瑞薩電子用于開發(fā)智能手機(jī)光學(xué)圖像防抖系統(tǒng)的固件和開發(fā)工具2015年11月25日，日本東京訊——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）于今日宣布推出功能先進(jìn)的光學(xué)圖像防抖器（OIS）驅(qū)動(dòng)器IC RAA305315GBM，該器件可使先進(jìn)智能手機(jī)的攝像頭進(jìn)行高精度、廣范圍的定位。
2015-12-10 09:38:23
2529 概述：PC318C046EQ 是一款高性能、高可靠性的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,穩(wěn)健可靠的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)同時(shí)擁有高運(yùn)行速度和低功耗特性，并且可提供從控制輸入邏輯到高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的干凈電平轉(zhuǎn)換。該器件內(nèi)置VDD
2025-08-21 15:48:19
通訊應(yīng)用使用基于半橋、全橋或同步降壓功率拓?fù)涞碾娫茨K。這些拓?fù)涫褂?b class="flag-6" style="color: red">高性能半橋驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高頻操作和高效率。半橋柵極驅(qū)動(dòng)器采用的技術(shù)已在業(yè)界成功應(yīng)用了數(shù)十年，UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
在2023年上半年發(fā)布包含新柵極驅(qū)動(dòng)IC的版本。瑞薩電子汽車模擬應(yīng)用特定業(yè)務(wù)部副總裁大道昭表示：“瑞薩很高興面向車載應(yīng)用推出具有高隔離電壓和卓越CMTI性能的第二代柵極驅(qū)動(dòng)IC。我們將繼續(xù)推動(dòng)針對(duì)電動(dòng)車
2023-02-15 11:19:05
瑞薩電子與3db Access合作推出安全超寬帶解決方案
2021-02-05 07:05:13
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
PC318C046EQ 是一款高性能、高可靠性的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,穩(wěn)健可靠的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)同時(shí)擁有高運(yùn)行速度和低功耗特性，并且可提供從控制輸入邏輯到高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的干凈電平轉(zhuǎn)換。該器件內(nèi)置VDD欠壓鎖定和輸入直通防止功能
2025-12-05 11:18:21
100kV/μs CMTI確保在48V輕混系統(tǒng)等共模噪聲場(chǎng)景下的信號(hào)完整性。該器件憑借車規(guī)級(jí)溫度范圍與雙安全認(rèn)證，成為高可靠性工業(yè)電源及新能源汽車電力電子系統(tǒng)的優(yōu)選驅(qū)動(dòng)方案。
#SLMi823x #SLMi8233DDCG-DG #半橋驅(qū)動(dòng) #死區(qū)控制 #隔離驅(qū)動(dòng)器 #Nsi6602CDWR
2025-06-21 09:44:16
在高電壓開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，選擇一款耐壓可靠、抗干擾性強(qiáng)且兼容性好的半橋驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要SiLM2004ECA-DG 正是為應(yīng)對(duì)此類挑戰(zhàn)而生的高性能解決方案。采用專有高壓IC工藝和鎖存免疫CMOS技術(shù)
2025-07-30 08:49:53
SiLM2024CA-DG是一款采用先進(jìn)HVIC和鎖存免疫CMOS技術(shù)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)器，專為功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。支持高達(dá)200V的工作電壓，提供290mA/600mA的非對(duì)稱驅(qū)動(dòng)
2025-11-22 10:50:13
在醫(yī)療設(shè)備、機(jī)器人關(guān)節(jié)或自動(dòng)化裝置中，驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和可靠性同樣關(guān)鍵。SiLM2026EN-DG半橋門極驅(qū)動(dòng)器，在僅3mm x 3mm的極小封裝內(nèi)，提供了200V的耐壓和高效的驅(qū)動(dòng)能力。它旨在
2025-12-27 09:27:00
在高壓功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，一款性能穩(wěn)定、兼容性強(qiáng)的半橋驅(qū)動(dòng)器對(duì)系統(tǒng)可靠性至關(guān)重要。SiLM2186CA-DG 正是為此設(shè)計(jì)的優(yōu)秀產(chǎn)品，該芯片采用SOP8封裝，提供獨(dú)立的高邊和低邊驅(qū)動(dòng)通道，直接
2025-08-23 09:36:06
SiLM2234 600V半橋門極驅(qū)動(dòng)器，支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力，專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，內(nèi)部集成自舉二極管，顯著簡(jiǎn)化外部電路設(shè)計(jì)，具備優(yōu)異的抗負(fù)向
2025-09-11 08:34:41
600V、4A/4A 半橋門極驅(qū)動(dòng)SiLM2285，超強(qiáng)抗干擾、高效驅(qū)動(dòng)、高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)三大核心優(yōu)勢(shì)，解決工業(yè)開關(guān)電源、電機(jī)拖動(dòng)、新能源逆變及儲(chǔ)能設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)難題，實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
、4A輸出的半橋門極驅(qū)動(dòng)器，旨在通過增強(qiáng)抗擾性、提升驅(qū)動(dòng)效率并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，幫助工程師更穩(wěn)妥地駕馭MOSFET和IGBT，確保系統(tǒng)在高功率場(chǎng)景下穩(wěn)定運(yùn)行。產(chǎn)品主要特性：
寬工作電壓范圍：可承受高達(dá)600V
2025-12-23 08:36:15
600V/4A/4A半橋門極驅(qū)動(dòng)器（SOP8封裝），正是為解決這些難題而生，為工業(yè)與新能源應(yīng)用提供高效、可靠的驅(qū)動(dòng)解決方案。核心技術(shù)突破，直擊行業(yè)痛點(diǎn)：
超強(qiáng)抗干擾能力： 卓越的抗負(fù)向瞬態(tài)電壓與dV/dt
2025-08-08 08:46:25
電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景提供高性能、高可靠性的單芯片解決方案。
核心技術(shù)創(chuàng)新與優(yōu)勢(shì)：
高度集成，極致簡(jiǎn)化
單芯片集成 8路獨(dú)立半橋驅(qū)動(dòng)、寬范圍電源管理、寬共模電流檢測(cè)放大器（支持高/低邊采樣）及全鏈路保護(hù)電路
2025-07-09 09:16:52
）”、“智能自適應(yīng)柵極控制”、“全面的診斷保護(hù)機(jī)制” 以及 “優(yōu)化的熱設(shè)計(jì)”。對(duì)于開發(fā)車身域控、座椅、門窗、尾門等系統(tǒng)的工程師而言，它是實(shí)現(xiàn)精簡(jiǎn)、可靠、高性能驅(qū)動(dòng)方案的優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)化器件。#SiLM92108 #SiLM92108-232EW-AQ #半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 #直流電機(jī) #電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2025-07-31 08:46:17
SiLM94112MG-AQ一款高度集成化的12通道半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，專為驅(qū)動(dòng)多種類型電機(jī)或負(fù)載而設(shè)計(jì)，集成了12個(gè)獨(dú)立的半橋驅(qū)動(dòng)、豐富的保護(hù)監(jiān)控功能和SPI通信接口，并通過了AEC-Q100車規(guī)認(rèn)證
2025-11-07 10:24:33
深度解析一款在電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域極具競(jìng)爭(zhēng)力的高性能隔離驅(qū)動(dòng)芯片：SiLM8263BAHB-DG 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器專為應(yīng)對(duì)高功率密度、高可靠性應(yīng)用的嚴(yán)苛要求而設(shè)計(jì)。核心亮點(diǎn)與關(guān)鍵特性：
強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)
2025-08-16 09:18:54
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對(duì)最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
概述：（兼用UCC27301A-Q1）PC1209是一款半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器，具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A，能夠最小化開關(guān)損耗地驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET。高側(cè)和低側(cè)兩個(gè)通道完全獨(dú)立，其導(dǎo)
2025-03-03 11:27:14
描述PMP10645 參考設(shè)計(jì)適合使用反激式電源來驅(qū)動(dòng)半橋的 SM74101 mosfet 驅(qū)動(dòng)器。SM74101 是一款體積很小的 7A mosfet 驅(qū)動(dòng)器，支持 3A 拉電流和 7A 灌電流
2018-12-21 11:39:19
穩(wěn)壓器，可以解決負(fù)電壓操作期間柵極過充電的風(fēng)險(xiǎn)。這會(huì)產(chǎn)生定義明確且受到可靠保護(hù)的柵極驅(qū)動(dòng)器電壓?！ D 4：MDC901 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器的框圖。 圖 5：MDC901 100V 半橋評(píng)估
2023-02-24 15:09:34
闡述這些設(shè)計(jì)理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動(dòng)器(如圖1所示)以極性相反的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器的功能是驅(qū)動(dòng)上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導(dǎo)通損耗，同時(shí)通過快速開關(guān)時(shí)間降低開關(guān)損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力?！ 〔捎霉怦詈?b class="flag-6" style="color: red">器隔離的基本半橋驅(qū)動(dòng)器（如圖1所示）以極性相反的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
怎么實(shí)現(xiàn)MOSFET的半橋驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-10-11 07:18:56
求教各位大佬：MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)芯片空載時(shí)為什么HO和LO都沒有輸出波形？最近我在做D類放大，由于是分模塊做的，半橋驅(qū)動(dòng)芯片沒有與mosfet相連，是空載。當(dāng)我把pwm波輸入半橋驅(qū)動(dòng)芯片后，半橋驅(qū)動(dòng)器HO和LO無輸出。調(diào)試了半天也沒發(fā)現(xiàn)問題。各位大佬如果知道的話，請(qǐng)指點(diǎn)下小弟。萬分感謝?。?！
2018-04-09 23:54:28
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
TFB0504是一個(gè)半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝，使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-27 17:01:42
TFB0527是一個(gè)半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝，使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-28 17:08:12
加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2008 年 6 月 12 日 – 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4446，用來驅(qū)動(dòng)雙晶
2008-06-30 10:51:211191 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444-5 的高可靠性 (MP) 級(jí)新版本，該器件是一個(gè)高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，以在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)高端和
2008-12-09 02:33:472132 
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司今天宣布，推出業(yè)界首款針對(duì)高壓電源轉(zhuǎn)換器的增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)而優(yōu)化的100V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
2011-06-23 09:34:582066 本文將詳細(xì)闡述實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。
2012-12-17 15:12:468864 
近日，德州儀器（TI）推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器可提供先進(jìn)的電源保護(hù)和控制。
2016-02-22 11:22:431517 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231789 隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器可用于許多應(yīng)用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長(zhǎng)期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計(jì)理念，探索隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。
2017-02-09 17:40:113617 
許多應(yīng)用都采用隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長(zhǎng)期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計(jì)理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。
2017-02-10 07:57:418497 
美國(guó)馬薩諸塞州伍斯特市 – Allegro MicroSystems，LLC宣布推出兩款全新N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器IC，能夠控制以半橋配置連接的MOSFET。Allegro的A4926
2017-08-02 18:37:072161 The MP18024 is a high-frequency， 100V， halfbridge， N-channel， power MOSFET driver. Its lowside
2017-09-12 11:07:03
35 隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器可用于許多應(yīng)用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長(zhǎng)期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計(jì)理念，探索隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。
2019-02-23 10:53:588351 
以光耦合器和其他分立式解決方案為參照，了解基于iCoupler?數(shù)字隔離器技術(shù)的ADuM3223和ADuM4223隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器如何簡(jiǎn)化強(qiáng)大的半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)。
2019-07-29 06:14:003151 達(dá)拉斯， 2月。 1,2016 //PRNewswire/- 德州儀器（TI）（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）今日推出首款用于高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高端FET驅(qū)動(dòng)器，提供先進(jìn)的功率保護(hù)
2019-08-07 15:12:184706 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-18 22:10:113 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:081 LT1336：帶升壓穩(wěn)壓器的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:12:341 LT1158：半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:194 隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器用于許多應(yīng)用，從需要高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長(zhǎng)期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器。本文將詳細(xì)討論這些設(shè)計(jì)概念，探討隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案提供高性能和小尺寸解決方案的能力。
2023-01-17 11:08:464711 
帶有額定電壓為160V的2ED2748S01G（3x310引腳DFN封裝）半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，可驅(qū)動(dòng)12個(gè)額定電壓為100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N
2024-03-13 08:13:071575 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成自舉二極管的100V、1.2A 至 5A半橋GaN驅(qū)動(dòng)器LMG1205數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 09:25:540 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《穩(wěn)健、緊湊型 100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器LM5108數(shù)據(jù)表 .pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 13:57:230 強(qiáng)茂推出最新的60V、100V和150V車規(guī)級(jí)MOSFET，此系列專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供優(yōu)異性能和效率。
2024-05-23 11:42:492164 
今日，南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出車規(guī)級(jí) 8 通道半橋驅(qū)動(dòng)器 SC77708Q，可驅(qū)動(dòng)多達(dá) 16 個(gè)外部 N 溝通 MOSFET，支持 24 位 SPI（串行外設(shè)接口）或最高
2024-07-18 16:06:041760 新品650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號(hào)
2024-07-27 08:14:36869 
半橋驅(qū)動(dòng)器是一種在電力電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的電路驅(qū)動(dòng)器，主要用于控制電機(jī)、電源轉(zhuǎn)換和其他負(fù)載設(shè)備。以下是對(duì)半橋驅(qū)動(dòng)器的詳細(xì)解析，包括其定義、工作原理及相關(guān)應(yīng)用。
2024-08-28 15:07:487769 半橋驅(qū)動(dòng)器和全橋驅(qū)動(dòng)器是電力電子領(lǐng)域中兩種常見的電路驅(qū)動(dòng)器，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著差異。
2024-08-28 15:16:079344 LN4203 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓半橋驅(qū)動(dòng)器，具有高低邊輸出，用來驅(qū)動(dòng)半橋電路中的兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4203 的輸入信號(hào)兼容 CMOS
2024-09-05 15:29:024 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高性能柵極驅(qū)動(dòng)器IC，可用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高邊和低邊N溝道MOSFET。這些驅(qū)動(dòng)器包含車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)版本，性能上兼具高電流輸出和出色的動(dòng)態(tài)性能，可大幅提高應(yīng)用效率和魯棒性。
2024-11-20 17:23:411292 LN4304 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的200V 高壓半橋驅(qū)動(dòng)器，具有高低邊輸出，用來驅(qū)動(dòng)半橋電路中的兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4304 的輸入信號(hào)兼容 CMOS
2024-12-23 17:08:1120 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半橋驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-03 16:19:416 近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957 
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子，近日宣布了一項(xiàng)重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1，成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET：RBA300N10EANS
2025-01-22 17:04:06992 LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) 100V GaN FET 組成，由一個(gè)高頻 90V GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，采用半橋配置。
2025-02-21 09:19:40908 
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) 100V GaN FET 組成，由一個(gè)高頻 90V GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，采用半橋配置。
2025-02-21 09:28:211064 MP1918 是一款 100V 半橋驅(qū)動(dòng)器，用于在半橋或同步應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)具有低柵極閾值電壓的增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 或 N 通道 MOSFET。 *附件：MP2797 中文數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
2025-03-01 15:41:061649 
LM5108 是一款高頻半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，最大開關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS） 額定電壓為 100V。它允許在基于半橋配置的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中控制兩個(gè) N 溝道 MOSFET，例如同步降壓、全橋、有源鉗位正激、LLC 和同步升壓。
2025-05-24 14:57:00612 
LM5109B 器件是一款高性價(jià)比的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) 同步降壓或半橋中的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET 配置。浮動(dòng)的 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 90 V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過
2025-05-21 10:16:27870 
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 10:47:03623 
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 11:03:26709 
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 11:18:26797 
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 13:37:44622 
LM5109A 是一款經(jīng)濟(jì)高效的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) 高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET，采用同步降壓或半橋配置。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 90V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過 TTL
2025-05-21 14:03:18647 
LM5109 是一款低成本高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電源軌電壓下工作。輸出由 TTL 兼容輸入閾值
2025-05-21 14:26:131046 
LM5107 是一款低成本、高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng)高壓側(cè) 以及采用同步降壓或半橋配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。這 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過
2025-05-21 14:49:34640 
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 14:57:44696 
LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓
2025-05-21 15:25:58695 
Analog Devices Inc. LTC7068 150V半橋驅(qū)動(dòng)器是一款半橋雙N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，在高達(dá)150V的輸入電壓下工作，具有獨(dú)立于電源的三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入邏輯
2025-06-06 10:29:16714 
Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款柵極驅(qū)動(dòng)器，在高達(dá)100V的輸入電壓下工作，具有獨(dú)立于電源的三態(tài)PWM輸入邏輯。強(qiáng)大的1.3Ω下拉和1.6
2025-06-06 16:00:49911 
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動(dòng)器是一款100V器件，集成了頂部和底部驅(qū)動(dòng)器級(jí)、驅(qū)動(dòng)器邏輯控制和保護(hù)功能。該驅(qū)動(dòng)器可配置為同步半橋、全橋拓?fù)浠蚪祲?、升壓和降?升壓
2025-06-10 14:27:00831 
Analog Devices Inc. LTC7063半橋驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用半橋配置的N溝道MOSFET，供電電壓高達(dá)140V。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器可以通過提供瞬態(tài)抗擾度和噪聲來驅(qū)動(dòng)具有不同接地
2025-06-14 16:36:57831 
Texas Instrument LM2005半橋柵極驅(qū)動(dòng)器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。集成自舉二極管無需外部分立二極管，從而節(jié)省了電路板空間并降低了系統(tǒng)成本。
2025-08-08 14:36:111002 
Texas Instruments LM2103半橋驅(qū)動(dòng)器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋或同步降壓配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。INL反相輸入允許驅(qū)動(dòng)器用于雙或單PWM輸入應(yīng)用。
2025-08-15 15:03:49915 
Texas Instruments DRV8952 55V四通道半橋驅(qū)動(dòng)器是一款適用于各種工業(yè)應(yīng)用的寬電壓、高功率、四通道半橋驅(qū)動(dòng)器。該器件支持高達(dá)55V的電源電壓，集成式MOSFET具有50m
2025-08-26 13:41:09602 
Texas Instruments DRV8962 65V 4通道半橋驅(qū)動(dòng)器是一款適用于各種工業(yè)應(yīng)用的寬電壓、高功率、四通道半橋驅(qū)動(dòng)器。該器件支持高達(dá)65V的電源電壓，具有50ΩmΩ導(dǎo)通電阻的集成式MOSFET允許DDW封裝的每路輸出產(chǎn)生高達(dá)5A的電流，允許PWP封裝的每路輸出產(chǎn)生高達(dá)4A的電流。
2025-08-26 14:25:08843 
Texas Instruments DRV8770 100V有刷直流柵極驅(qū)動(dòng)器搭載有兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)都能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成的自舉二極管和外部電容器為高側(cè)MOSFET
2025-09-28 09:53:04391 
UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，適用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個(gè)接地基準(zhǔn)通道 （LO） 和一個(gè)浮動(dòng)通道 （HO
2025-10-10 15:05:041378 
DRV8770器件提供兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，而 GVDD 驅(qū)動(dòng)低側(cè) MOSFET 的柵極。柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的柵極驅(qū)動(dòng)電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20525 
DRV8300是100V三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300D使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。該
2025-10-14 15:30:54801 
STMicroelectronics STDRIVEG610半橋柵極驅(qū)動(dòng)器是高性能設(shè)備，專為在各種電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET或IGBT設(shè)計(jì)。STMicroelectronics
2025-10-17 14:12:56390 
PC318C013EQ 是一款高性能、高可靠 性的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，穩(wěn)健可靠的電平轉(zhuǎn)換技 術(shù)同時(shí)擁有高運(yùn)行速度和低功耗特性，并且可 提供從控制輸入邏輯到高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的干凈 電平轉(zhuǎn)換。該器件內(nèi)置
2025-12-05 15:39:410 PC318C041EQ 是一款高性能、高可靠 性的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，穩(wěn)健可靠的電平轉(zhuǎn)換技 術(shù)同時(shí)擁有高運(yùn)行速度和低功耗特性，并且可 提供從控制輸入邏輯到高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的干凈 電平轉(zhuǎn)換。該器件內(nèi)置
2025-12-05 15:47:550 PC318C042NM 是一款高性能、高可靠 性的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，穩(wěn)健可靠的電平轉(zhuǎn)換技 術(shù)同時(shí)擁有高速度和低功耗特性，并且可提供 從控制輸入邏輯到高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的干凈電平 轉(zhuǎn)換。芯片內(nèi)置 VDD
2025-12-05 16:18:470 PC318C046EQ 是一款高性能、高可靠 性的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)健可靠的電平轉(zhuǎn)換技術(shù) 同時(shí)擁有高運(yùn)行速度和低功耗特性，并且可提 供從控制輸入邏輯到高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的干凈 電平轉(zhuǎn)換。該器件內(nèi)置 VDD
2025-12-05 17:38:010 在電子工程領(lǐng)域，高效且可靠的MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)器對(duì)于各類應(yīng)用至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor的NCV7546，一款屬于FLEXMOS汽車級(jí)產(chǎn)品家族的可編程六通道半橋MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-08 16:49:21618 
2ED1322S12M/2ED1321S12M：1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電力電子領(lǐng)域，對(duì)于IGBT或SiC MOSFET功率器件的高效控制一直是工程師們關(guān)注的焦點(diǎn)。今天，我們就來
2025-12-20 11:30:021309
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