，AMD 正為爭奪剩余的市場而戰(zhàn)。然而，MI300X對英偉達的H100構(gòu)成了有力的競爭，甚至微軟的首席技術(shù)官最近都表示，他認(rèn)為AMD最終在這個市場上將非常有競爭力。

  AI amd H100 英偉達

  1.9k瀏覽量