動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-12-04 16:02

  博通斥資690億美元收購VMware后全球裁員已超2800人

  

  來自VMware內(nèi)部的消息透露，裁員總數(shù)可能在1萬至2萬之間。許多裁員是階段性進(jìn)行的，時間跨度可能長達(dá)9個月。VMware的超過3.8萬名員工遍布全球各地，所以博通收購VMware交易后的裁員將會產(chǎn)生全球影響。

  VMware 博通

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• 發(fā)布了文章 2023-12-04 16:01

  汽車電氣化需求正在刺激封裝技術(shù)創(chuàng)新

  

  現(xiàn)代的汽車已由復(fù)雜的機(jī)械系統(tǒng)逐漸演變?yōu)閺?fù)雜的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。文章著重探討了整合大量電子控制單元（ECUs）和轉(zhuǎn)向區(qū)域架構(gòu)的挑戰(zhàn)和創(chuàng)新，關(guān)注點(diǎn)在于封裝創(chuàng)新如何釋放這場科技革命的潛力。如今的汽車已不再是我們熟悉的傳統(tǒng)車輛，它們更像是一臺裝有輪子的電子設(shè)備。

  封裝技術(shù) 電動汽車 電氣化

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• 發(fā)布了文章 2023-12-01 17:49

  碳化硅開啟功率半導(dǎo)體的新時代

  

  隨著電動汽車和充電站對高電壓和在高溫惡劣環(huán)境下工作的要求日益加大，碳化硅（SiC）因其制造和包裝成本高昂，推廣初期步履蹣跚。然而情況正在改變，根據(jù)PowerAmerica首席技術(shù)官Victor Veliadis介紹，目前SiC電力模塊的價格已經(jīng)與硅基模塊持平，這進(jìn)一步促進(jìn)了供應(yīng)合作以及新的SiC工廠的建造。

  SiC 半導(dǎo)體 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2023-12-01 17:48

  中國長鑫存儲自主研發(fā) LPDDR5 完成

  

  長鑫存儲最近在其官網(wǎng)上宣布，已研發(fā)出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片，并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5及DSC封裝的6GB LPDDR5等一系列產(chǎn)品。該產(chǎn)品代表最新一代的低功耗 DRAM(Low-Power DDR5 DRAM)，相比上一代 LPDDR4X，新一代 LPDDR5 的容量和速度提高了50%，容量

  DRAM LPDDR5 芯片 長鑫存儲

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• 發(fā)布了文章 2023-12-01 17:46

  碳化硅的超強(qiáng)性能

  

  電力半導(dǎo)體的進(jìn)步并不完全取決于節(jié)點(diǎn)尺寸的減小。硅電力開關(guān)，如MOSFETs和IGBTs，被設(shè)計(jì)用來處理12V到+3.3kV的電壓和數(shù)百安培的電流。這些開關(guān)管理著大量的電力！然而，他們的能力有限，這正推動著新材料如碳化硅（SiC）的開發(fā)。在這種材料中，電子開始自由運(yùn)動需要的能量是普通硅的三倍。這種更寬的帶隙賦予了材料一些有趣的特性，如更快的開關(guān)速度和更高的功率

  IGBT MOSEET SiC

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• 發(fā)布了文章 2023-12-01 17:45

  中國TCL集團(tuán)縮減其芯片設(shè)計(jì)的野心

  

  電視面板制造商TCL科技集團(tuán)有限公司已關(guān)閉了一家專門設(shè)計(jì)顯示驅(qū)動芯片的子公司，退出了利潤空間正在縮小的市場領(lǐng)域：位于廣東省的總公司解散了Mooresilicon這個子公司，這是一家擁有不到100人的團(tuán)隊(duì)。這一舉動對TCL科技的整體芯片發(fā)展策略影響甚微，公司仍在設(shè)計(jì)電源芯片。電源芯片是電子系統(tǒng)中控制電流流動的關(guān)鍵組件，它們被廣泛應(yīng)用于從手機(jī)到電動車的各種產(chǎn)品中

  TCL 芯片 芯片設(shè)計(jì) 驅(qū)動芯片

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• 發(fā)布了文章 2023-12-01 14:56

  LG電子將進(jìn)軍美國電動車充電市場

  

  LG電子計(jì)劃于2024年發(fā)布其首批交流和直流電動車充電站產(chǎn)品線，進(jìn)軍美國迅速擴(kuò)張的電動車充電器市場。正如LG商業(yè)解決方案美國公司的高級副總裁Nicolas Min所述，該產(chǎn)品線將包括2級和3級電動車(EV)充電器。這一發(fā)展將為各市、商業(yè)機(jī)構(gòu)和其他公共場所提供新的機(jī)會，通過自主運(yùn)營的充電站助力美國的電氣化進(jìn)程。

  LG 充電樁 電動汽車

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• 發(fā)布了文章 2023-12-01 14:54

  SiCMOSFET和IGBT在短路時的對比

  

  基于溝道的硅碳功率金氧半場效應(yīng)晶體管（MOSFETs）為電力轉(zhuǎn)換開關(guān)設(shè)備的性能優(yōu)化系數(shù)（FOM）帶來了顯著提升。這讓系統(tǒng)性能得以凸顯，提高了多種應(yīng)用的效率和功率密度，并降低了整體系統(tǒng)的成本。

  FOM MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2023-11-30 16:14

  三菱電機(jī)與Nexperia共同開啟硅化碳功率半導(dǎo)體開發(fā)

  

  三菱電機(jī)公司宣布將與Nexperia B.V.結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同為電力電子市場開發(fā)硅碳（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其廣帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開發(fā)SiC分立器件。

  LG Nexperia 三菱 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2023-11-30 16:12

  SiC MOS 、IGBT和超結(jié)MOS對比

  

  在經(jīng)過多年的技術(shù)積累后，硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強(qiáng)大的擊穿場和較低的損耗特性，逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前，它們主要用于以絕緣柵雙極晶體管（IGBT）為主導(dǎo)的鍵合部件領(lǐng)域。然而，在當(dāng)今功率設(shè)備的大格局中，SiC MOSFET到底扮演了何種角色？

  IGBT MOSFET SiC

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