９.２.３ 開關(guān)特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
開關(guān)
+關(guān)注
關(guān)注
20文章
3322瀏覽量
98498
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
安森美1700V碳化硅肖特基二極管NDSH10170A的特性與應用
碳化硅肖特基二極管——NDSH10170A。 文件下載： NDSH10170A-D.PDF 碳化硅肖特基二極管的技術(shù)優(yōu)勢 碳化硅肖特基二極管采用了全新的
《氧化鋁、碳化硅、氮化硅，誰才是工業(yè)陶瓷老大？》
如果非要在氧化鋁、碳化硅和氮化硅這三大工業(yè)陶瓷中選出一個“老大”，我們不妨借用一個形象的比喻來理解它們各自的“江湖地位”：坐鎮(zhèn)中樞的氧化鋁是“丞相”，攻城拔寨的碳化硅是“征北大將軍”，而銳不可當
發(fā)表于 04-29 07:23
技術(shù)突圍與市場破局：碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的氮化硅陶瓷升級路徑
耐火材料與純碳化硅材料面臨極限挑戰(zhàn)時，氮化硅陶瓷的技術(shù)指標為這一領(lǐng)域提供了更具針對性的升級方案。
一、產(chǎn)品細節(jié)：氮化硅陶瓷的技術(shù)優(yōu)勢
針對
發(fā)表于 03-20 11:23
碳化硅MOS管測試技術(shù)及儀器應用（上）
碳化硅（SiC）MOS管作為寬禁帶半導體的核心器件，憑借高耐壓、高頻化、低損耗及耐高溫特性，在新能源汽車、光伏逆變、工業(yè)電源等領(lǐng)域逐步替代傳統(tǒng)硅基IGBT器件。精準的測試
高功率密度碳化硅MOSFET軟開關(guān)三相逆變器損耗分析
MOSFET 逆變器的功率密度，探討了采用軟開關(guān)技術(shù)的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關(guān)頻率下的零電壓開關(guān)三相逆變器及硬
發(fā)表于 10-11 15:32
?38次下載
[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向
一、引言
碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。總厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標，其精確測量對保障
![[新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測量<b class='flag-5'>技術(shù)</b>的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向](https://file1.elecfans.com/web3/M00/20/D6/wKgZPGhd-raAI0RYAACIgEePWXY565.png)
Wolfspeed碳化硅技術(shù)實現(xiàn)大規(guī)模商用
的專利申請量就增長了約 200%。Wolfspeed 強大的知識產(chǎn)權(quán)組合支撐著材料和器件方面的關(guān)鍵突破，這些突破使得碳化硅 (SiC) 技術(shù)得以實現(xiàn)大規(guī)模商用。
【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長工藝參
碳化硅功率器件的基本特性和主要類型
隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的半導體材料，正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性，成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中不可或缺的重要組成部分。本文將探討
數(shù)明半導體SiLM27531H柵極驅(qū)動器在碳化硅器件中的應用
碳化硅 MOSFET 憑借顯著的開關(guān)性能優(yōu)勢，在許多大功率應用中得到青睞。然而它的特性要求柵極驅(qū)動電路有較高要求，以優(yōu)化碳化硅器件的
碳化硅器件的應用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下
碳化硅晶圓特性及切割要點
01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光
簡述碳化硅功率器件的應用領(lǐng)域
碳化硅（SiliconCarbide,SiC）是一種新興的半導體材料，因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性，正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅（Si）材料，成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效
基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應用
。其中，關(guān)斷損耗（Eoff）作為衡量器件開關(guān)性能的重要指標，直接影響著系統(tǒng)的效率、發(fā)熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性，深入探討其
碳化硅MOS驅(qū)動電壓如何選擇
碳化硅MOS驅(qū)動電壓選擇15V還是18V，是電力電子設計中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對器件的導通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
評論