動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-11-23 13:55

  IGBT與MOSFET的區(qū)別

  

  理解IGBT與MOSFET的性能差異，會(huì)幫助工程師在功率需求、開(kāi)關(guān)速度、成本考慮以及特定應(yīng)用的適性等多個(gè)因素之間做出折衷并選擇最合適的元件。這將使得工程師們能夠在滿(mǎn)足性能目標(biāo)的同時(shí)，設(shè)計(jì)出更為高效、優(yōu)化的系統(tǒng)。

  IGBT MOSFET 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2023-11-22 13:45

  氮化鎵在低功率電動(dòng)車(chē)中的應(yīng)用

  

  雖然氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在汽車(chē)應(yīng)用中仍處于早期階段，它正迅速進(jìn)入更高電壓領(lǐng)域?？紤]到其高功率密度和效率，氮化鎵技術(shù)正逐漸在汽車(chē)工業(yè)中獲得吸引力。適用于低壓和高壓應(yīng)用，它能應(yīng)用于各種汽車(chē)系統(tǒng)。GaN有潛力大幅提高整體效率，我們預(yù)計(jì)，它會(huì)對(duì)汽車(chē)工業(yè)產(chǎn)生顯著影響。

  GaN 氮化鎵 電動(dòng)汽車(chē)

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• 發(fā)布了文章 2023-11-22 13:44

  AMD選擇三星代工廠制造下一代的4nm Zen 5c架構(gòu)產(chǎn)品

  

  AMD一向傾向于使用臺(tái)積電打造其最先進(jìn)的硅設(shè)計(jì)，當(dāng)然，并不包括他們目前正在研發(fā)中的下一代Zen 5c架構(gòu)產(chǎn)品。根據(jù)一份來(lái)自臺(tái)灣的新報(bào)告，AMD已經(jīng)選擇三星代工廠來(lái)生產(chǎn)為其下一代平臺(tái)打造的Zen 5c架構(gòu)產(chǎn)品，這一決策標(biāo)志著公司大的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變。AMD仍然會(huì)使用臺(tái)積電的服務(wù)，但在Zen 5c的生產(chǎn)中，AMD似乎希望多元化資源，而非像其在Zen 4及前幾代產(chǎn)品中那樣

  amd 三星 臺(tái)積電

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• 發(fā)布了文章 2023-11-21 15:34

  探索高功率器件材料：金剛石

  

  提高電動(dòng)車(chē)的能源效率意味著需要減少能源消耗，但這不應(yīng)以需要大量能源且污染重的生產(chǎn)過(guò)程為代價(jià)。Driche 首席技術(shù)官稱(chēng)，"制備金剛石晶圓的過(guò)程比制備SiC晶圓造成的二氧化碳排放少到20倍。SiC需要幾天的高達(dá)2,700攝氏度的高溫，而合成金剛石晶圓的CVD技術(shù)所用的溫度只有其三分之一" 。

  功率器件 材料 芯片 金剛石

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• 發(fā)布了文章 2023-11-21 15:33

  印度首個(gè)360千瓦超級(jí)充電站由CHARGE+ZONE建成

  

  首批超級(jí)充電站計(jì)劃于2023年11月在孟買(mǎi)和維洛爾的CCD啟用。這些站點(diǎn)配備了180千瓦雙槍充電器和360千瓦電源柜。這是該技術(shù)首次在印度引入。CHARGE+ZONE的超級(jí)充電器旨在將交流（AC）轉(zhuǎn)換為直流（DC），直接向電動(dòng)汽車(chē)電池提供高功率直流電壓和電流，以實(shí)現(xiàn)快速充電。

  充電站 太陽(yáng)能 電動(dòng)汽車(chē)

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• 發(fā)布了文章 2023-11-20 14:11

  人工智能如何影響芯片制造業(yè)?

  

  在硅催化器(Silicon Catalyst)年度半導(dǎo)體行業(yè)論壇上，一組半導(dǎo)體公司資深人士上周在加利福尼亞州門(mén)洛帕克進(jìn)行了討論，探討了人工智能將如何以及何時(shí)徹底改變芯片設(shè)計(jì)的方式，以及所謂的“人工智能奇境”將會(huì)有多么異樣。

  人工智能 模擬電路 芯片

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• 發(fā)布了文章 2023-11-20 14:10

  MOSFET創(chuàng)新助力汽車(chē)電子功率密度提升

  

  隨著汽車(chē)行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來(lái)的是，增加的電子設(shè)備使得汽車(chē)對(duì)電力運(yùn)作的需求日益攀升，這無(wú)疑對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。

  MOSFET 汽車(chē)電子 電子設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2023-11-17 18:01

  電流傳感在清潔能源的未來(lái)之路

  

  電流傳感器為清潔能源系統(tǒng)提供精確的電能監(jiān)控和管理，這對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效能源轉(zhuǎn)換和分配是至關(guān)重要的。隨著這項(xiàng)技術(shù)的進(jìn)一步創(chuàng)新和改進(jìn)，電流傳感器將持續(xù)推動(dòng)風(fēng)能、太陽(yáng)能及水力發(fā)電等各種清潔能源形式的發(fā)展，進(jìn)一步為我們構(gòu)建一個(gè)可持續(xù)的未來(lái)確立堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

  電流傳感器 碳中和 能源

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• 發(fā)布了文章 2023-11-17 18:00

  為什么制造半導(dǎo)體需要如此多的水？

  

  建立半導(dǎo)體工廠需要大面積的土地、大量的能源以及高精度的機(jī)械設(shè)備。由于芯片工廠的復(fù)雜性不斷增加，美國(guó)國(guó)會(huì)為提升國(guó)家的技術(shù)獨(dú)立性，已經(jīng)撥款超過(guò)500億美元用于美國(guó)國(guó)內(nèi)芯片生產(chǎn)的提升。半導(dǎo)體工廠是一個(gè)巨大的資源黑洞，數(shù)不清的資源都向其在涌入，其中水資源也是半導(dǎo)體工廠極其需要的。

  半導(dǎo)體 機(jī)械設(shè)備 芯片

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• 發(fā)布了文章 2023-11-16 15:53

  SiC驅(qū)動(dòng)模塊的應(yīng)用與發(fā)展

  

  SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車(chē)的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天等領(lǐng)域。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和成本的降低，SiC驅(qū)動(dòng)器模塊將進(jìn)一步提升性能，擴(kuò)大市場(chǎng)份額，并推動(dòng)下一代功率器件的發(fā)展。

  SiC SiC模塊 驅(qū)動(dòng)器

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