本內(nèi)容主要介紹了硅襯底LED芯片主要制造工藝，介紹了什么是led襯底，led襯底材料等方面的制作工藝知識(shí)
2011-11-03 17:45:13
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LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長(zhǎng)技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅（Si）、碳化硅（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點(diǎn)。
2014-05-13 17:40:075184 近年來(lái)，LED制造工藝的不斷進(jìn)步和新材料（氮化物晶體和熒光粉）的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用，各種顏色的超高亮度LED取得了突破性進(jìn)展。##近年來(lái)，LED制造工藝的不斷進(jìn)步和新材料（氮化物晶體和熒光粉）的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用，各種顏色的超高亮度LED取得了突破性進(jìn)展。
2015-08-17 16:16:0024039 大多數(shù)現(xiàn)代LED由氮化銦鎵（InGaN）和藍(lán)寶石襯底組成。該架構(gòu)運(yùn)行良好，并使LED制造商能夠提供效率超過(guò)150流明/瓦的產(chǎn)品。然而，該架構(gòu)確實(shí)存在一些缺點(diǎn)，這些缺點(diǎn)促使芯片制造商尋求其他選擇。
2019-01-17 08:21:0012376 
應(yīng)用放射性示蹤技術(shù)研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學(xué)放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評(píng)估了兩個(gè)重要的工藝參數(shù)，即烘烤溫度和襯底類(lèi)型(如裸硅、多晶硅、氧化物和氮化物)。結(jié)果表明
2021-12-13 10:02:321785 
氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學(xué)穩(wěn)定性，已成為短波長(zhǎng)發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測(cè)器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體，以及高功率和高溫電子器件。對(duì)于實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的氮化鎵器件，如激光二極管或高功率燈，對(duì)低線程位錯(cuò)密度(<106cm-2)的高質(zhì)量氮化鎵襯底有很強(qiáng)的需求。
2022-02-08 15:26:134403 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過(guò)將無(wú)水高頻與控制量的水蒸汽混合而產(chǎn)生高頻蒸汽蝕刻劑的實(shí)現(xiàn)方法，描述了一種通過(guò)將氮?dú)馔ㄟ^(guò)高頻水溶液而引入高頻蒸汽的系統(tǒng)。
2022-04-11 16:41:191961 
本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對(duì)氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結(jié)構(gòu)和減少的蝕刻時(shí)間將提高制造過(guò)程的生產(chǎn)率，該方法從圖案化氮化硅開(kāi)始，以研究在BOE工藝之后形成的框架結(jié)構(gòu)
2022-05-05 14:00:502014 
由靜電荷積累（V=q/C=1kV/nC/pF）而形成的靜電電壓帶來(lái)的危害可能擊穿柵極與襯底之間起絕緣作用的氧化物(或氮化物)薄層。這項(xiàng)危害在正常工作的電路中是很小的，因?yàn)闁艠O受片內(nèi)齊納二極管保護(hù)，它可使電荷損耗至安全水平。
2023-05-08 09:36:042285 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）2023年底，清華大學(xué)與中國(guó)北京凝聚態(tài)物理國(guó)家實(shí)驗(yàn)室宣布，研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)使用獨(dú)立式氮化鎵襯底 （freestanding gallium nitride
2024-02-04 00:07:0011073 高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場(chǎng)效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
半導(dǎo)體在光電子器件中已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用,例如制作液晶顯示器、紫外光探測(cè)器都要用到p型寬帶隙氧化物半導(dǎo)體。目前這類(lèi)氧化物研究主要包括P型ZnO[1]與P型銅鐵礦結(jié)構(gòu)氧化物[2]-[8]。在這類(lèi)氧化物中,CuCrO2除了具有P型透明導(dǎo)電性以外,最近又報(bào)道了它的高溫?zé)犭娞厝南螺d
2010-04-24 09:00:59
襯底而引起了人們對(duì)大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問(wèn)題是在硅襯底上實(shí)現(xiàn)低位錯(cuò)密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會(huì)上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實(shí)踐，分享了Si
2018-11-05 09:51:35
，3000多種產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋無(wú)線、光纖、雷達(dá)、有線通信及軍事通信等領(lǐng)域，2016年?duì)I收達(dá)到了5.443億美元。氮化鎵是目前MACOM重點(diǎn)投入的方向，與很多公司的氮化鎵采用碳化硅（SiC）做襯底
2017-09-04 15:02:41
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
解決的問(wèn)題，以開(kāi)發(fā)適用于 III 族氮化物外延的 GaN 襯底的表面處理。 1. 介紹 單晶體 GaN 襯底是最有希望替代藍(lán)寶石襯底的候選者之一，藍(lán)寶石襯底常用于 III 族氮化物器件，如發(fā)光二極管 (LED
2021-07-07 10:26:01
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會(huì)這樣
2019-07-31 07:54:41
% 化學(xué)物及能源損耗，此外還能，再加上節(jié)省超過(guò) 50% 的包裝材料，那氮化鎵的環(huán)保優(yōu)勢(shì)，將遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
%。另外，以上研究結(jié)果都是建立在實(shí)驗(yàn)室基礎(chǔ)之上的，今后仍有很大的發(fā)展空間。圖4：利用“Na Flux（鈉助溶）法”和“Point Seed（點(diǎn)籽晶）法”可制作出高質(zhì)量、大尺寸的氮化硅襯底。利用“Na
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
請(qǐng)大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專(zhuān)場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢(qián)博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
隨著國(guó)家對(duì)節(jié)能減排的日益重視，成都LED燈市場(chǎng)的逐步啟動(dòng)，飛利浦、富士康等大公司涉足LED燈行業(yè)，LED概念股普漲，使得LED技術(shù)成為大眾熱點(diǎn)，下面簡(jiǎn)要概述LED襯底技術(shù)。上圖為LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖
2012-03-15 10:20:43
AN - 2000-055564 [05]11 48/66 - (C) WPI / DERWENT AN - 1999-363504 [31]【申請(qǐng)?zhí)枴?02802023 【發(fā)明名稱(chēng)】 獲得整體單晶性含鎵氮化物的方法及裝置【申請(qǐng)?zhí)枴?200410002946 【 發(fā)明名稱(chēng)】 制造第三族氮化物襯底的方法
2009-10-19 14:57:15
對(duì)LINIO2、LIMN2I4、LINIXCO1AXO2、V2O5也有較多的研究；固體電解質(zhì)膜方面以對(duì)LIPON膜的研究為主；陽(yáng)極膜方面以對(duì)鋰金屬替代物的研究為主，比如錫和氮化物、氧化物以及非晶硅膜，研究多集中在循環(huán)交通的提高。在薄膜鋰電池結(jié)構(gòu)方面，三維結(jié)構(gòu)將是今后研究的一個(gè)重要方向。
2011-03-11 15:44:52
目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專(zhuān)利技術(shù)，美國(guó)CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專(zhuān)利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國(guó)際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)
2010-06-07 11:27:281907 
LED襯底材料有哪些種類(lèi)
對(duì)于制作LED芯片來(lái)說(shuō)，襯底材料的選用是首要考慮的問(wèn)題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要
2011-01-05 09:10:255117 目前市場(chǎng)上LED用到的襯底材料有藍(lán)寶石、碳化硅SiC、硅Si、氧化鋅 ZnO、 以及氮化鎵GaN，中國(guó)市場(chǎng)上99%的襯底材料是藍(lán)寶石，而就全球範(fàn)圍來(lái)看，藍(lán)寶石襯底的LED市場(chǎng)份額也占到95%以上
2012-11-28 09:22:543324 LED外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，本文詳細(xì)介紹了LED外延片的相關(guān)內(nèi)容，包括產(chǎn)品介紹、襯底材料。
2012-12-05 10:37:148712 廈門(mén)大學(xué)的一個(gè)研究小組通過(guò)在高鋁組分氮化物深紫外線發(fā)光二極管表面覆蓋一層超薄的鋁膜，破解了制約這一發(fā)光器件得以更廣泛應(yīng)用的“光抽取效率”關(guān)鍵難題，為未來(lái)此類(lèi)器件在
2013-01-16 09:55:331744 白光LED正朝著更高光效、更好光色品質(zhì)、更高封裝密度和更高信賴性方向發(fā)展。其中的氮化物紅色熒光粉的性能直接影響到白光LED的光效、色溫、顯色指數(shù)以及使用壽命，特別是其抗高溫高濕性能的優(yōu)劣對(duì)于中高功率
2016-04-12 11:01:183869 南昌大學(xué)江風(fēng)益團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)硅襯底LED技術(shù)，使中國(guó)成為世界上繼日美之后第三個(gè)掌握藍(lán)光LED自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)技術(shù)的國(guó)家。這項(xiàng)高新技術(shù)和成功產(chǎn)業(yè)化，獲得了2015年度國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)，硅襯底時(shí)代隨即到來(lái)。
2016-05-11 16:38:437408 芯片是五面發(fā)光的，通常需要將將芯片置于支架內(nèi)，反光杯的開(kāi)口面積遠(yuǎn)大于芯片發(fā)光面積，導(dǎo)致單位面積光通量低，芯片表面顏色均勻性非常差，芯片正上方偏藍(lán)，而外圈偏黃。 基于氮化鎵的藍(lán)/白光LED的芯片結(jié)構(gòu)強(qiáng)烈依賴于所用的襯底材料。目前大部分廠商采用藍(lán)寶石作為襯底材料
2016-11-05 08:19:158606 當(dāng)代LED大部分是由一個(gè)組合的氮化銦鎵（InGaN）和藍(lán)寶石襯底。建筑作品，使得LED制造商提供150 lm/W，然而過(guò)量的參展功效產(chǎn)品，建筑也有一些缺點(diǎn)，鼓勵(lì)芯片制造商尋求其他選擇。
2017-06-01 10:49:39
4 研究人員以極限條件（即弱光、極低溫、強(qiáng)磁場(chǎng)）下的光電實(shí)驗(yàn)物理為主要研究方向，設(shè)計(jì)以LED（發(fā)光二極管）為光源的弱光光電導(dǎo)測(cè)量系統(tǒng)。
2017-10-13 18:27:208300 
和堅(jiān)持的結(jié)果。 赤崎和天野的研究小組，就在GaN類(lèi)藍(lán)色LED的開(kāi)發(fā)中做出了重要貢獻(xiàn)。赤崎在2001年獲得了應(yīng)用物理學(xué)會(huì)成就獎(jiǎng)，獲獎(jiǎng)理由中有這樣一段話：在GaN類(lèi)氮化物半導(dǎo)體材料和元器件的研發(fā)中，赤崎及其研究小組的研究是所有研究的出發(fā)點(diǎn)。通過(guò)開(kāi)發(fā)低
2017-10-16 13:04:4216 氮化鎵單晶材料生長(zhǎng)難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實(shí)現(xiàn)了“中國(guó)造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常快，同樣也是氮化物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710 氮化物寬禁帶半導(dǎo)體在微波功率器件和電力電子器件方面已經(jīng)展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應(yīng)用的新型氮化物電力電子器件。但是，材料結(jié)晶質(zhì)量差和電學(xué)性能低，是限制
2018-07-26 09:09:001153 
10月16日，日亞化學(xué)宣布，其與西鐵城電子、三菱化學(xué)、日本國(guó)立研究開(kāi)發(fā)法人物質(zhì)與材料研究機(jī)構(gòu)（NIMS）所共有的氮化物系紅色熒光體LED相關(guān)技術(shù)，近日已在美國(guó)獲準(zhǔn)專(zhuān)利權(quán)。
2018-10-17 14:50:002575 典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長(zhǎng)-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場(chǎng)板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。
2018-10-26 17:33:0611886 氮化鎵太赫茲HEMT研究中，短溝道效應(yīng)導(dǎo)致的跨導(dǎo)降低，將直接影響器件頻率特性。盡管高鋁組分與超薄勢(shì)壘外延結(jié)構(gòu)可以緩解短溝道效應(yīng)帶來(lái)的問(wèn)題，但同時(shí)也引起了歐姆接觸難以制備的問(wèn)題。選區(qū)再生長(zhǎng)n+GaN源
2018-11-06 14:59:467048 美國(guó)羅徹斯特理工學(xué)院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設(shè)計(jì)出一種垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu)，有助于提高M(jìn)icro LED顯示器的效率。
2019-03-15 11:22:414827 LED襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，其決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。目前，能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:034226 目前，LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長(zhǎng)技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅（Si）、碳化硅（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點(diǎn)。
2019-10-04 17:35:001641 
目前LED產(chǎn)業(yè)大多以2英寸或4英寸的藍(lán)寶石基板為主，如能采用硅基氮化鎵技術(shù)，至少可節(jié)省75%的原料成本。據(jù)日本三墾電氣公司估計(jì)，使用硅襯底制作大尺寸藍(lán)光氮化鎵LED的制造成本將比藍(lán)寶石襯底和碳化硅襯底低90%。
2019-09-12 16:03:314714 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院郝躍院士團(tuán)隊(duì)揭示了可剝離襯底上氮化物的成核機(jī)制，創(chuàng)新性開(kāi)發(fā)出柔性高亮度紫光發(fā)光二極管，相關(guān)研究成果在國(guó)際權(quán)威期刊《Advanced Optical Materials》上發(fā)表。
2019-12-03 14:56:111192 12月3日消息，西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院郝躍院士團(tuán)隊(duì)揭示了可剝離襯底上氮化物的成核機(jī)制，創(chuàng)新性開(kāi)發(fā)出柔性高亮度紫光發(fā)光二極管，相關(guān)研究成果在國(guó)際權(quán)威期刊《Advanced Optical Materials》上發(fā)表。
2020-01-30 16:41:004770 
據(jù)韓國(guó)消息報(bào)道，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院（KIST）于日前宣布，一個(gè)KIST團(tuán)隊(duì)已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出一種新的化合物，可以取代氮化鎵來(lái)生產(chǎn)藍(lán)光LED。
2020-03-09 16:49:224413 。III族氮化物化合物半導(dǎo)體具有帶隙可調(diào)的優(yōu)點(diǎn)，響應(yīng)波段范圍可覆蓋可見(jiàn)-紫外波段。GaN紫外傳感器具有體積小、靈敏度高、噪聲低、抗可見(jiàn)光干擾能力強(qiáng)、功耗低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。（以下為系列中部分產(chǎn)品）
2020-07-13 10:54:582256 據(jù)報(bào)道，武漢大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）襯底來(lái)降低氮化鎵接合邊界失配問(wèn)題的方法，提出PSSA襯底可提高銦氮化鎵、氮化鎵（InGaN/GaN）倒裝芯片可見(jiàn)光LED的效率。
2020-12-09 17:00:231183 研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地，預(yù)計(jì)年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬(wàn)片。 據(jù)蘇州納米城消息，該公司實(shí)現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開(kāi)發(fā)、突破了6英寸產(chǎn)品的關(guān)鍵核心技術(shù)，成為國(guó)內(nèi)唯一一家能夠同時(shí)批量提供2英寸高導(dǎo)
2021-01-28 09:19:342947 圖形化藍(lán)寶石襯底已經(jīng)在可見(jiàn)光LED領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用，其優(yōu)勢(shì)在于它不僅能有效改善外延生長(zhǎng)質(zhì)量，還可以提高LED的光提取效率?；谙冗M(jìn)的半導(dǎo)體仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)，我司技術(shù)人員開(kāi)發(fā)出了納米圖形襯底（NPSS
2021-02-23 11:01:281116 
據(jù)其介紹，目前公司主要產(chǎn)品包括2至6英寸圖形化藍(lán)寶石襯底（PSS）、圖形化復(fù)合材料襯底（MMS），廣泛應(yīng)用于氮化鎵基LED芯片制造。公司建立了廣東省半導(dǎo)體襯底工程技術(shù)研究中心，圍繞下一代氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)行襯底與外延一體化研發(fā)，持續(xù)拓展藍(lán)寶石襯底技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域。
2021-04-01 11:01:183187 
介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:205390 
近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術(shù)，得到了創(chuàng)紀(jì)錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。相關(guān)研究在《自然—通訊》上發(fā)表。
2021-05-24 10:43:386263 第三族氮化物已成為短波長(zhǎng)發(fā)射器、高溫微波晶體管、光電探測(cè)器和場(chǎng)發(fā)射尖端的通用半導(dǎo)體。這些材料的加工非常重要，因?yàn)樗鼈兙哂挟惓８叩逆I能。綜述了近年來(lái)針對(duì)這些材料發(fā)展起來(lái)的濕法刻蝕方法。提出了通過(guò)
2022-02-23 16:20:243269 
區(qū)域上方形成厚度小于存在于第二區(qū)域中的含氮化物層的厚度的含氮化物層。在第一多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)和第二多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)上由含氮化物層形成介電間隔物。 背景 本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和器件。更具體地，本公開(kāi)涉及在半導(dǎo)體器件的制造中采
2022-02-24 13:44:382380 
氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動(dòng)力趨勢(shì)是led，微波，以及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學(xué)和納米帶晶體管，利用了氮化鎵的一些
2022-03-23 14:15:082074 
氮化鋁(AlN)是一種六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的共價(jià)鍵化合物，晶格參數(shù)為a=3.114，c=4.986。純氮化鋁呈藍(lán)白色，通常為灰色或灰白色，是典型的III-Ⅴ族寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2022-03-23 14:27:463366 本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及(c
2022-04-24 14:58:511655 
Micro LED被譽(yù)為新時(shí)代顯示技術(shù)，但目前仍面臨關(guān)鍵技術(shù)、良率、和成本的挑戰(zhàn)。 微米級(jí)的Micro LED已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝，邁入類(lèi)IC制程。相對(duì)其它競(jìng)爭(zhēng)方案，大尺寸硅襯底氮化鎵（GaN
2022-08-17 12:25:421759 制造大直徑GaN襯底的要點(diǎn)（鈉熔劑法） 豐田合成表示，6英寸功率半導(dǎo)體氮化鎵襯底的研發(fā)得益于早期LED氮化鎵襯底技術(shù)的積累。
2022-11-18 12:33:263244 研究機(jī)構(gòu)Yole Intelligence日前發(fā)布對(duì)化合物半導(dǎo)體襯底市場(chǎng)的預(yù)測(cè)，認(rèn)為在功率和光學(xué)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，到2027年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到24億美元，2021-2027年間復(fù)合年增長(zhǎng)率為16%。 該機(jī)
2022-11-21 10:31:392028 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337276 
硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264975 
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體， 氮化鎵主要還是用于LED（發(fā)光二極管），微電子（微波功率和電力電子器件），場(chǎng)效電晶體（MOSFET）。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。
2023-02-06 17:38:136685 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:342743 
氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢(shì)，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域；硅基氮化鎵功率器件主要應(yīng)用于電力電子器件領(lǐng)域。雖然
2023-02-10 10:52:524735 
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)化合物，它是一種稀有的金屬氮化物，具有高熔點(diǎn)、高硬度和良好的電學(xué)性能。它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，也可以用于制造磁性材料、磁性薄膜和磁性線圈。
2023-02-14 13:56:1910382 硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:36:082354 在碳化硅(SiC)上開(kāi)發(fā)了更薄的III族氮化物結(jié)構(gòu)，以期實(shí)現(xiàn)高功率和高性能高頻薄高電子遷移率晶體管和其他器件。新結(jié)構(gòu)使用
高質(zhì)量的60納米無(wú)晶界氮化鋁成核層來(lái)避免大面積的擴(kuò)展缺陷，而不是1-2米厚的氮化鎵緩沖層(圖1)。成核層允許在0.2 m內(nèi)生
長(zhǎng)高質(zhì)量的氮化鎵。
2023-02-15 15:34:524 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動(dòng)力趨勢(shì)是led，微波，以
及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學(xué)和納米帶晶體管，利用了氮化鎵
2023-02-21 14:57:374 研究采用電感耦合等離子體刻
蝕法對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕，刻蝕氣體為氯氣，添加氣體為三氯化硼。研究了刻蝕氣體流量、電感耦合等離
子體功率、射頻功率和室壓等關(guān)鍵工藝參數(shù)對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)刻蝕性
2023-02-22 15:45:411 郝躍院士長(zhǎng)期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體短波長(zhǎng)光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。
2023-04-26 10:21:321473 由靜電荷積累（V=q/C=1kV/nC/pF）而形成的靜電電壓帶來(lái)的危害可能擊穿柵極與襯底之間起絕緣作用的氧化物(或氮化物)薄層。這項(xiàng)危害在正常工作的電路中是很小的，因?yàn)闁艠O受片內(nèi)齊納二極管保護(hù)，它可使電荷損耗至安全水平。
2023-05-08 09:37:07827 
摘要：為了系統(tǒng)地了解氮化硼在填充聚合物導(dǎo)熱復(fù)合材料中的應(yīng)用研究現(xiàn)狀，介紹了聚合物／氮化硼復(fù)合材料的導(dǎo)熱機(jī)理，綜述了氮化硼的粒徑、含量、表面改性以及與其他填料雜化復(fù)合等因素對(duì)聚合物復(fù)合材料導(dǎo)熱性
2022-11-17 17:40:567645 
基于具有規(guī)則六邊形孔的納米圖案化氮化鋁AlN/藍(lán)寶石模板，藍(lán)寶石氮化預(yù)處理和解理面的有序橫向生長(zhǎng)，保證了離散的氮化鋁AlN柱，以均勻的面外和面內(nèi)取向結(jié)合，有效地抑制了凝聚過(guò)程中穿透位錯(cuò)threading dislocations的再生。
2023-06-25 16:26:111515 
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào)，是制備藍(lán)綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。
2023-08-04 11:47:572103 
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中，襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延膜生長(zhǎng)的襯底材料。
2023-08-10 10:53:312650 
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。
使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:315816 近日，日本化工企業(yè)旭化成（Asahi Kasei）旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布，公司生產(chǎn)出了首款4英寸氮化鋁（AlN）襯底，展示了公司生長(zhǎng)氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴(kuò)展性，以滿足各類(lèi)應(yīng)用的生產(chǎn)需求。
2023-08-29 14:37:292540 硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專(zhuān)業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用?；诠?b class="flag-6" style="color: red">襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化開(kāi)發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:311829 
由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:581043 
GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實(shí)現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒(méi)有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導(dǎo)致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:221303 
GaN性能優(yōu)異，在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛，發(fā)展?jié)摿薮螅贿M(jìn)一步發(fā)展，需提升材料質(zhì)量，制備高質(zhì)量氮化鎵同質(zhì)襯底。
2023-12-09 10:24:572079 三五族氮化物半導(dǎo)體材料，包括氮化鎵，氮化鋁，氮化銦及其它們的合金，以其獨(dú)特的直接帶隙半導(dǎo)體特性和從0.6eV到6.2eV連續(xù)可調(diào)禁帶寬度特點(diǎn)，非常適用于光電材料與器件的應(yīng)用開(kāi)發(fā)和研究。
2023-12-21 09:46:331720 
來(lái)了解一下氮化鎵開(kāi)關(guān)管的基本結(jié)構(gòu)。它由氮化鎵（GaN）和鋁鎵氮化物（AlGaN）等半導(dǎo)體材料組成，這些材料具有優(yōu)異的電特性，能夠?qū)崿F(xiàn)高電壓、高頻率和高功率的開(kāi)關(guān)操作。而四個(gè)電極則起到了不同的作用。 首先是柵極（G）：柵極是氮化鎵開(kāi)關(guān)管的控制電極，通過(guò)
2023-12-27 14:39:182374 III族氮化物半導(dǎo)體可用于固態(tài)照明、電源和射頻設(shè)備的節(jié)能。
2023-12-28 09:15:062283 
晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長(zhǎng)一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:416141 當(dāng)前，人們正在致力于研發(fā)氮化鎵和其他III族氮化物的高功率、高頻率器件。
2024-01-11 09:50:461989 
近日，中國(guó)臺(tái)灣和遼寧省分別傳來(lái)好消息，兩家新的SiC（碳化硅）襯底工廠正式落成或正在積極推進(jìn)中，合計(jì)年產(chǎn)能將達(dá)到7.2萬(wàn)片。
在中國(guó)臺(tái)灣，SiC新玩家格棋化合物半導(dǎo)體于10月23日舉行
2024-10-25 11:20:281364 在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場(chǎng)景中嶄露頭角，成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對(duì)于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 
在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能，在眾多高端芯片制造領(lǐng)域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開(kāi)拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而，要想充分發(fā)揮
2025-01-17 09:27:36420 在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性卻常常受到一個(gè)隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動(dòng)著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測(cè)量的精準(zhǔn)度卻時(shí)刻面臨著一個(gè)來(lái)自暗處的挑戰(zhàn)
2025-01-22 09:43:37449 橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。將這一材料體系擴(kuò)展至更高電壓等級(jí)需要器件設(shè)計(jì)和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)了臺(tái)灣研究團(tuán)隊(duì)在工程襯底上開(kāi)發(fā)1500V擊穿
2025-05-28 11:38:15674 
8英寸碳化硅襯底工廠。 ? 得益于最早在電動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)逆變器上的大規(guī)模應(yīng)用，根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，ST是2022年全球碳化硅器件市場(chǎng)上份額最高的企業(yè)。而三安光電是國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體IDM龍頭，在LED業(yè)務(wù)之外，還在砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等領(lǐng)域
2023-06-09 09:14:436410
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