深圳市浮思特科技有限公司文章

• 英飛凌2024年MCU市場(chǎng)份額飆升，首次奪得全球微控制器市場(chǎng)首位2025-03-12 11:42

  

  近日，根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia發(fā)布的最新報(bào)告，英飛凌科技公司(InfineonTechnologiesAG)在2024年的微控制器(MCU)市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將達(dá)到21.3%，相比2023年的17.8%增長(zhǎng)了3.5個(gè)百分點(diǎn)。這一顯著的增長(zhǎng)幅度使英飛凌在同業(yè)中成為增幅最大的企業(yè)，并且標(biāo)志著其在公司歷史上首次在全球微控制器市場(chǎng)登頂。微控制器是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件，

  mcu 微控制器 英飛凌 1272瀏覽量

• 突破電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)的技術(shù)瓶頸：先進(jìn)的SiC溝槽技術(shù)2025-03-12 11:40

  

  隨著汽車市場(chǎng)向主流采用加速，電力電子技術(shù)已成為創(chuàng)新的基石，推動(dòng)了卓越的性能和效率。在這一技術(shù)演變的前沿，碳化硅(SiC)功率模塊作為一項(xiàng)關(guān)鍵進(jìn)展，重新定義了電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)的能力。電動(dòng)汽車的日益普及依賴于延長(zhǎng)車輛續(xù)航里程和降低電池成本。這可以通過(guò)減少能量損失和提升逆變器中功率模塊的緊湊性來(lái)實(shí)現(xiàn)。由于SiC功率器件能夠?qū)崿F(xiàn)比傳統(tǒng)硅基器件更低的能量損失，因此它們引起

  SiC 動(dòng)力系統(tǒng) 電動(dòng)汽車 1342瀏覽量

• 英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET，助力低地球軌道應(yīng)用2025-03-11 11:39

  

  英飛凌(Infineon)近日宣布，擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長(zhǎng)的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間”應(yīng)用提供高效、可靠的功率器件方面邁出了重要一步。隨著航天技術(shù)的迅猛發(fā)展，LEO衛(wèi)星星座和其他空間系統(tǒng)的部署需求持續(xù)上升。為了成功實(shí)施這些次世代項(xiàng)目，工程師們需要

  MOSFET 英飛凌 1016瀏覽量

• 智能計(jì)算新紀(jì)元：具記憶功能的晶體管問(wèn)世2025-03-11 11:34

  

  在當(dāng)今電子工業(yè)中，對(duì)更快、更高效組件的需求巨大，以滿足現(xiàn)代計(jì)算的需要。傳統(tǒng)晶體管正逐漸達(dá)到其物理和操作極限，它們?cè)跀?shù)據(jù)中心中消耗大量能源和空間，尤其是在需要數(shù)十億個(gè)晶體管來(lái)存儲(chǔ)和處理數(shù)據(jù)的場(chǎng)景下。隨著數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的急劇增長(zhǎng)，這種方法變得不可持續(xù)。來(lái)自約翰霍普金斯大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)了一種新型記憶電阻器(memristor)，能夠擁有更豐富的記憶，提升其效率。該研究

  晶體管 智能計(jì)算 電阻器 929瀏覽量

• Marvell展示2納米芯片3D堆疊技術(shù)，應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)復(fù)雜性挑戰(zhàn)！2025-03-07 11:11

  

  隨著現(xiàn)代科技的迅猛發(fā)展，芯片設(shè)計(jì)面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。特別是在集成電路(IC)領(lǐng)域，隨著設(shè)計(jì)復(fù)雜性的增加，傳統(tǒng)的光罩尺寸已經(jīng)成為制約芯片性能和功能擴(kuò)展的瓶頸。為了解決這一問(wèn)題，3D堆疊技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)的重要手段。近期，Marvell公司在這一領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展，展示了其采用臺(tái)積電最新2納米制程的矽智財(cái)(IP)解決方案，用于AI和云端基礎(chǔ)設(shè)施芯片

  Marvell 臺(tái)積電 芯片設(shè)計(jì) 1276瀏覽量

• SiC與GaN技術(shù)專利競(jìng)爭(zhēng)：新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機(jī)遇2025-03-07 11:10

  

  在過(guò)去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢(shì)，如降低功率損耗、更高的開(kāi)關(guān)速度以及能夠在高溫下工作，使其特別適用于電動(dòng)汽車(EV)、可再生能源系統(tǒng)和先進(jìn)通信技術(shù)等應(yīng)用。專利申請(qǐng)通常是一個(gè)領(lǐng)域研發(fā)和商業(yè)活動(dòng)水平的有力指標(biāo)。從圖1可以看出，SiC和GaN基礎(chǔ)的電力電子技術(shù)的專利申請(qǐng)趨勢(shì)在過(guò)去十年

  GaN SiC 氮化鎵 1187瀏覽量

• 三星電子成功研發(fā)量子耐性安全芯片S3SSE2A 應(yīng)對(duì)未來(lái)網(wǎng)絡(luò)安全挑戰(zhàn)2025-03-05 13:56

  

  近日，三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部宣布成功研發(fā)出一款名為S3SSE2A的安全芯片，以應(yīng)對(duì)不斷發(fā)展的量子電腦技術(shù)所帶來(lái)的網(wǎng)絡(luò)安全威脅。這款芯片不僅已完成樣品出貨準(zhǔn)備，更在行業(yè)內(nèi)率先采用了量子耐性口令(PQC)技術(shù)，標(biāo)志著三星在移動(dòng)產(chǎn)品安全領(lǐng)域的又一重要進(jìn)展。量子計(jì)算機(jī)的快速發(fā)展正在對(duì)傳統(tǒng)的公鑰加密(PKC)技術(shù)構(gòu)成嚴(yán)重威脅。現(xiàn)有的加密算法，如RSA和ECC等，在面

  三星電子 網(wǎng)絡(luò)安全 量子芯片 1293瀏覽量

• 詳解晶閘管工作原理，全面掌握開(kāi)關(guān)控制技術(shù)2025-03-05 13:53

  

  晶閘管是具有雙穩(wěn)態(tài)行為的三端電子元件?？刂贫朔Q為“門極”(G)。另外兩個(gè)端子，陽(yáng)極(A)和陰極(K)，與負(fù)載串聯(lián)導(dǎo)通電流，并且能夠承受高電壓。這些元件被用作電子開(kāi)關(guān)。簡(jiǎn)介晶閘管用于直流和交流電路中的開(kāi)關(guān)和功率控制電路。與晶體管不同，大多數(shù)晶閘管的門極信號(hào)可以移除，它們?nèi)詴?huì)保持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管設(shè)計(jì)用于處理高電流和高電壓，甚至超過(guò)1kV或100A。它們是具有四個(gè)

  二極管 控制電路 晶閘管 電子元件 4669瀏覽量

• 浮思特 | 直流(DC)電源的基礎(chǔ)知識(shí)與應(yīng)用解析2025-03-04 11:44

  

  直流(DC)電源是電氣和電子電路中的基本組件，提供恒定的電位差，驅(qū)動(dòng)單向電流流動(dòng)。與周期性變化極性的交流電(AC)源不同，直流電壓源保持穩(wěn)定的輸出，這使其在廣泛的應(yīng)用中不可或缺。常見(jiàn)的例子包括電池、太陽(yáng)能電池和直流電源，它們?yōu)閺男⌒碗娮釉O(shè)備到大型工業(yè)系統(tǒng)的各種設(shè)備提供能量。這些電源在為設(shè)備供電方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，確保在需要穩(wěn)定電壓的電路中可靠運(yùn)行。除了

  電子設(shè)備 直流電源 2715瀏覽量

• 全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)250億美元！2025-03-04 11:42

  

  根據(jù)YoleGroup最近公布的市場(chǎng)預(yù)測(cè)，全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)到2030年的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到約250億美元。這一預(yù)測(cè)顯示了化合物半導(dǎo)體行業(yè)在未來(lái)幾年的快速擴(kuò)張潛力，特別是在汽車和移動(dòng)出行領(lǐng)域的應(yīng)用。YoleGroup指出，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2024年至2030年間以接近13%的復(fù)合年增長(zhǎng)率迅速增長(zhǎng)。這一增長(zhǎng)主要得益于多個(gè)因素的驅(qū)動(dòng)，包括電動(dòng)汽車的普及、智能

  SiC 化合物半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 1540瀏覽量