英飛凌工業(yè)半導體文章

• 新品 | 搭載2.2kV整流器的EconoPIM™ 3模塊 - FP75R17N3E4_B202025-12-08 17:04

  

  新品搭載2.2kV整流器的EconoPIM3模塊-FP75R17N3E4_B20FP75R17N3E4_B20是一款EconoPIM3IGBT模塊，采用TRENCHSTOPIGBT4技術、發(fā)射極控制4代（EC4）二極管并集成NTC。該模塊適用于690V驅動系統(tǒng)，通過內置2.2kV整流器和制動斬波器，降低系統(tǒng)成本。產品型號：■FP75R17N3E4_B20產品

  pim 整流器 848瀏覽量

• 深入解析IPM器件數據手冊中的電流定義：Ic、Icp、Io(peak)和Io(rms)2025-12-03 17:07

  

  在設計和應用IPM器件時，電流參數是影響性能的關鍵指標之一。然而，不同電流參數的含義可能會對應用設計產生重要影響。本文將詳細解析IPM數據手冊中常見的幾種電流定義，包括IC、ICP、IO(peak)和IO(RMS)的具體意義、測試條件及其設計建議。為了更清晰地展示各電流參數的定義及其在實際應用中的差異，下面提供了一張直觀的圖示供參考：1IC：額定連續(xù)集電極電

  IPM 數據手冊 電流 英飛凌 7497瀏覽量

• 英飛凌與陽光同行，助力第十一屆高校電力電子應用設計大賽完美收官2025-12-01 12:04

  

  2025年11月5-7日，作為中國大學電力電子應用設計大賽的一部分，第十一屆“英飛凌杯”先進功率轉換技術大賽決賽和“陽光杯”新能源和儲能大賽決賽在廣東深圳市舉行。這項久負盛名的比賽由英飛凌冠名贊助，自2015年以來由中國電源學會主辦，是中國電力電子行業(yè)最高級別的學生比賽。觀看了解活動精彩片段其中，“陽光杯”比賽的核心是使用英飛凌最新的WBG器件設計用于儲能的

  電力電子 英飛凌 轉換器 824瀏覽量

• 英飛凌3.3kV SiC XHP2模塊：重新定義高壓牽引系統(tǒng)的性能標桿2025-11-27 17:29

  

  在軌道交通、風電變流器等高壓大功率應用中，提升功率密度和系統(tǒng)效率是關鍵挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)硅基IGBT模塊雖成熟可靠，但受限于材料特性，難以滿足高頻、高效的新需求。英飛凌推出的3.3kVCoolSiCMOSFETXHP2模塊，結合創(chuàng)新的“.XT互連技術”，為高壓牽引系統(tǒng)提供了更高性能的解決方案。模塊核心優(yōu)勢：性能與可靠性01高電流密度與低損耗額定電流1000A，導通電

  MOSFET 牽引系統(tǒng) 英飛凌 1598瀏覽量

• 英飛凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎2025-11-26 09:32

  

  11月25日，英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半導體/驅動器獎項，再次彰顯英飛凌在功率半導體領域的卓越實力和領先地位。英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務市場經理劉倩出席頒獎典禮并領獎英飛凌EconoDUAL3CoolSiC

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• 新品 | 采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列2025-11-24 17:05

  

  新品采用.XT擴散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及EasyPACK1C1200V13mΩ四單元模塊，搭載第二代CoolSiCMOSFET技術，集成NTC溫度傳感器，采用大電流PressFIT引腳，并預涂2.0代導熱界面材料。產品型號：■F4

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• 應用實例——如何解決雙管反激變換器中的關斷電壓不均衡2025-11-20 17:04

  

  反激變換器作為電源產品中幾乎不可缺少的一個拓撲，從事電力電子產品開發(fā)的工程師是相當的熟悉，尤其是單管反激變換器，更是工程師從小白開始修煉的起點，萬丈高樓平地起嘛。在經典的單管反激變換器上，又衍生出各種各樣的變化，開關方式從硬開關變化為準諧振（QR），有源鉗位(ACF)，零電壓開通（ZVS）等，以及拓撲的演變，從單管反激變?yōu)殡p管反激。簡單講，這些演變都是基于經

  關斷電壓 反激變換器 變換器 電源產品 7160瀏覽量

• 新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V，TO-247PLUS-4回流焊封裝2025-11-17 17:02

  

  新品第二代CoolSiCMOSFETG21400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiCMOSFETG21400V功率器件，是電動汽車充電、儲能系統(tǒng)、工業(yè)變頻器等大功率輸出應用的理想選擇。第二代1400VCoolSiCMOSFET前沿技術具有前沿性，可顯著提升熱管理性能、功率密度及系統(tǒng)可靠性。其封裝支持回流

  MOSFET SiC 回流焊 1526瀏覽量

• ANPC拓撲調制策略特點及損耗分析(下)2025-11-12 17:02

  

  上篇（ANPC拓撲調制策略特點及損耗分析(上)）我們討論了ANPC的基本原理，換流路徑及調制策略，本文通過PLECS仿真工具來分析在不同的調制方式和工況下ANPC各位置芯片的開關狀態(tài)和損耗分布情況。ANPC-PWM1設計實例由于不同特性和規(guī)格的芯片各自靜態(tài)和動態(tài)參數不同，使用相規(guī)格的芯片便于分析損耗分布，在這里選用Econodual3半橋模塊FF900R12

  ANPC PCS 芯片 1082瀏覽量

• 英飛凌攜手SolarEdge共同推進AI數據中心高效電力基礎設施的發(fā)展2025-11-07 13:21

  

  英飛凌攜手SolarEdge，推動面向人工智能（AI）及超大規(guī)模數據中心的新一代高效固態(tài)變壓器（SST）技術發(fā)展。全新的固態(tài)變壓器（SST）專為實現在中壓至800–1500伏直流電（DC）轉換而設計，其轉換效率超過99%，同時減小設備體積、降低重量，并有效減少了碳排放足跡。此次合作將SolarEdge在直流電（DC）領域的專業(yè)技術與英飛凌的半導體創(chuàng)新相結合，

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