關(guān)于MOS-AK Peking 器件模型國際會議的分析和介紹
如果您是設(shè)計公司，通過參加這個活動，就能了解到為什么自己的產(chǎn)品和其他公司沒有在一個起跑線上。如果您是....
關(guān)于中興通訊被制裁事件的分析介紹
模型從業(yè)者的商業(yè)模式?jīng)Q定了規(guī)模不可能大，而且是以研發(fā)為主，所以沒有國家支持是很難生存下去的。美國的C....
關(guān)于歐盟項目TARANTO的分析和介紹
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈很長，每個產(chǎn)品牽涉很多知識，所以XMOD也一直通過在參與歐盟項目的同時，把那些愿意把技術(shù)....
關(guān)于AI背景下的on-chip ESD (靜電保護）需求分析和應(yīng)用
ofics 的on-chip ESD 覆蓋目前主流工藝，應(yīng)用也非常廣泛，除了上面的人工智能，硅光電，....
關(guān)于先進節(jié)點和特殊應(yīng)用下的On-chip ESD 研討會的分析和介紹
在和英國IP 供應(yīng)商Moortec，和Icsense三方的合作中，Sofics 成功得在28nm, ....
回顧關(guān)于MOS-AK北京器件模型會議邀請報告分析和發(fā)展介紹
半導(dǎo)體所的文章，首先回顧第一性原理（密度泛函理論）來計算納米電子，通過對二維（2D）材料為基礎(chǔ)的亞1....
回顧關(guān)于MOS-AK 北京器件模型會議可靠性報告的發(fā)展
FinFET和FDSOI是先進的工藝技術(shù)節(jié)點采用的新的器件創(chuàng)新來繼續(xù)保持摩爾定律。在這些器件結(jié)構(gòu)中，....
回顧MOS-AK 北京器件模型國際會議的主要內(nèi)容和主題
當(dāng)然，MOS-AK會議前期的培訓(xùn)部分也非常精彩，6月14日，Dr. Franz Sischka 的R....
關(guān)于用于功率和射頻的氮化鎵(GaN)的分析介紹和應(yīng)用
對于電容參數(shù)的描述，ASM GaN 是應(yīng)用場效應(yīng)板來解決的。當(dāng)然，模型開發(fā)出來后，需要和真正的器件進....
關(guān)于Fraunhofer IAF W-band LNA 芯片的性能分析和應(yīng)用介紹
總的來說，這款LNA的芯片在NF方面的表現(xiàn)是非常不錯，對于其應(yīng)用還是非常廣泛的, 比如風(fēng)力發(fā)電中玻璃....
關(guān)于GaN微波器件大信號模型及其應(yīng)用和發(fā)展分析
然而上述兩種模型為了達到大信號特性高精度，仍舊需要引入較多的擬合參數(shù)，加大了模型參數(shù)提取的難度和模型....
關(guān)于SiGe HBT 技術(shù)和應(yīng)用的未來分析和介紹
在雷達應(yīng)用這塊， 除了早已上市的77-78，79-81GHz雷達，主用于ADAS。同時94GHz雷達....
關(guān)于鍺硅工藝的建模，設(shè)計和應(yīng)用分析和介紹
下午，主要由來自Silicon Radar的設(shè)計主管Dr. Wojciech Debski 帶來基于....
關(guān)于Graphcore 采用Sofics 16nm FinFET ESD 解決方案的介紹和分析
無論是0.18um CMOS還是12nm FinFet并不重要，設(shè)計公司將始終受益于更短的開發(fā)時間，....
關(guān)于SiGe HBT工藝120GHz超寬帶芯片SPEC的性能分析和應(yīng)用
122 GHz收發(fā)雷達前端（RFE）主要應(yīng)用領(lǐng)域是在短程/高分辨雷達系統(tǒng)，范圍高達約7米。通過使用附....
關(guān)于歐盟項目Kamerad的分析和介紹
作為歐盟項目自動駕駛相關(guān)項目的活躍合作伙伴Silicon Radar, 將在6月20日的MOS-AK....
回顧MOS-AK成都器件模型國際會議的內(nèi)容介紹
成都電子科技大學(xué)團隊的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團隊在這方面所做的努力和成績。在先進節(jié)點方面....
