英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 新品 | 采用半橋架構(gòu)的 1ED3330MC12M 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)的評估板設(shè)計(jì)2026-01-07 17:06

  

  新品采用半橋架構(gòu)的1ED3330MC12M隔離式柵極驅(qū)動(dòng)的評估板設(shè)計(jì)該評估板用于在半橋配置下評估1ED3330MC12M隔離柵極驅(qū)動(dòng)芯片與分立功率開關(guān)。該評估板搭載兩枚1ED3330MC12M芯片，并采用2EP130R變壓器驅(qū)動(dòng)芯片構(gòu)建隔離式板載電源。板上預(yù)留兩個(gè)TO247-4封裝的IMZC120R012M2HCoolSiC1200VSiCMOSFET位置（

  變壓器 評估板 驅(qū)動(dòng)芯片 1247瀏覽量

• 重磅干貨 | 英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體年度十大熱門技術(shù)文章2026-01-05 17:14

  

  1英飛凌IGBT7系列芯片大解析IGBT7從2019年問世至今，從首發(fā)的T7，到成為擁有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。這幾大系列之間，究竟有何區(qū)別？它們各自的適用領(lǐng)域又都在哪里？今天這篇文章就帶大家一起來解析一下。2IGBT的電流是如何定義的英飛凌IGBT模塊型號(hào)上

  工業(yè)半導(dǎo)體 英飛凌 1126瀏覽量

• 新品 | 采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC™ 1400V MOSFET G22026-01-04 17:06

  

  新品采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC1400VMOSFETG2CoolSiC1400VMOSFETG2器件采用TO-247-4引腳封裝，兼具前沿的SiC技術(shù)與高爬電距離的堅(jiān)固封裝特性。該器件支持直流母線電壓超過1000V的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，既為現(xiàn)有應(yīng)用提供額外的電壓裕量與增強(qiáng)的可靠性，又能實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)速度，從而提升系統(tǒng)效率。其引腳與現(xiàn)有封裝完

  MOSFET SiC 工業(yè) 1229瀏覽量

• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 400V與440V第二代器件2025-12-31 09:05

  

  新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢，同時(shí)有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V與440V碳化硅MOSFET可在兩電平和三電平的硬開關(guān)與軟開關(guān)拓?fù)渲?，提供卓越的功率密度和系統(tǒng)效率，主要面向人工智能服務(wù)器電源、開關(guān)電源、電機(jī)控制、可再生能源與儲(chǔ)能

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• 年終盤點(diǎn)：2025載譽(yù)而歸，2026蓄力向新2025-12-30 09:04

  

  在2025年行業(yè)和科技浪潮中，英飛凌再次憑借卓越技術(shù)、創(chuàng)新產(chǎn)品與優(yōu)質(zhì)服務(wù)，于客戶與行業(yè)層面收獲滿滿、載譽(yù)而歸。英飛凌始終堅(jiān)持以客戶為中心，將客戶的需求作為業(yè)務(wù)發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。這一年的客戶信賴與行業(yè)認(rèn)可。不僅是對過往努力的高度肯定，更激勵(lì)著全體英飛凌人在2026年新征程蓄力向新，砥礪前行。*以下獎(jiǎng)項(xiàng)排名不分先后大洋電機(jī)：30周年特別貢獻(xiàn)獎(jiǎng)德業(yè)科技：2025年

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• 年終盤點(diǎn)：英飛凌2025年碳化硅領(lǐng)域重磅產(chǎn)品與技術(shù)驚艷亮相2025-12-23 18:04

  

  歲末將至，回顧2025年科技領(lǐng)域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績斐然，憑借一系列創(chuàng)新產(chǎn)品與前沿技術(shù)，為行業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力，成為行業(yè)矚目的焦點(diǎn)。小編貼心地按照產(chǎn)品發(fā)布和技術(shù)發(fā)布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點(diǎn)產(chǎn)品，方便各位看官全方位了解，咱們這就開整！01產(chǎn)品發(fā)布：多元布局，精準(zhǔn)覆蓋多領(lǐng)域需求1CoolSiCMOSFETG21200V和1400V單管：多種封

  SiC 碳化硅 英飛凌 756瀏覽量

• 頂部散熱封裝QDPAK安裝指南2025-12-22 18:26

  

  由于QDPAK封裝是英飛凌新一代大功率產(chǎn)品的表貼頂部散熱產(chǎn)品，其安裝方式有所不同，所以針對其安裝方式做一些詳細(xì)的介紹。如下圖，英飛凌針對600V以上高壓器件推出了HDSOP封裝系列(D-DPAK,TOLT,及QDPAK)。如下圖列出了該系列已發(fā)布的封裝型號(hào)及其關(guān)鍵參數(shù)信息。所有封裝均具有統(tǒng)一的2.3mm標(biāo)準(zhǔn)本體厚度，這一特性使得不同分立器件（如650V碳化硅

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• QDPAK頂部散熱封裝簡介2025-12-18 17:08

  

  QDPAK頂部散熱器件是一種表貼器件產(chǎn)品。相對于傳統(tǒng)表貼產(chǎn)品只能從底部進(jìn)行散熱的方式，頂部散熱器件分離了電氣路徑和熱流路徑，尤其適合在高功率密度的應(yīng)用，如AI服務(wù)器電源和車載充電器等應(yīng)用。而英飛凌不久前推出的QDPAK封裝也是目前英飛凌量產(chǎn)的封裝中最大尺寸的頂部散熱產(chǎn)品。QDPAK封裝目前包含600V，650V，750V，1200V電壓等級的SiCMOSFE

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• 新聞速遞丨英飛凌高功率碳化硅技術(shù)升級優(yōu)化，助力 Electreon 動(dòng)態(tài)無線充電道路系統(tǒng)升級2025-12-15 17:17

  

  動(dòng)態(tài)無線充電道路系統(tǒng)可在客車與卡車行駛于道路及高速公路上時(shí)為其充電英飛凌定制碳化硅模塊可大幅提高功率密度，使電動(dòng)汽車搭載更小的電池，實(shí)現(xiàn)24小時(shí)全天候運(yùn)行動(dòng)態(tài)無線充電道路系統(tǒng)解決方案是減少交通運(yùn)輸領(lǐng)域碳排放的一項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）將為領(lǐng)先的電動(dòng)汽車（EV）無線充電解決方案提供商Electreon（TA

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• 來看看你上榜了嗎？第三屆電力電子科普作品創(chuàng)作大賽獲獎(jiǎng)公布2025-12-13 08:49

  

  電力電子技術(shù)，這一在新能源發(fā)電、輸配電及高效用電領(lǐng)域扮演著舉足輕重角色的科技力量，憑借高效的功率變換技術(shù)，不僅推動(dòng)了生產(chǎn)活動(dòng)的綠色節(jié)能轉(zhuǎn)型，更讓我們的生活變得更加舒適便捷，出行方式也更加環(huán)保無憂。為此，中國電源學(xué)會(huì)科普工作委員會(huì)與英飛凌科技（中國）有限公司共同主辦了第三屆電力電子科普作品創(chuàng)作大賽，鼓勵(lì)用多種形式、多個(gè)角度詮釋電力電子極其相關(guān)技術(shù)的應(yīng)用，讓更多

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