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深圳市致知行科技有限公司

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深圳市致知行科技有限公司文章

  • 9.3.2 正向阻斷模式和觸發(fā)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-27 01:09

    9.3.2正向阻斷模式和觸發(fā)9.3晶閘管第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300Pt
    碳化硅 798瀏覽量
  • 10.1.10 憶阻器(Memristor)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-27 01:07

    Memristor審稿人:北京大學(xué)楊雪https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)F
    集成電路 憶阻器 963瀏覽量
  • 9.3.1 正向?qū)J?isin;《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-26 01:13

    9.3.1正向?qū)J剑?3晶閘管第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPHi
    碳化硅 764瀏覽量
  • 10.1.9 阻變隨機存儲器(RRAM)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-26 01:11

    ResistiveSwitchingRandomAccessMemory(RRAM)審稿人:北京大學(xué)蔡一茂https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCU
    存儲器 806瀏覽量
  • 9.3 晶閘管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-25 01:06

    9.3晶閘管第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPHi3518EV300Hi
    SiC 747瀏覽量
  • 10.1.8 相變存儲器(PCRAM)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-25 01:04

    Phase-changeRandomAccessMemory審稿人:北京大學(xué)蔡一茂方亦陳https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、
    存儲器 726瀏覽量
  • 10.1.7 自旋轉(zhuǎn)移力矩磁隨機存儲器(STT-MRAM)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-24 18:31

    Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory(STT-MRAM)審稿人:北京大學(xué)蔡一茂陳青鈺https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FP
    存儲器 924瀏覽量
  • 9.2.4 器件參數(shù)的溫度特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-24 18:29

    9.2.4器件參數(shù)的溫度特性9.2絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微
    元器件 晶體管 1442瀏覽量
  • 9.2.3 開關(guān)特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-24 16:57

    9.2.3開關(guān)特性9.2絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK720
    開關(guān) 907瀏覽量
  • 10.1.6 磁阻式隨機存儲器∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-03-24 16:55

    MagnetoresistiveRandomAccessMemory(MRAM)審稿人:北京大學(xué)蔡一茂王宗巍https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MC
    存儲器 623瀏覽量
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