不同芯片工作電壓的MCU之間如何串口通信
電路設(shè)計其實也可以很有趣。先說一說這個電路的用途：當(dāng)兩個MCU在不同的工作電壓下工作（如MCU1 工....
臺積電先進(jìn)制程和封裝改進(jìn)功率、性能和面積
臺積電是全球排名第一的半導(dǎo)體代工企業(yè)，他們的開放式創(chuàng)新平臺 (OIP) 活動很受歡迎，參加人數(shù)也很多....
看一下EUV光刻的整個過程
EUV 光刻是以波長為 10-14nm 的極紫外光作為光源的芯片光刻技術(shù)，簡單來說，就是以極紫外光作....
灌封膠的定義及作用 灌封工藝步驟
灌封膠用于電子元器件的粘接，密封，灌封和涂覆保護(hù)，在未固化前屬于液體狀，具有流動性，膠液黏度根據(jù)產(chǎn)品....
半導(dǎo)體封裝是指什么？封裝過程是如何完成的
半導(dǎo)體封裝是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。
發(fā)展功率半導(dǎo)體，IDM模式為王
功率半導(dǎo)體行業(yè)在電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展中占據(jù)重要地位，主要用于電力設(shè)備的電能轉(zhuǎn)換和電路控制，是進(jìn)行電能處理的核....
AMD Giglio DPU計劃于2023年推出
從那以后，AMD 收購了 Pensando 的 DPU ，我們終于開始了解顯卡的更多細(xì)節(jié)。現(xiàn)在是 A....
混合模擬數(shù)位IC當(dāng)?shù)?，模擬芯片市場的「4個最」
通訊領(lǐng)域每年有15億支手機(jī)需求，市場規(guī)模穩(wěn)定，約可造就300億美元的模擬(射頻前端、電源)芯片產(chǎn)值，....
基于RISC-V技術(shù)的用于太空任務(wù)的下一代高可靠性處理器
Microchip 通過收購 Atmel 和 Microsemi 以及在法國的空間設(shè)計團(tuán)隊，從豐富的....
硅光芯片如何連接到GPU？
我們隨后了解到 Dally 在 OFC 2022 上所做的上述演示，該演示非常具體地概述了使用密集波....
巨頭眼里的存儲技術(shù)路線圖
根據(jù)Gartner，Inc.的調(diào)查結(jié)果，2021全球半導(dǎo)體收入總計5950億美元，比2020年增長2....
一文搞懂MOSFET
功率半導(dǎo)體器件在工業(yè) 、消費 、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用 ，具有很高的戰(zhàn)略地位，下面我們從一張圖看功....
淺談臺積電放棄450mm晶圓的背后原因
蔣尚義認(rèn)為450mm會占用臺積電太多的研發(fā)人員，削弱其在其他領(lǐng)域追求技術(shù)進(jìn)步的能力。然而，研發(fā)預(yù)算更....
BMS中的主要芯片包括哪些？
AFE（模擬前端，Analog Front End Front End）是包含傳感器接口、模擬信號調(diào)....
晶體管的誕生及應(yīng)用介紹
硅晶體管的發(fā)展導(dǎo)致更多基于硅的晶體管的發(fā)明，例如金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。第一個 MO....
MOS管入門知識匯總
MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場效應(yīng)晶體....
如何驗證GaN的可靠性
氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）正迅速獲得采用，因為它能夠提高效率并縮小電源供應(yīng)器尺寸。不過，....
基于p型V-WSe2和n型MoS2的可編程FET的異質(zhì)集成
CMOS技術(shù)是無數(shù)現(xiàn)代電子產(chǎn)品、儀器和計算工具的大腦。60多年來，CMOS技術(shù)在性能、能效和單位功能....
日本氧化鎵的新進(jìn)展
FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3....
基于Arm內(nèi)核的MCU
該芯片支持多種協(xié)議的能力可能是其最重要的特性。它支持符合IEC 60802工業(yè)自動化標(biāo)準(zhǔn)的最新一代 ....
2D材料工業(yè)化的需求
盡管如此，當(dāng)今技術(shù)的現(xiàn)實情況是，2D材料只在實驗室中少量配備，以支持學(xué)術(shù)研究。與其急于發(fā)表另一篇關(guān)于....
光刻路線圖中的光刻部分介紹
我們所知道的第一個半導(dǎo)體路線圖可能是摩爾觀察到的，以他為名字的“摩爾定律”預(yù)計，芯片的計算能力隨著時....
MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外....
基于EDA仿真驗證進(jìn)行IGBT芯片研發(fā)的方法使用
IGBT是綜合MOS管和雙極型晶體管優(yōu)勢特征的一種半導(dǎo)體復(fù)合器件，作為功率半導(dǎo)體分離器件的代表，廣泛....
分享一下從PN結(jié)到IGBT的機(jī)理，掌握基礎(chǔ)
此時P區(qū)多子“空穴”在電場的作用下向N區(qū)運動，N區(qū)多子電子相反，使耗盡層變窄至消失，正向?qū)щ奜K，也....
先進(jìn)封裝已成為半導(dǎo)體越來越普遍的主題
芯片上數(shù)據(jù)的輸入和輸出 (IO) 是計算的命脈。將內(nèi)存置于芯片上有助于通過減少通信開銷來減少 IO ....
半導(dǎo)體工業(yè)的環(huán)境可持續(xù)性：日益增長的優(yōu)先事項
在FEOL中，F(xiàn)inFET已經(jīng)成為7nm技術(shù)節(jié)點的主流設(shè)備架構(gòu)，這是目前用于芯片生產(chǎn)最先進(jìn)的節(jié)點。對....
砷化鎵是什么？砷化鎵的制造流程
砷化鎵可在一塊芯片上同時處理光電數(shù)據(jù)，因而被廣泛應(yīng)用于遙控、手機(jī)、DVD計算機(jī)外設(shè)、照明等諸多光電子....
芯耀輝加入UCIe產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟
今年3月，芯片制造商英特爾、臺積電、三星聯(lián)合日月光、AMD、ARM、高通、谷歌、微軟、Meta（Fa....
