關(guān)于GaN基肖特基二級管結(jié)終端設(shè)計(jì)的思路探討

天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)近期對GaN基肖特基二極管（SBD）器件的邊緣結(jié)終端進(jìn)行了設(shè)計(jì)與器件制備［圖1（a）］，該器件架構(gòu)解決了傳統(tǒng)溝槽MOS型肖特基二極管（TMBS）器件溝槽邊緣處電場過大和正向?qū)顟B(tài)下面臨的電流擁擠問題［如圖1（b）和（c）所示］；同時，技術(shù)團(tuán)隊(duì)利用半導(dǎo)體仿真技術(shù)對相關(guān)器件物理機(jī)理進(jìn)行了詳細(xì)詮釋和論述。

該成果被發(fā)表在應(yīng)用物理學(xué)領(lǐng)域SCI 期刊 AIP Advances 11， 045316 （2021）。

TMBS器件通過電荷耦合效應(yīng)（charge-coupling effect）可以有效減小金屬/半導(dǎo)體接觸界面的電場強(qiáng)度，一方面可以降低鏡像力導(dǎo)致的反向工作狀態(tài)下漏電流增加的問題，同時可以提高器件的擊穿電壓；然而垂直溝槽的TMBS器件架構(gòu)在溝槽邊緣處電場過強(qiáng)，因此為了減小溝槽處的電場強(qiáng)度，需要對側(cè)壁絕緣層的厚度及介電常數(shù)進(jìn)行適當(dāng)選擇。

另外，垂直溝槽的TMBS器件電流擁擠效應(yīng)較為嚴(yán)重，容易造成嚴(yán)重的復(fù)合效應(yīng)，因此漂移層的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)顯著降低；而采用傾斜溝槽的TMBS器件可以解決上述問題。

圖 1 （a） GaN 基肖特基二極管（SBD）器件的邊緣終結(jié)構(gòu)圖，（b）溝槽邊緣電場強(qiáng)度分布圖，（c）橫向電流分布圖。

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2025-07-17 18:29:59

肖特基二極管四通道混頻器芯片采用薄膜框架 skyworksinc

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2025-07-15 18:33:03

硅肖特基勢壘二極管：封裝、可鍵合芯片和光束引線 skyworksinc

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2025-07-15 18:32:18

硅無光束肖特基二極管 - 成對和四成對 skyworksinc

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2025-07-14 18:33:30

零偏置硅肖特基勢壘探測器二極管 skyworksinc

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2025-07-14 18:33:02

Hyperabrupt 結(jié)調(diào)諧變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管陶瓷封裝 skyworksinc

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2025-07-11 18:30:46

突變結(jié)變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管陶瓷封裝 skyworksinc

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2025-07-10 18:29:59

蔡司培訓(xùn)｜提升技能必看——AUKOM 一級/二級課程培訓(xùn)

AUKOM 一級課程通過系統(tǒng)的分析測量誤差，即工件、環(huán)境、測量機(jī)、操作人員、測量策略，五個方面分析誤差因子，保證策量結(jié)果的準(zhǔn)確性。 AUKOM 二級課程是在AUKOM 一級的基礎(chǔ)上，更深入的展開

2025-06-03 14:26:56

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合科泰肖特基二極管有什么優(yōu)勢

在現(xiàn)代電子電路中，肖特基二極管憑借其獨(dú)特的物理特性，成為高頻、低壓場景的核心器件。這類二極管核心結(jié)構(gòu)為金屬 - 半導(dǎo)體結(jié)(肖特基結(jié))，以“快、省、穩(wěn)”三大核心優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、新能源汽車

2025-05-20 10:48:57

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無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解

當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）垂直于溝道方向有一個 PN結(jié)，隧道穿透

2025-05-16 17:32:07

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肖特基二極管的特點(diǎn)是什么？

在電子電路的二極管家族中，肖特基二極管猶如一位“短跑健將”，憑借獨(dú)特的物理結(jié)構(gòu)和電氣特性，在高頻整流、快速開關(guān)等場景中占據(jù)不可替代的地位。與傳統(tǒng)硅基PN結(jié)二極管不同，它通過“金屬-半導(dǎo)體結(jié)”（肖特基

2025-05-15 15:36:42

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二級浪涌電路之退耦電感選型

二級浪涌防雷電路設(shè)計(jì)

2025-05-12 15:31:41

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肖特基二極管在開關(guān)電源中的作用

肖特基二極管是一種由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢壘層為基礎(chǔ)制成的二極管，也可稱為肖特基勢壘二極管，屬于金屬半導(dǎo)體結(jié)型二極管。作為一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，其主要特點(diǎn)是正向?qū)▔航敌?、反向恢?fù)時間短和開關(guān)損耗小，因此廣泛應(yīng)用在變頻器、開關(guān)電源、模塊電源、驅(qū)動電路等場合。

2025-05-06 17:45:47

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高溫環(huán)境下的MDD肖特基二極管設(shè)計(jì)：如何避免熱失效？

在高溫環(huán)境下，肖特基二極管（SchottkyDiode）以其低正向壓降和快速開關(guān)特性被廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動及新能源系統(tǒng)中。然而，由于其PN結(jié)被金屬-半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)取代，其溫度特性與普通PN結(jié)

2025-04-17 12:39:51

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安泰電壓放大器在雪崩光電二級管輻射特性研究中的應(yīng)用

實(shí)驗(yàn)名稱：雪崩光電二級管電致發(fā)光輻射特性的研究測試目的：雪崩光電二極管是一種高速、高靈敏的二極管。相比于通常的光電倍增管，APD具有高量子效率、高穩(wěn)定性，對于外部環(huán)境具有很強(qiáng)的適應(yīng)性。因此APD在

2025-04-17 11:41:45

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肖特基二極管vs超快恢復(fù)二極管：哪種MDD高效率整流管更適合你的應(yīng)用？

的器件成為工程師的重要決策點(diǎn)。1.工作原理對比?肖特基二極管（SchottkyDiode）采用金屬-半導(dǎo)體結(jié)（MS結(jié)）結(jié)構(gòu)，載流子為多數(shù)載流子（電子）。具有低正向壓

2025-04-01 09:46:01

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PN結(jié)的整流特性：MDD整流二極管的核心物理機(jī)制

MDD整流二極管是電力電子和信號處理電路中的重要器件，其核心工作原理依賴于PN結(jié)的整流特性。PN結(jié)是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體構(gòu)成的基本結(jié)構(gòu)，通過其單向?qū)щ娦?，?shí)現(xiàn)交流到直流的轉(zhuǎn)換。MDD本文將深入

2025-03-21 09:36:46

1410

快恢復(fù)二極管與肖特基二極管的異同點(diǎn)解析

在電力電子和開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，快恢復(fù)二極管和肖特基二極管是兩類高頻應(yīng)用中的核心器件。盡管兩者均用于整流和開關(guān)場景，但其工作原理、性能特點(diǎn)及適用場景存在顯著差異。一、結(jié)構(gòu)差異快恢復(fù)二極管（FRD）結(jié)構(gòu)

2025-02-24 15:37:56

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GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng)硅基,引領(lǐng)科技新紀(jì)元

中的未來前景。如今，電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會問道：現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 有許多優(yōu)勢。GaN 是寬帶隙半導(dǎo)體，可以讓功率開關(guān)在高溫下工作并實(shí)現(xiàn)高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高

2025-02-11 13:44:55

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為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管

SiC（碳化硅）肖特基二極管正逐步取代傳統(tǒng)的FRD（快恢復(fù)二極管），成為新一代電力電子設(shè)備的核心元件。本文將深入探討這一趨勢背后的原因，并探究BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在性能、效率和應(yīng)用方面的優(yōu)勢。 BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管

2025-02-06 11:51:05

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