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Z3 2.5 寸 SATA 固態(tài)硬盤(pán)（簡(jiǎn)稱 Z3 盤(pán)）是領(lǐng)存公司推出的高端存儲(chǔ)產(chǎn)品，專用于工業(yè)、汽車電子、 醫(yī)療設(shè)備、航空航海等特殊領(lǐng)域。
Z3 盤(pán)匯聚了領(lǐng)存公司多項(xiàng)核心技術(shù)，包括采用具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的 RS3502 SATA3 主控芯片、高糾 錯(cuò)能力的閃存管理算法和成熟固件、獨(dú)特的閃存測(cè)試和篩選技術(shù)等，在產(chǎn)品的讀寫(xiě)傳輸速率穩(wěn)定性、 讀寫(xiě)耐久性、數(shù)據(jù)保存時(shí)間、以及工作溫度范圍等各項(xiàng)性能指標(biāo)方面有著極為出色的表現(xiàn)，在行業(yè)類 遙遙領(lǐng)先，極大地滿足了關(guān)鍵任務(wù)中對(duì)存儲(chǔ)應(yīng)用的高性能穩(wěn)定性及耐久性的需求。
另外，Z3 盤(pán)具有全面的數(shù)據(jù)管理技術(shù)，包括 256 位 AES 數(shù)據(jù)加密技術(shù)、安全擦除技術(shù)、防寫(xiě)入技 術(shù)、徹底的物理銷毀技術(shù)、以及掉電保護(hù)技術(shù)等，可根據(jù)客戶需求實(shí)現(xiàn) AES 加密及各種數(shù)據(jù)安全刪除、 銷毀等定制化功能，成為一款關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用存儲(chǔ)的首選產(chǎn)品。
產(chǎn)品功能框圖：
產(chǎn)品主要功能、性能：
主控芯片性能優(yōu)異、且自主可控： 采用領(lǐng)存自主研發(fā)的 RS3502 芯片，外掛 DDR3 SDRAM,閃存 ECC 糾錯(cuò)能力高達(dá) 80bit/1KB。
出色的讀寫(xiě)性能： 采用 SATA III（6.0Gbps）接口，讀寫(xiě)傳輸速率高達(dá) 500MB/S，且傳輸速率穩(wěn)定性高達(dá) 85%以上， 不會(huì)出現(xiàn)大幅掉速現(xiàn)象 。
超長(zhǎng)的讀寫(xiě)壽命和數(shù)據(jù)保存時(shí)間： 符合 JESD47 標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)基于獨(dú)家 Non-Balance 磨損平衡技術(shù)，寫(xiě)入壽命可達(dá)到同類產(chǎn)品的 3 倍。
多種定制化功能： 可提供數(shù)據(jù)加密、寫(xiě)保護(hù)、數(shù)據(jù)安全刪除、一鍵物理自毀和邏輯自毀等定制化功能 。
超強(qiáng)的高低溫環(huán)境適應(yīng)性： 標(biāo)準(zhǔn)品工作溫度為-40°C 至+85°C，也可根據(jù)客戶的特殊要求，提供更寬工作溫度范圍的產(chǎn)品。
產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)格和參數(shù)：
工作環(huán)境
| 規(guī)格名稱 | 規(guī)格描述 |
| 工作溫度 | -40 ~ +85℃ |
| 儲(chǔ)存溫度 | -50~ +95°C |
| 相對(duì)濕度 | 5-95% |
| 振動(dòng) | 16.4 G (10Hz-2000Hz ) |
| 沖擊 | 1500G(@0.5ms 半正弦波) |
電氣規(guī)格
| 規(guī)格名稱 | 規(guī)格描述 |
| 工作電壓 | 5V (±5%) |
| 平均功耗（讀/寫(xiě)） | 3W / 10W @ 2TB |
| 待機(jī)功耗 | 1.5W |
| 過(guò)壓過(guò)流保護(hù) | 支持 |
機(jī)械規(guī)格
| 規(guī)格名稱 | 規(guī)格描述 |
| 產(chǎn)品顏色 | 黑色 |
| 產(chǎn)品外形尺寸 | 2.5 寸，長(zhǎng) 100.0mm，寬 70.0mm，高 9.5mm（備注：詳見(jiàn)附錄 A） |
| 外殼材料 | 鋁合金 |
| 連接器 | 標(biāo)準(zhǔn) SATA 7p+15P, 公座 |
接口和數(shù)據(jù)傳輸
| 規(guī)格名稱 | 規(guī)格描述 |
| SATA | 6.0Gbps |
| 順序讀速率 | 516 MB/s（典型值）（備注：@1TB ? MLC SSD） |
| 順序?qū)懰俾?/td> | 442 MB/s (典型值）（備注：@1TB MLC SSD） |
| 隨機(jī)讀（4K） | 15.5MB/s（典型值）（備注：@1TB ? MLC SSD） |
| 隨機(jī)寫(xiě)速率（4K） | 11.3MB/s（典型值）（備注：@1TB ? MLC SSD） |
| 讀寫(xiě)速率穩(wěn)定性 | 讀寫(xiě)性能始終不低于最佳值的 85% |
| 訪問(wèn)時(shí)間 | <0.1ms（備注：@1TB ? MLC SSD） |
固態(tài)存儲(chǔ)管理
| 規(guī)格名稱 | 規(guī)格描述 |
| 容量 |
256GB~ 2TB (MLC) 8GB~1TB (SLC) |
| NCQ | 支持 |
| SMART | 支持 |
| Trim | 支持 |
| 數(shù)據(jù)加密 | AES 128/256 |
| 磨損平衡 | 支持靜態(tài)和動(dòng)態(tài)磨損平衡（備注：基于 Non-balance 平衡技術(shù)） |
| 硬件 ECC 糾錯(cuò) | 80bit/1KB |
| 斷電保護(hù) | 板載超級(jí)電容蓄電模式（備注：數(shù)據(jù)首先寫(xiě)入到 DDR，然后到閃 存。在斷電的情況下，電容器將 ? 保證數(shù)據(jù)從 DDR 轉(zhuǎn)移到 NAND 閃存中以保證數(shù)據(jù)完整性） |
| 寫(xiě)入耐久性 | >25年@ 100GB /天擦寫(xiě) ( 32GB SLC ) |
| 讀取耐久性 | 符合JESD47標(biāo)準(zhǔn) |
| 數(shù)據(jù)完整性（25℃） | 數(shù)據(jù)保持時(shí)間不小于10 年 |
| 一鍵銷毀（可選） |
1.專用銷毀電路，徹底燒毀每個(gè)NAND ? Flash的內(nèi)部 晶元電路； 2.觸發(fā)機(jī)制：可以采用所連通的外部硬件按鈕或其 他方式。 （備注：一旦觸發(fā)銷毀功能，則開(kāi)始銷毀 閃存，即使電源停止，銷毀也不 會(huì)停止，上電時(shí)會(huì)自動(dòng)啟動(dòng)。） |
| 安全擦除(可選） | 支持銷毀密鑰、塊擦除等方式 |
| 寫(xiě)保護(hù)（可選） | 硬件開(kāi)關(guān)觸發(fā)機(jī)制；一旦觸發(fā)寫(xiě)保護(hù)功能，整個(gè)硬 盤(pán)就處于只讀狀態(tài)，禁止新數(shù)據(jù)寫(xiě)入。 |
其他
| 規(guī)格名稱 | 規(guī)格描述 |
| 溫度條（可選） | 盤(pán)體溫度指示（備注：貼于外殼表面） |
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