10.1.6 磁阻式隨機(jī)存儲器∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
Magnetoresistive Random Access Memory（MRAM）
審稿人：北京大學(xué) 蔡一茂 王宗巍
https://www.pku.edu.cn
審稿人：北京大學(xué) 張興
10.1 非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件
第10章 集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展
《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
存儲器
+關(guān)注
關(guān)注
39文章
7761瀏覽量
172287
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
相變存儲器 (PCM) 技術(shù)介紹
PCM（Phase-Change Memory 相變存儲器）屬于新型電阻式存儲器，其存儲元件工作原理及對 CMOS 工藝集成度的影響，與浮柵
發(fā)表于 04-29 15:58
SDRAM工業(yè)動態(tài)隨機(jī)存儲器在可編程邏輯控制器(PLC)的應(yīng)用
，SDRAM工業(yè)動態(tài)隨機(jī)存儲器憑借其高速同步讀寫、寬溫工作及長期可靠等優(yōu)勢，正在成為PLC設(shè)計中的關(guān)鍵存儲組件。
串行mram磁性隨機(jī)存儲器的工作原理與存儲機(jī)制
在存儲器技術(shù)不斷演進(jìn)的今天，MRAM磁性隨機(jī)存儲器憑借其獨特的非易失性、高速讀寫與高耐久性，正成為越來越多高端應(yīng)用場景的理想選擇。尤其是串行MRAM磁性隨機(jī)
Infineon CY15X108QN：低功耗鐵電隨機(jī)存儲器的卓越之選
Infineon CY15X108QN：低功耗鐵電隨機(jī)存儲器的卓越之選 在各類電子設(shè)備中，存儲器的性能直接影響著設(shè)備的運行效率和數(shù)據(jù)安全性。英飛凌（Infineon）的CY15X108QN系列8Mb
串行NETSOL自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲器STT-MRAM
S3A3204R0M是自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲器(STT-MRAM)。它具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPI(串行外設(shè)接口)是帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號
DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DDR2 SDRAM內(nèi)存解決方案
在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域，DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器始終是電子設(shè)備性能的核心支撐。作為存儲解決方案的重要組成部分，DDR2 SDRAM內(nèi)存解決方案憑借其高效的數(shù)據(jù)處理能力和穩(wěn)定的運行表現(xiàn)，廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、工業(yè)控制及嵌入
【「芯片設(shè)計基石——EDA產(chǎn)業(yè)全景與未來展望」閱讀體驗】--全書概覽
國內(nèi)集成電路設(shè)計EDA行業(yè)領(lǐng)頭羊一員，以實事求是、開拓創(chuàng)新，積極進(jìn)取精神 向讀者展現(xiàn)講解，也是在激勵集成電路EDA產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展壯大，勇立潮頭。
發(fā)表于 01-18 17:50
【「龍芯之光 自主可控處理器設(shè)計解析」閱讀體驗】--全書概覽與概述
等)之間傳送信息的公共通信干線，它由總線控制器及導(dǎo)線組成。
內(nèi)存一般采用同步動態(tài)隨機(jī)存儲器(SDRAM)實現(xiàn)。SDRAM是一種與CPU內(nèi)核同步的動態(tài)隨機(jī)
發(fā)表于 01-18 12:58
煥新啟航·品質(zhì)躍升 IICIE國際集成電路創(chuàng)新博覽會，構(gòu)建全球集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)平臺
為積極響應(yīng)國家集成電路創(chuàng)新發(fā)展戰(zhàn)略部署，加快推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展生態(tài)，原“SEMI-e深圳國際半導(dǎo)體展暨集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展”正式升級為“
DDR SDRAM是什么存儲器(雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器介紹)
在計算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲器扮演著數(shù)據(jù)臨時存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器
雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器存儲原理
在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器憑借其獨特的雙端口設(shè)計，在高帶寬和多
stt-marm存儲芯片的結(jié)構(gòu)原理
在存儲技術(shù)快速演進(jìn)的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRA
QSPI PSRAM偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器選型攻略
QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲功能的高效芯片。QSPI（四線串行外設(shè)接口）是一種高速串行通信接口，用于連接外部設(shè)備；而PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器）則結(jié)合了快速隨
集成電路封裝類型介紹
在智能終端輕薄化浪潮中，集成電路封裝正面臨"尺寸縮減"與"管腳擴(kuò)容"的雙重擠壓——處理器芯片為處理海量并行數(shù)據(jù)需新增數(shù)百I/O接口，而存儲器卻保持相對穩(wěn)定
簡單認(rèn)識高帶寬存儲器
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。其核心設(shè)計是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
評論