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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

同名公眾號(hào)致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、技術(shù)和應(yīng)用的交流平臺(tái),包括工程師應(yīng)用知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)分享,在線課程、研討會(huì)視頻集錦。

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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

  • 英飛凌為世界注入無限綠色能源,助力零碳轉(zhuǎn)型2023-04-03 16:52

    聚焦“碳中和”,探討運(yùn)用創(chuàng)新技術(shù),以可持續(xù)的發(fā)展方式為世界節(jié)能減排的IICShanghai2023近日在上海舉辦。陳立烽英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)高級(jí)技術(shù)總監(jiān)英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)高級(jí)技術(shù)總監(jiān)陳立烽受邀出席“2023'碳中和'暨綠色能源電子產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展高峰論壇”發(fā)表主題演講,深入淺出地分享英飛凌如何“為世界注入無限綠色能源”。美好明
    能源 英飛凌 1201瀏覽量
  • 新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H72023-03-28 16:41

    新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7,TO-247封裝分立器件,旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。產(chǎn)品特點(diǎn)得益于著名的英飛凌出色VCEsat特性TRENCHSTOP技術(shù)高速開關(guān),低EMI輻射針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用的優(yōu)化二極管,實(shí)現(xiàn)了低Qrr可選擇較低的柵極電阻(低至5Ω),同時(shí)保持出色的開
    1200V IGBT 1681瀏覽量
  • 是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎?2023-03-28 16:41

    作者簡介作者:UweJansen翻譯:陳子穎在過去的幾年里,碳化硅(SiC)開關(guān)器件,特別是SiCMOSFET,已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏(PV)逆變器和電池電動(dòng)車(BEV)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中采用,但現(xiàn)在,越來越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都必須評(píng)估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力,以及利用這一潛力的最佳策略是什么
    SiC 碳化硅 1017瀏覽量
  • 新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S72023-03-28 16:41

    新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7,TO-247封裝分立器件,可快速、方便地替換上一代T2芯片產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號(hào):IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE
    IGBT 分立器件 2442瀏覽量
  • 新品 | X3 Compact POLARIS 1ED314x - 6.5A, 3kVrms單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器2023-03-28 16:41

    新品X3CompactPOLARIS(1ED314x)-6.5A,3kV(rms)單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器X3Compact(1ED31xx)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器系列,容易使用,最近發(fā)布的柵極驅(qū)動(dòng)器系列又增加了一個(gè)新的產(chǎn)品系列,DSO-8150mil窄體封裝(1ED314x),帶一個(gè)米勒鉗位選項(xiàng)。相關(guān)器件:1ED3140MU12F1ED3141MU12F1ED3142
  • SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)2023-03-28 16:40

    原文標(biāo)題:PracticalAspectsandBodyDiodeRobustnessofa1200VSiCTrenchMOSFET原文作者:ThomasBasler原文發(fā)表在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異,PracticalAspectsandBod
    MOSFET SiC 2335瀏覽量
  • 新品 | 光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模塊2023-03-28 16:40

    新品光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊,采用M1H芯片,導(dǎo)通電阻8-17毫歐五個(gè)規(guī)格,PressFIT壓接針和NTC。產(chǎn)品型號(hào):DF17MR12W1M1HDF16MR12W1M1HDF14MR12W1M1HDF11MR12W1M1HDF8MR12W1M1H產(chǎn)品特點(diǎn)Best-
    光伏 模塊 1236瀏覽量
  • HV SJ MOSFET工作在第三象限時(shí)電流路徑探究2023-03-15 22:10

    熊康明英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部主任工程師1引言相信各位工程師在日常的電源設(shè)計(jì)中,當(dāng)面對(duì)ZVS的場(chǎng)景時(shí),經(jīng)常會(huì)有如下的困惑:比如大名鼎鼎的LLC,工作在死區(qū)時(shí),MOSFET寄生二極管續(xù)流,當(dāng)完成了對(duì)結(jié)電容的充放電之后,再打開MOSFET以降低器件的損耗。細(xì)心的工程師可能就會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)有趣的問題,我們這里拿IPW60R024CFD7舉例說明,假設(shè)死區(qū)時(shí)刻,流過二
    MOSFET 二極管 電流 3293瀏覽量
  • 新品 | EVAL-IMI111T-026 iMOTION™帶有微控制器、柵極驅(qū)動(dòng)器的2A 600V IPM評(píng)估板2023-03-15 22:10

    新品EVAL-IMI111T-026iMOTIONiMOTION集成了電機(jī)控制器、三相柵驅(qū)動(dòng)器2A600VIPM評(píng)估板,目標(biāo)應(yīng)用為家用空調(diào)室內(nèi)風(fēng)機(jī),吊扇和小電機(jī)驅(qū)動(dòng)。產(chǎn)品型號(hào):EVAL-IMI111T-026,2A600VIPM的評(píng)估板EVAL-IMI111T-026是一個(gè)用于iMOTIONIMI111T-026HIPM的啟動(dòng)套件。IMI111T-026H器
  • 如何通過改進(jìn)IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)2023-03-15 22:09

    作者簡介作者:JanBaurichter翻譯:趙佳尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí)--這是我們行業(yè)中不斷強(qiáng)調(diào)的目標(biāo)之一--你不可避免地會(huì)降低功率。但情況一定是這樣嗎?如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設(shè)計(jì)上,就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中,芯片面積減小導(dǎo)致了熱阻抗的增加,進(jìn)而影響性能。但是,由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間,因此有可
    IGBT 芯片 1797瀏覽量
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