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碳化硅肖特基二極管:NDSH20120C-F155的技術(shù)剖析

h1654155282.3538 ? 來源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-12-01 15:55 ? 次閱讀
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碳化硅肖特基二極管:NDSH20120C-F155的技術(shù)剖析

電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美(onsemi)的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH20120C - F155,深入探討它的特性、參數(shù)和應(yīng)用。

文件下載:onsemi NDSH20120C-F155碳化硅肖特基二極管.pdf

碳化硅肖特基二極管的技術(shù)優(yōu)勢

碳化硅肖特基二極管采用了全新技術(shù),與傳統(tǒng)硅二極管相比,具有卓越的開關(guān)性能和更高的可靠性。它沒有反向恢復(fù)電流,開關(guān)特性不受溫度影響,并且具備出色的熱性能,這些特點(diǎn)使碳化硅成為下一代功率半導(dǎo)體的首選材料。使用碳化硅肖特基二極管的系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度,同時(shí)降低電磁干擾(EMI),減小系統(tǒng)尺寸和成本。

NDSH20120C - F155的特點(diǎn)

電氣特性

  • 最大結(jié)溫:可達(dá)175°C,這使得它能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,適應(yīng)各種惡劣的工業(yè)和汽車應(yīng)用場景。
  • 雪崩額定能量:為166 mJ,能夠承受單次脈沖雪崩能量,增強(qiáng)了器件的可靠性和穩(wěn)定性。
  • 高浪涌電流能力:可以應(yīng)對(duì)瞬間的高電流沖擊,保證系統(tǒng)在異常情況下的安全運(yùn)行。
  • 正溫度系數(shù):便于多個(gè)二極管并聯(lián)使用,提高系統(tǒng)的功率處理能力。
  • 無反向恢復(fù)和正向恢復(fù):減少了開關(guān)損耗,提高了系統(tǒng)效率。
  • 環(huán)保特性:該器件無鹵素、無溴化阻燃劑(BFR),符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

適用于通用開關(guān)電源(SMPS)、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)以及功率開關(guān)電路等領(lǐng)域。這些應(yīng)用場景對(duì)二極管的性能和可靠性要求較高,NDSH20120C - F155能夠很好地滿足這些需求。

關(guān)鍵參數(shù)解讀

絕對(duì)最大額定值

符號(hào) 參數(shù) 單位
VRRM 重復(fù)峰值反向電壓 1200 V
EAS 單脈沖雪崩能量 166 mJ
IF 連續(xù)整流正向電流(Tc < 149°C) 20 A
連續(xù)整流正向電流(Tc < 135°C) 26 A
lF.Max 非重復(fù)峰值正向浪涌電流(Tc = 25°C,10 μs) 896 A
非重復(fù)峰值正向浪涌電流(Tc = 150°C,10 μs) 854 A
IF.SM 非重復(fù)正向浪涌電流(半正弦脈沖,tp = 8.3 ms) 119 A
IF.RM 重復(fù)正向浪涌電流(半正弦脈沖,tp = 8.3 ms) 40 A
Ptot 功率耗散(Tc = 25°C) 214 W
功率耗散(Tc = 150°C) 35 W
TJ, TSTG 工作和存儲(chǔ)溫度范圍 -55 至 +175 °C

這些參數(shù)定義了器件在正常工作和極端情況下的性能極限。例如,重復(fù)峰值反向電壓為1200 V,意味著該二極管能夠承受高達(dá)1200 V的反向電壓而不被擊穿。而單脈沖雪崩能量為166 mJ,表明它在承受瞬間高能量沖擊時(shí)具有一定的可靠性。

熱特性

符號(hào) 參數(shù) 單位
RaJC 結(jié)到外殼的熱阻(最大) 0.7 °C/W
RBJA 結(jié)到環(huán)境的熱阻(最大) 40 °C/W

熱阻是衡量器件散熱性能的重要指標(biāo)。結(jié)到外殼的熱阻越小,說明器件內(nèi)部產(chǎn)生的熱量能夠更有效地傳遞到外殼,進(jìn)而散發(fā)到周圍環(huán)境中。這對(duì)于保證器件在高功率運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性至關(guān)重要。

電氣特性

符號(hào) 參數(shù) 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
VF 正向電壓 IF = 20 A,TJ = 25°C 1.38 1.75 V
IF = 20 A,TJ = 125°C 1.64 V
IF = 20 A,TJ = 175°C 1.87 V
IR 反向電流 VR = 1200 V,T = 25°C 2.06 200 μA
VR = 1200 V,T = 125°C 6.25 200 μA
VR = 1200 V,TJ = 175°C 15.7 200 μA
Qc 總電容電荷 V = 800 V 100 nC
C 總電容 VR = 1 V,f = 100 kHz 1480 pF
VR = 400 V,f = 100 kHz 82 pF
VR = 800 V,f = 100 kHz 58 pF

正向電壓和反向電流是二極管的重要電氣參數(shù)。正向電壓越低,說明二極管在導(dǎo)通時(shí)的損耗越??;反向電流越小,說明二極管在反向偏置時(shí)的泄漏電流越小,能夠更好地阻止電流反向流動(dòng)。

典型特性曲線

文檔中還給出了一系列典型特性曲線,包括正向特性、反向特性、電流降額、功率降額、電容電荷與反向電壓關(guān)系以及電容與反向電壓關(guān)系等曲線。這些曲線直觀地展示了二極管在不同工作條件下的性能變化,對(duì)于工程師進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和優(yōu)化具有重要的參考價(jià)值。

機(jī)械尺寸和封裝信息

該二極管采用TO - 247 - 2LD封裝,文檔詳細(xì)給出了封裝的機(jī)械尺寸和公差信息。在進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)時(shí),這些尺寸信息是非常關(guān)鍵的,能夠確保二極管正確安裝在電路板上,同時(shí)避免與其他元件發(fā)生干涉。

總結(jié)

NDSH20120C - F155碳化硅肖特基二極管憑借其卓越的性能和環(huán)保特性,在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。作為電子工程師,我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí),需要充分考慮二極管的各項(xiàng)參數(shù)和特性,結(jié)合具體的應(yīng)用場景進(jìn)行合理選擇。大家在實(shí)際應(yīng)用中有沒有遇到過類似二極管的選型問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

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