控制邏輯電路設(shè)計(jì) - 基于FPGA與外部SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲

3.3 控制邏輯電路設(shè)計(jì)

　　如圖三所示，控制邏輯由FPGA來實(shí)現(xiàn)。主要包括讀地址產(chǎn)生器、寫地址產(chǎn)生器、讀寫時(shí)鐘信號產(chǎn)生器及讀寫控制等幾部分。下面分別加以講述。

　　(1)寫地址產(chǎn)生器：由于設(shè)計(jì)時(shí)采用256K×16的SRAM，故有18位地址，寫地址產(chǎn)生器用18位計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)?？客獠繒r(shí)鐘驅(qū)動，每進(jìn)行一次寫操作后,讀寫控制單元產(chǎn)生計(jì)數(shù)脈沖，使其增1，直到18位計(jì)數(shù)器計(jì)滿再循環(huán)寫入地址為0的空間。

　　(2)讀地址產(chǎn)生器同上，也采用18位計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)，根據(jù)系統(tǒng)要求，每隔一定的采樣周期將讀地址指針偏移一定偏移量，并從該位置讀取數(shù)據(jù)。

　　(3)讀寫地址選擇器由于讀寫地址復(fù)用管腳，因此在讀寫操作時(shí)，必須選通相應(yīng)的地址。這就需要由FPGA控制芯片上的等控制信號來對SRAM進(jìn)行讀寫的操作。

　　(4)此外，由于讀寫之間的切換，數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)在切換瞬間如不加處理會出現(xiàn)混亂現(xiàn)象。因此，為避免讀、寫操作發(fā)生沖突，數(shù)據(jù)線呈三種狀態(tài)，讀數(shù)據(jù)、寫數(shù)據(jù)及高阻態(tài)。在從寫到讀的過程中需給數(shù)據(jù)線上送高阻態(tài)。

　　(5)當(dāng)需要對SRAM進(jìn)行寫操作時(shí)，由FPGA控制產(chǎn)生寫地址選通信號，該選通信號為一單脈沖形式，如圖四中該脈沖下降沿觸發(fā)SRAM，告知開始對RAM進(jìn)行寫操作，使FPGA輸出寫地址，同時(shí)給數(shù)據(jù)線上送數(shù)據(jù)。在寫操作期間，片選信號始終保持低電平，而寫地址選通信號上升沿到來時(shí)使寫地址計(jì)數(shù)器增1。以此類推，通過寫地址選通信號高低電平變化完成對數(shù)據(jù)依次寫入。需要注意的是，地址線和數(shù)據(jù)線在為高時(shí)可同時(shí)賦新值，但只有在變低后賦予數(shù)據(jù)線上的新值才有效。

　　對SRAM進(jìn)行讀操作相對較簡單，在進(jìn)行讀操作期間，始終為低電平，始終為高電平。每進(jìn)行一次讀操作，地址按系統(tǒng)要求變化一次。同時(shí)注意，地址的變化時(shí)刻總要先于數(shù)據(jù)的變化時(shí)刻。圖五為RAM讀操作時(shí)序。

　　以下是一段用VHDL語言描述的控制RAM的讀寫操作時(shí)序的程序代碼：

　　程序中，在進(jìn)行讀寫操作時(shí)，片選使能信號CE_SRAM及輸出使能信號OE_SRAM始終為低電平。

　　第0時(shí)刻到第2時(shí)刻在進(jìn)行寫操作：第0時(shí)刻地址線addr_SRAM和數(shù)據(jù)線data_SRAM同時(shí)賦新值，控制線WE_SRAM、LB_SRAM、UB_SRAM要經(jīng)歷一個窄脈沖的變化過程，RAM在獲取到此控制線下降沿信息后，便知開始進(jìn)行寫操作。需要注意的是，雖然數(shù)據(jù)在第0時(shí)刻已賦到數(shù)據(jù)線上，但因?yàn)閷懖僮魇强刂凭€低電平有效，所以數(shù)據(jù)線上真正發(fā)生數(shù)據(jù)更新是在控制線變?yōu)榈碗娖街螅虼?，?shù)據(jù)線上的實(shí)際更新時(shí)刻是在第2個時(shí)刻。

　　第3、4狀態(tài)是進(jìn)行讀操作：在讀寫轉(zhuǎn)換時(shí)刻，也就是在第3時(shí)刻如前所述需給數(shù)據(jù)線上送高阻態(tài)。這樣，讀取數(shù)據(jù)的時(shí)序關(guān)系由系統(tǒng)時(shí)鐘進(jìn)行控制，在第3時(shí)刻給地址線上送要讀取的地址，第4時(shí)刻將數(shù)據(jù)端口上的數(shù)據(jù)送出。這里需注意的是，讀取數(shù)據(jù)要比讀取地址晚一個時(shí)刻。從而，完成了對外部RAM的讀寫操作控制。

　　4結(jié)論

　　該系統(tǒng)已應(yīng)用在羅蘭—c導(dǎo)航接收機(jī)的信號處理中。實(shí)驗(yàn)證明，此設(shè)計(jì)可靠穩(wěn)定地完成了大容量高速異步數(shù)據(jù)存儲，進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的性能。

閱讀全文

上一頁 12全文

本文導(dǎo)航

第 1 頁：基于FPGA與外部SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲
第 2 頁：控制邏輯電路設(shè)計(jì)

FPGA(632043) FPGA(632043)
sram(117308) sram(117308)
數(shù)據(jù)存儲(52844) 數(shù)據(jù)存儲(52844)

基于FPGA器件實(shí)現(xiàn)大容量高速存儲系統(tǒng)的方案設(shè)計(jì)

本文介紹了一種以FPGA作為控制器，F(xiàn)LASH MEMORY作為主存儲器的大容量高速存儲系統(tǒng)方案，并對關(guān)鍵技術(shù)及實(shí)現(xiàn)途徑進(jìn)行了論述，在存儲容量及存儲速度上實(shí)現(xiàn)了突破。

2020-07-30 17:53:54

3062

如何利用Verilog HDL在FPGA上實(shí)現(xiàn)SRAM的讀寫測試

本篇將詳細(xì)介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實(shí)現(xiàn)SRAM的讀寫測試。SRAM是一種非易失性存儲器，具有高速讀取和寫入的特點(diǎn)。在FPGA中實(shí)現(xiàn)SRAM讀寫測試，包括設(shè)計(jì)SRAM接口模塊

2025-10-22 17:21:38

4118

Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM產(chǎn)品線

Mb兩種不同容量的器件，旨在為傳統(tǒng)的并行SRAM產(chǎn)品提供成本更低的替代方案，并在SRAM存儲器中包含可選的電池備份切換電路，以便在斷電

2024-04-03 15:24:14

1674

FPGA中SRAM的讀寫控制原理

SRAM 在讀寫上有嚴(yán)格的時(shí)序要求，用 WEOECE 控制完成寫數(shù)據(jù)，具體時(shí)序如圖 7-17所示。圖 7-17 SRAM 的寫時(shí)序系統(tǒng)中兩塊 SRAM 分別由 DSP 和 FPGA 控制。當(dāng) DSP

2018-12-11 10:14:14

FPGA如何為相機(jī)設(shè)備設(shè)計(jì)高速大容量存儲

在測量技術(shù)中，高速數(shù)字?jǐn)z像機(jī)所拍攝到的大量數(shù)字圖像需要高速、大容量的圖像存儲設(shè)備來實(shí)時(shí)快速地存儲。用傳統(tǒng)的磁帶方式來記錄數(shù)據(jù)，其效率和安全性不高；靜態(tài)存儲器讀寫方便，但是存儲的數(shù)據(jù)會因斷電而丟失

2019-08-07 08:20:48

SRAM存儲器如何在網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)系統(tǒng)的應(yīng)用

Static RAM（SRAM），指的是一種具有靜止時(shí)存取功能，在不需要刷新電路的情況下依然可以保持內(nèi)部存儲數(shù)據(jù)的存儲芯片。一般來說有兩個主要的規(guī)格：1. 一種是放置于單片機(jī)CPU與主存儲之間

2017-06-02 10:45:40

SRAM存儲器結(jié)構(gòu)框圖解

同時(shí)有4個或8個存儲單元按上述方法被選中進(jìn)行讀寫操作。在SRAM 中，排成矩陣形式的存儲單元陣列的周圍是譯碼器和與外部信號的接口電路。存儲單元陣列通常采用正方形或矩陣的形式，以減少整個芯片面積并有利于數(shù)據(jù)

2022-11-17 14:47:55

SRAM存儲的容量及基本特點(diǎn)

解析SRAM存儲容量及基本特點(diǎn)

2020-12-31 06:35:01

SRAM數(shù)據(jù)存儲原理

大容量的SRAM中，這個比例還要更大一些。因而減小存儲單元的面積變得尤為重要。一方面我們希望單元面積越小越好；而另一方面隨著存儲單元面積的減小，單元的穩(wěn)定性又會逐漸變差。那么所謂的存儲器它是靠

2020-06-05 15:18:24

SRAM和Flash的相關(guān)資料推薦

應(yīng)用場合程序運(yùn)行中數(shù)據(jù)變量的運(yùn)算存儲代碼或者常量數(shù)據(jù)2. 芯片容量??由于SRAM用于存儲程序運(yùn)行過程當(dāng)中產(chǎn)生的臨時(shí)數(shù)據(jù)，因此在程序中定義大批量數(shù)據(jù)時(shí)候必須考慮到SRAM的容量大小，特別是實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集時(shí)，一旦需要采集大量數(shù)據(jù)，考慮到

2021-11-01 06:54:42

SRAM的容量擴(kuò)展解析

SRAM的容量擴(kuò)展

2021-01-11 07:48:13

fpga操作外部sram

外部sram每一次上電之后存儲單元的值是不確定的，如何對外部sram進(jìn)行初始化操作，讓它們的初始值都為0，如果這樣的話，是不是應(yīng)該先對所有的存儲單元進(jìn)行寫0操作，不知道大家還有什么方法沒有

2016-10-27 11:26:26

fpga芯片工作時(shí)外部需要接Flash和SRAM嗎？

fpga芯片工作時(shí)外部需要接Flash和SRAM嗎？flash和sram都是干什么的?。?/div>

2014-12-25 08:32:25

sram存儲原理是依靠

sram存儲原理是依靠，概念靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)

2021-07-27 06:06:26

外部SRAM的相關(guān)資料下載

文章目錄IS62WV51216特點(diǎn)框圖FSMC驅(qū)動原理IS62WV5121616位寬512K容量的CMOS靜態(tài)SRAM芯片特點(diǎn)高速；低功耗；兼容TTL電平；全靜態(tài)操作；三態(tài)輸出；字節(jié)控制功能?？驁D

2021-12-10 08:14:35

數(shù)據(jù)是存儲在Virtex5部分還是存儲在板上的SRAM內(nèi)存中？

大家好，我對FPGA技術(shù)還不熟悉，而且我正在學(xué)習(xí)。我對DDR2 SRAM感到困惑，當(dāng)我創(chuàng)建一個程序時(shí)...說一個寄存器，fifo等，數(shù)據(jù)是存儲在Virtex5部分還是存儲在板上的SRAM內(nèi)存中？謝謝！-Mike！

2020-05-27 12:20:31

DRAM存儲原理和特點(diǎn)

小，256Kb-16Mb　　5.集成度低，單位容量價(jià)格高　　6.靜態(tài)功耗低，運(yùn)行功耗大　　DRAM　　1.速度較慢　　2.需要刷新來保持數(shù)據(jù)　　3.需要MCU帶外部存儲控制器　　4.容量大，16Mb-4Gb　　5.集成度高，單位容量價(jià)格低　　6.運(yùn)行功耗低

2020-12-10 15:49:11

FLASH存儲器與SRAM最主要的區(qū)別是什么

概念理解：FLASH存儲器又成為閃存，它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，但是FLASH得存儲容量都普遍的大于EEPROM，，在存儲控制上，最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片

2022-03-02 07:20:19

STM32F1單片機(jī)存儲外擴(kuò)選SPI SRAM

實(shí)現(xiàn)SRAM的擴(kuò)展。PSRAM - Pseudo SRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器）是一種具有SRAM接口協(xié)議在使用中無需刷新，無需DRAM控制器、具有DRAM單管存儲結(jié)構(gòu)的存儲器，比SRAM容量大很多，比

2016-12-21 11:35:39

STM32H745BIT6控制器的外部閃存可以用作大容量存儲設(shè)備嗎？

我正在使用 STM32H745BIT6 控制器并希望將外部閃存用作大容量存儲設(shè)備。外部閃存連接在 QSPI 上。該應(yīng)用程序?qū)⑹?，用戶?USB 電纜連接到 PC，PC 應(yīng)該能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">外部 QSPI 閃存

2023-02-02 07:11:32

STM32與FPGA通過fsmc通信的實(shí)現(xiàn)方法

的一種新型的存儲器擴(kuò)展技術(shù)。在外部存儲器擴(kuò)展方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢，可根據(jù)系統(tǒng)的應(yīng)用需要，方便地進(jìn)行不同類型大容量靜態(tài)存儲器的擴(kuò)展。該使用方法本質(zhì)是將FPGA當(dāng)做SRAM來驅(qū)動，支持的存儲器類型有SRAM、PSRAM、NOR/ONENAND、ROM、LCD接口（支持8080和6800模式）、NANDFla

2022-01-18 06:32:19

STM32單片機(jī)擴(kuò)展外部SRAM

外部SRAM。原理：給STM32芯片擴(kuò)展內(nèi)存與給PC擴(kuò)展內(nèi)存的原理是一樣的，只是PC上一般以內(nèi)存條的形式擴(kuò)展，內(nèi)存條實(shí)質(zhì)是由多個SRAM芯片組成的通用標(biāo)準(zhǔn)模塊，而意法半導(dǎo)體MCU STM32直接

2020-05-07 15:58:41

stm32f207外部SRAM編譯報(bào)錯

STM32接了512K外部SRAM?？梢訫DK編譯器不認(rèn)這塊內(nèi)存，因?yàn)楫?dāng)我定義一塊大的ZI區(qū)內(nèi)存時(shí)，編譯老報(bào)錯，提示存儲空間不夠，(內(nèi)部SRAM已經(jīng)用完)，如：uint8_t test[1024

2019-03-12 07:27:04

為什么要擴(kuò)展外部SRAM

這里寫自定義目錄標(biāo)題為什么要擴(kuò)展外部SRAM(一)什么是SRAM簡介存儲器型號容量引腳配置通訊方式讀寫特性讀取數(shù)據(jù)時(shí)序圖讀取數(shù)據(jù)的時(shí)序要求寫入數(shù)據(jù)時(shí)序圖寫入數(shù)據(jù)的時(shí)序要求(二)什么是FSMC外設(shè)簡介

2021-08-05 07:13:19

什么是SRAM

這里寫自定義目錄標(biāo)題(一)為什么要擴(kuò)展外部SRAM(二)什么是SRAM簡介存儲器型號容量原理框圖引腳配置通訊方式讀寫特性讀取數(shù)據(jù)時(shí)序圖讀取數(shù)據(jù)的時(shí)序要求寫入數(shù)據(jù)時(shí)序圖寫入數(shù)據(jù)

2021-08-05 08:22:50

便攜式高速大容量實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集記錄存儲應(yīng)用案例(SD卡存儲)

小容量的Flash存儲芯片，它們的一個共同特點(diǎn)是受尋址空間的限制，不能滿足大容量存儲的要求。大容量數(shù)據(jù)存儲器采用SD卡（最大支持32G）實(shí)現(xiàn)大量數(shù)據(jù)的存儲，通過串口與外部設(shè)備進(jìn)行命令和數(shù)據(jù)的傳輸與儲存

2014-06-25 14:40:47

哪種類型的同步SRAM用于外部存儲器？

，ADSC引腳做什么。所有同步SRAM存儲器將具有這些引腳。從數(shù)據(jù)表中，我知道，例如，直接訪問與處理器或DMA控制器的使用。除了QDR、DDR存儲器之外，哪種類型的同步SRAM用于外部存儲器。感謝和問候蘇巴什

2019-08-15 07:02:35

基于FPGA與SRAM數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)

基于FPGA與SRAM數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)中文期刊文章作　　者：江麗肖思其作者機(jī)構(gòu)：[1]湖南高速鐵路職業(yè)技術(shù)學(xué)院,湖南衡陽421002出版物：《科技資訊》 (科技資訊)年卷期：2017年第

2018-05-09 12:09:43

基于FPGA的高性能數(shù)據(jù)存儲技術(shù)

實(shí)現(xiàn)對存儲板數(shù)據(jù)直接讀寫，無需轉(zhuǎn)存；◆ 具有帶寬高、容量大、提供標(biāo)準(zhǔn)eXFAT文件系統(tǒng)的特性，可廣泛應(yīng)用相關(guān)領(lǐng)域的數(shù)據(jù)采集記錄存儲及數(shù)據(jù)管理；詳細(xì)參數(shù)產(chǎn)品功能1、實(shí)時(shí)記錄功能通過底板對外的高速總線

2022-09-21 11:05:30

基于SRAM的FPGA分類介紹

設(shè)計(jì)的SRAM單元中。由于SRAM是易失性的，因此需要在啟動時(shí)對其進(jìn)行配置。有兩種編程模式：主模式和從模式。SRAM存儲單元如圖9.4所示。圖9.4 SRAM單元在主模式下，FPGA從外部源讀取可配置數(shù)據(jù)

2022-10-27 16:43:59

基于外部SRAM的MCU在線仿真器

基于外部SRAM的MCU在線仿真器MCU 仿真器的一種常見做法是，將用戶的待調(diào)試程序（以下簡稱用戶程序）存儲在MCU外部仿真板的SRAM（以下簡稱外部SRAM）中，在bond-out MCU的外部

2012-03-29 16:09:50

基于外部SRAM的MCU在線仿真器

2012-03-29 16:14:23

如何與FPGA接口SRAM

嗨，任何人都可以建議如何與FPGA接口SRAM，如果我必須采取任何預(yù)防措施，或任何拉上電阻我必須與數(shù)據(jù)和地址引腳連接。請回復(fù)。以上來自于百度翻譯以下為原文hi, can anyone

2019-05-20 11:23:29

如何利用FPGA與外部SRAM進(jìn)行大容量數(shù)據(jù)存儲？

隨著數(shù)字信號處理技術(shù)的不斷發(fā)展，大容量可編程邏輯器件的不斷涌現(xiàn)，FPGA技術(shù)越來越多地應(yīng)用在大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)中。在此硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，經(jīng)常會遇到需要大容量的數(shù)據(jù)存儲的情況，下面我們將針對FPGA中

2019-09-03 07:52:51

如何構(gòu)建一個使用大量SRAM存儲器的應(yīng)用？

本人新手，需要構(gòu)建一個使用大量SRAM存儲器的應(yīng)用，求指點(diǎn)，具體需求如下：需要大量的高速存儲，只能使用SRAM才能滿足要求，計(jì)劃使用10塊8M的片外SRAM。目前我已學(xué)會基本的知識（看完芯航線

2019-08-07 15:25:58

怎么提高SRAM工藝FPGA的設(shè)計(jì)安全性？

隨著FPGA的容量、性能以及可靠性的提高及其在消費(fèi)電子、汽車電子等領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用，FPGA設(shè)計(jì)的安全性問題越來越引起人們的關(guān)注。相比其他工藝FPGA而言，處于主流地位的SRAM工藝FPGA有一些

2019-08-23 06:45:21

硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)中怎么解決FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限缺點(diǎn)？

在此硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，經(jīng)常會遇到需要大容量的數(shù)據(jù)存儲的情況，我們將針對FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn)，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來改進(jìn)設(shè)計(jì)的方法，并給出了部分VHDL程序。

2021-05-06 06:01:46

請問SRAM 存儲數(shù)據(jù)具體是怎么存儲的? 還有就是在處理器和SRAM之間用VERILOG實(shí)現(xiàn)一個

請問SRAM 存儲數(shù)據(jù)具體是怎么存儲的? 還有就是在處理器和SRAM之間用VERILOG實(shí)現(xiàn)一個總線仲裁器怎么實(shí)現(xiàn)?謝謝高手指教!

2008-08-28 20:31:21

請問哪種類型的存儲器IC可以與基于SRAM的FPGA一起使用？

嗨，我想知道哪種類型的存儲器IC可以與基于SRAM的FPGA（即Spartan 3系列）一起使用，以將程序文件（.bit文件）存儲在其中。是否有選擇這些設(shè)備的文檔？此外，Xilinx還制造了任何此類存儲芯片。謝謝，阿文德古普塔

2019-08-07 09:42:51

請問如何利用外部SRAM和CPLD設(shè)計(jì)FIFO？

本文介紹了一種利用外部SRAM和CPLD構(gòu)成的廉價(jià)、高速、大容量先進(jìn)先出緩沖器FIFO的設(shè)計(jì)方法。

2021-04-09 06:12:19

請問我應(yīng)該將哪個端口作為外部連接到sram數(shù)據(jù)總線端口？

嗨，我是一個新的edk用戶，我正在嘗試使用“多通道外部存儲器控制器”將coregen生成的sram與micrla頂級設(shè)計(jì)中的microblaze plb總線連接。我對控制器的數(shù)據(jù)總線感到困惑，因?yàn)?/div>

2019-10-28 06:28:01

靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM存儲數(shù)據(jù)的原理

靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM存儲數(shù)據(jù)原理

2021-02-26 06:36:26

高速大容量數(shù)據(jù)存儲技術(shù)

數(shù)據(jù)采集中所用的ADC最高采樣率已達(dá)到幾百M(fèi)SPS甚至幾十GSPS的水平,這就要求采樣數(shù)據(jù)存儲器的速度也要與之匹配,也就是采用高速緩存:二是大容量,其原因是高速數(shù)據(jù)采集會產(chǎn)生巨大的數(shù)據(jù)流。所以,通常需要

2016-04-16 08:42:22

FPGA與SRAM相結(jié)合完成大容量數(shù)據(jù)存儲

FPGA 與SRAM 相結(jié)合完成大容量數(shù)據(jù)存儲1 引言隨著數(shù)字信號處理技術(shù)的不斷發(fā)展，大容量可編程邏輯器件的不斷涌現(xiàn)，FPGA技術(shù)越來越多地應(yīng)用在大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)中。在此

2010-02-06 10:35:49

基于SRAM和DRAM結(jié)構(gòu)的大容量FIFO的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

基于SRAM 和DRAM 結(jié)構(gòu)的大容量FIFO 的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)作者：楊奇楊瑩摘要：本文分別針對Hynix 公司的兩款SRAM 和DRAM 器件，介紹了使用CPLD 進(jìn)行接口連接和編程控制，來構(gòu)成低成本

2010-02-06 10:41:10

大容量固態(tài)存儲設(shè)備的FPGA實(shí)現(xiàn)

采用大容量的固態(tài)Flash作為存儲介質(zhì)，用FPGA作為存儲陣列的控制器，設(shè)計(jì)了高速大容量的存儲板卡，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集過程中用相對低速的Flash存儲器存儲高速實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)。FPGA既可作為

2010-12-08 17:25:08

國產(chǎn)SRAM存儲芯片CSS6404LS-LI

QPI。SDR（單倍數(shù)據(jù)率）操作，時(shí)鐘頻率最高達(dá) 133MHz（32字節(jié)回環(huán)突發(fā)模式，VDD=3.0V±10%）。容量與組織64Mb（8M × 8位）存儲空

2025-06-06 15:01:36

SRAM,SRAM原理是什么?

SRAM,SRAM原理是什么? 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM。 SRAM主要用于二級高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快

2010-03-24 16:11:32

9200

基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設(shè)計(jì)

　1 前言　針對FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn)，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來改進(jìn)設(shè)計(jì)的方法，并給出了部分VHDL程序。　　2 硬件設(shè)計(jì) 　　這里將主

2010-09-16 10:10:35

1533

一種基于SRAM的FPGA的加密方法

FPGA在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于其卓越性能、靈活方便而被廣泛使用，但基于SRAM的FPGA需要從外部進(jìn)行配置，配置數(shù)據(jù)很容易被截獲，故存遮安全隱患?？偨Y(jié)了當(dāng)前FPGA的加密方法；提出了一種基于外部單片機(jī)的FPGA加密方法，該方法中使用外部單片機(jī)配合FPGA產(chǎn)生

2011-03-16 14:22:24

基于FPGA的外部存儲器設(shè)計(jì)

　本文介紹了FPGA外部存儲器的設(shè)計(jì)方法，可以有效地解決雷達(dá)實(shí)時(shí)信號處理過程中海量數(shù)據(jù)的存儲問題，同時(shí)也可以充分利用FPGA去控制SDRAM和FLASH，不僅保證了資源的充分利用，也可以

2011-08-18 11:46:45

8751

異步SRAM存儲器接口電路設(shè)計(jì)（Altera FPGA開發(fā)板）

異步SRAM存儲器接口電路設(shè)計(jì)（Altera FPGA開發(fā)板）如圖所示：

2012-08-15 14:37:05

4265

基于FPGA軟硬件設(shè)計(jì)大容量數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

本文從硬件和軟件角度出發(fā)，介紹了FPGA與CF卡的接口設(shè)計(jì)、給出了用雙RAM訪問CF卡的編程，并且利用FPGA作為FIFO對AD采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行緩沖，然后存儲到大容量的CF卡中。

2013-01-07 09:24:25

2142

使用外部 SRAM 導(dǎo)致死機(jī)

STM32單片機(jī)使用外部 SRAM 導(dǎo)致死機(jī)

2015-11-25 14:49:34

使用大容量STM32F10xxx的FSMC模塊驅(qū)動外部存儲器

2016-01-08 14:15:17

基于FPGA的嵌入式塊SRAM的設(shè)計(jì)

基于FPGA的嵌入式塊SRAM的設(shè)計(jì)

2017-01-19 21:22:54

如何選擇最適用的sram存儲器

sram（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）是一種只要在供電條件下便能夠存儲數(shù)據(jù)的存儲器件，而且是大多數(shù)高性能系統(tǒng)的一個關(guān)鍵部分。sram具有眾多的架構(gòu)，各針對一種特定的應(yīng)用。本文旨在對目前市面上現(xiàn)有的sram做全面評述。

2017-11-03 18:03:05

3380

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用解析

，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時(shí)鐘信號，即可保持數(shù)據(jù)不丟失。 1、VDMS16M32芯片

2017-11-16 10:19:55

串行外設(shè)接口(SPI)擴(kuò)展大容量數(shù)據(jù)存儲器

在許多實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常面臨的問題是需要支持大容量的數(shù)據(jù)存儲功能。但是采用常規(guī)擴(kuò)展外部 數(shù)據(jù)存儲器的方法，需要大量的地址總線和數(shù)據(jù)總線引腳，因而在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時(shí)，其容量受到微處理器地址總線和數(shù)據(jù)總線數(shù)量的極大限制。

2018-04-08 09:20:00

10335

sram作用

SRAM主要用于二級高速緩存。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。

2019-04-01 16:28:47

11534

FPGA視頻教程：BJ-EPM240學(xué)習(xí)板-SRAM讀寫實(shí)驗(yàn)

SRAM主要用于二級高速緩存（Level2 Cache）。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存。

2019-12-12 07:04:00

2659

SRAM存儲器的訪問與控制的實(shí)驗(yàn)資料說明

實(shí)驗(yàn)?zāi)康?. 認(rèn)識 DEC2812 外部存儲器 SRAM；　2. 熟悉 SRAM 的讀取操作。

2019-07-31 16:12:00

FPGA的存儲解決方案——外掛SRAM

存儲器提供比片內(nèi)存儲器更大的存儲容量，速度也相當(dāng)快，但是略差于片內(nèi)存儲器。常用的外部SRAM的容量可達(dá)128KB至10MB。特殊的SRAM可以具有更小或更大的容量。SRAM一般情況下是具有很低的反應(yīng)時(shí)間和高吞吐量的設(shè)備，由于是通過共享的雙向總線連接到FPGA上，外部SRAM的速度比片上存儲

2019-11-18 23:20:22

6831

STM32F1_ 外部SRAM作為運(yùn)行內(nèi)存

STM32F1_外部SRAM作為運(yùn)行內(nèi)存

2020-04-08 10:07:50

6798

STM32F1_ FSMC讀寫外部SRAM

STM32F1_FSMC讀寫外部SRAM

2020-04-08 10:02:32

6856

外部SRAM的種類及注意事項(xiàng)

的控制器的數(shù)據(jù)帶寬小一些的SRAM設(shè)備，以便減少管腳數(shù)量并減少PCB板上可能的存儲器數(shù)量。然而這種變化將導(dǎo)致降低SRAM接口的性能。外部SRAM的種類有多種SRAM器件可供選擇。最常見的種類如下：異步SRAM 由于其不依靠時(shí)鐘，所以是最慢的一種SRAM。同步sram（

2020-04-03 15:58:44

1521

淺談異步SRAM存儲器接口電路圖

內(nèi)部的數(shù)據(jù)會隨著電量的消失而丟失，因此SRAM具有較高的性能。但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM存儲器可以設(shè)計(jì)為較

2020-03-08 17:15:00

4433

FPGA的配置引腳說明

FPGA是基于SRAM編程的，編程信息在系統(tǒng)掉電時(shí)會丟失，每次上電時(shí)，都需要從器件外部的FLASH或EEPROM中存儲的編程數(shù)據(jù)重現(xiàn)寫入內(nèi)部的SRAM中。FPGA在線加載需要有CPU的幫助，并且在加載前CPU已經(jīng)啟動并工作。FPGA的加載模式主要有以下幾種：

2020-04-07 08:00:00

SRAM存儲器主板基本設(shè)計(jì)

SRAM存儲芯片即是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它具有靜止存取功能的存儲器芯片，它不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲的所有數(shù)據(jù)。 SRAM存儲芯片主要應(yīng)用于需要緩存比較小或?qū)挠幸蟮南到y(tǒng)。例如很多8

2020-04-28 14:16:36

1743

SRAM隨機(jī)存儲器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)

關(guān)于SRAM隨機(jī)存儲器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)。 SRAM隨機(jī)存儲器的特點(diǎn) 隨機(jī)存儲器最大的特點(diǎn)就是可以隨時(shí)對它進(jìn)行讀寫操作，但當(dāng)電源斷開時(shí)，存儲信息便會消失。隨機(jī)存儲器依照數(shù)據(jù)存儲方式的不同，主要可以分為動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）與靜態(tài)隨機(jī)存儲器

2020-04-30 15:48:13

3900

sram是靠什么存儲信息

磁性材料的存儲元,它可存儲一個二進(jìn)制代碼.由若干個存儲元組成一個存儲單元,然后再由許多存儲單元組成一個存儲器,就用來存放程序和數(shù)據(jù)了. 按其功能可分為:隨機(jī)存取存儲器(簡稱ram)和只讀存儲器(只讀ROM) RAM包括DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取

2020-05-10 10:10:54

8308

SRAM存儲器具有較高的性能，它的優(yōu)缺點(diǎn)分析

SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SRAM存儲器具有較高的性能，但是SRAM芯片也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高

2020-07-16 14:07:44

7510

SRAM是什么存儲器，它的作用又是什么

靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲器存儲器（SRAM）是隨機(jī)存儲器存儲器的一種。說白了的靜態(tài)數(shù)據(jù)，就是指這類存儲器要是維持接電源，里邊存儲的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。相對性下，動態(tài)性隨機(jī)存儲器存儲器（DRAM）里邊所存儲

2020-08-10 16:43:24

16580

兩種SRAM的電路結(jié)構(gòu)?

SRAM是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的靜態(tài)是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)，因此SRAM具有較高的性能。 SRAM的速度快

2020-09-19 11:42:25

9201

以SRAM芯片為例系統(tǒng)介紹常用的擴(kuò)充存儲容量的方法

SRAM即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，所謂靜態(tài)是指這種存儲器只要保持通電，里面存儲的數(shù)據(jù)就可以一直保持，但是掉電之后就會丟失。與DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）相比它不需要周期性的刷新里面的數(shù)據(jù)，操作簡單且

2020-12-06 09:48:00

8260

Gowin塊狀靜態(tài)隨機(jī)存儲器的用戶手冊

高云半導(dǎo)體FPGA 產(chǎn)品提供了豐富的塊狀靜態(tài)隨機(jī)存儲器資源，簡稱塊狀靜態(tài)存儲器（B-SRAM）。B-SRAM 在器件內(nèi)部以行的形式分布，每個B-SRAM 占用3 個CFU 的位置，B-SRAM

2020-12-09 15:31:13

SRAM和DRAM的介紹，它們的原理以及特點(diǎn)是怎樣的

SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SRAM具有較高的性能，功耗較小。SRAM主要用于二級高速緩存。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存

2021-01-11 16:48:18

22496

FPGA的配置模式的分類及應(yīng)用分析

所有現(xiàn)代FPGA的配置分為兩類：基于SRAM的和基于非易失性的。其中，前者使用外部存儲器來配置FPGA內(nèi)的SRAM后者只配置一次。 Lattice和Actel的FPGA使用稱為反熔絲的非易失性配置

2021-07-02 16:01:40

4459

基于FPGA的高速大容量FLASH存儲

基于FPGA的高速大容量FLASH存儲(單片機(jī)底層嵌入式開發(fā))-該文檔為基于FPGA的高速大容量FLASH存儲總結(jié)文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………

2021-07-30 16:46:45

MCU——SRAM和Flash

2021-10-25 13:36:09

SRAM的容量擴(kuò)展

SRAM即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，所謂“靜態(tài)”是指這種存儲器只要保持通電，里面存儲的數(shù)據(jù)就可以一直保持，但是掉電之后就會丟失。與DRAM（動...

2022-01-25 20:07:57

外部存儲和內(nèi)部存儲的區(qū)別

Android中根據(jù)數(shù)據(jù)是否為應(yīng)用私有、是否需要給外部應(yīng)用暴露以及數(shù)據(jù)的大小可以有以下幾種選擇： * Shared Preferences * 內(nèi)部存儲 * 外部存儲 * 本地數(shù)據(jù)庫存儲 * 通過網(wǎng)絡(luò)在服務(wù)器端數(shù)據(jù)庫存儲

2023-05-26 11:30:29

2424

SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響

SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。

2023-08-11 10:30:45

3592

使用大容量STM32F10xxx的FSMC驅(qū)動外部的存儲器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用大容量STM32F10xxx的FSMC驅(qū)動外部的存儲器.pdf》資料免費(fèi)下載

2023-09-21 10:03:50

fpga配置flash怎么用來存儲數(shù)據(jù)

FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）是一種高度靈活的硬件設(shè)備，可以根據(jù)特定的需求進(jìn)行重新配置。FPGA通常用于處理大量數(shù)據(jù)和實(shí)時(shí)計(jì)算。然而，FPGA通常并沒有內(nèi)置大容量的數(shù)據(jù)存儲器，例如硬盤或固態(tài)硬盤。這就

2023-12-15 15:42:51

4664