LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅動器設計用于驅動 采用同步降壓或半橋配置的高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET。 浮動高壓側驅動器能夠在高達 100 V 的電源電壓下工作。The A 版本提供完整的 3A 柵極驅動，而 B 和 C 版本提供 2 A 和 1A、 分別。輸出由 CMOS 輸入閾值 （LM5100A/B/C） 或 TTL 輸入閾值 （LM5101A/B/C）。
*附件：lm5100b.pdf

提供集成高壓二極管，用于為高側柵極驅動自舉充電 電容器。堅固的電平轉換器以高速運行，同時功耗低，并提供 從 Control Logic 到 Highside 柵極驅動器的 Clean Level 轉換。欠壓鎖定 在低側和高側電源軌上均提供。這些設備在 標準 SOIC-8 引腳、SO PowerPAD-8 引腳和 WSON-10 引腳封裝。LM5100C 和 LM5101C 是 還提供 MSOP-PowerPAD-8 封裝。LM5101A 還提供 WSON-8 引腳 包。

特性

• 驅動高側和低側 N 溝道
  MOSFET
• 獨立的高電平和低電平驅動器邏輯輸入
• 自舉電源電壓高達 118 V DC
• 快速傳播時間（典型值為 25ns）
• 以 8ns 的上升和下降
  時間驅動 1000pF 負載
• 出色的傳播延遲匹配（典型值為 3ns
  ）
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 引腳兼容 HIP2100/HIP2101

參數(shù)

方框圖

一、產品概述

LM0B 是一款高電壓、高側和低側柵極驅動器，設計用于驅動同步降壓或半橋配置中的高側和低側N溝道MOSFET。該驅動器提供A的峰值輸出電流，并具有獨立的CMOS輸入閾值。

二、主要特性

• ?高電壓能力?：支持高達V的供電電壓。
• ?獨立控制?：高低側輸出獨立控制，具有CMOS輸入閾值。
• ?快速傳播時間?：典型值為5ns，提供高速開關性能。
• ?低功率消耗?：在正常工作條件下功耗較低。
• ?欠壓鎖定保護?：高低側電源均具有欠壓鎖定功能，確保穩(wěn)定工作。
• ?集成自舉二極管?：內置二極管用于高側柵極驅動電容的充電。

三、引腳配置與功能

• ?VDD?：正電源輸入。
• ?HB?：高側自舉電源輸入。
• ?HS?：高側MOSFET源極連接和自舉電容負極。
• ?HO?：高側柵極驅動器輸出。
• ?LO?：低側柵極驅動器輸出。
• ?VSS?：負電源終端（地）。
• ?HI?：高側輸入，控制HO輸出。
• ?LI?：低側輸入，控制LO輸出。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VDD為V至V，HB最高可達V。
• ?輸入閾值?：CMOS兼容輸入，具體閾值詳見數(shù)據(jù)表。
• ?輸出電流?：峰值輸出電流為2A。
• ?傳播延遲?：LO和HO的關斷和開啟傳播延遲典型值為ns至ns。
• ?欠壓鎖定閾值?：VDD和HB的欠壓鎖定閾值和遲滯詳見數(shù)據(jù)表。

五、功能描述

• ?欠壓鎖定?：確保在供電電壓不足時禁止輸出，保護電路免受損壞。
• ?電平移位?：實現(xiàn)高側輸入與高側驅動器級之間的電平轉換。
• ?自舉二極管?：為高側柵極驅動提供必要的偏置電壓。
• ?輸出階段?：具有低電阻和高轉換速率，支持高效MOSFET開關。

六、應用信息

• ?典型應用?：適用于同步降壓轉換器、半橋和全橋功率轉換器等。
• ?設計要點?：包括自舉電容和VDD電容的選擇、柵極驅動電阻的選取以及布局考慮等。
• ?功耗估計?：提供了估算驅動器功耗的方法和公式。

七、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：提供多種封裝選項，如SOIC、PowerPAD SOIC、WSON等。
• ?訂購代碼?：詳細列出了不同封裝和狀態(tài)的訂購代碼。