結(jié)構(gòu)。因此，<100>硅的各向異性蝕刻是普通基于MEMS的技術(shù)中實現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵過程。這些結(jié)構(gòu)包括晶體管的v形凹槽、噴墨的小孔和MEMS壓力傳感器的隔膜。實際的反應(yīng)機(jī)理尚不清楚，該過程
2022-03-08 14:07:25
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的蝕刻溶液內(nèi)進(jìn)行蝕刻。（圖3、圖4） 在連接到陽兢的半導(dǎo)體硅基板上，將連接到陰極的鉑線纏繞在夾子上的鉑電極對向，在夾子中放入氮氣泡泡，通過該泡泡注入地素的半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法，一種半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法，使氮氣泡沫器與
2022-03-24 16:47:484409 
察到的室溫可見光致發(fā)光1 (PL)已經(jīng)證明了用于光電應(yīng)用的實用、高效硅基發(fā)射器的潛力。 多孔硅層已經(jīng)由(100)取向的n型硅片制備。用掃描電鏡、紅外光譜和熒光光譜表征了多孔硅的形態(tài)和光學(xué)性質(zhì)。研究了陽極氧化溶液中不同蝕刻時間對多孔硅結(jié)
2022-03-25 17:04:444123 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011908 
本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡單技術(shù)，通過使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一起使用的某些溶液的蝕刻各向異性大于600∶1
2022-05-05 10:59:151463 
引起的，濕法清洗和干法蝕刻清洗工藝被用于去除多晶硅蝕刻殘留物，這可能影響電特性和進(jìn)一步的器件工藝。XPS結(jié)果表明，濕法清洗適用于蝕刻殘留物的去除。
2022-05-06 15:49:501922 
接上回的實驗演示 ? 實驗演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑； 3.去除氧化物掩模并進(jìn)一步各向異性蝕刻以
2022-05-11 14:49:581342 
在硝酸和氫氟酸的混合溶液中，不同濃度的硝酸對硅片總厚度和重量損失、腐蝕速率、形貌和結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明，總厚度和失重率隨著硝酸濃度和腐蝕時間的增加而增加。硝酸濃度越高，蝕刻速度越快，蝕刻時間越長，蝕刻
2022-06-14 13:54:301646 
本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴?b class="flag-6" style="color: red">硅微米和納米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強化學(xué)氣相沉積來沉積二氧化硅，以產(chǎn)生硬掩模
2022-07-08 15:46:162154 
蝕刻機(jī)理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因為不同晶面的Si原子
2022-07-11 16:07:222920 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:065995 
在多孔電極中，固相導(dǎo)電顆粒組成電子導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，分布在孔隙電解液構(gòu)成的液相離子傳輸網(wǎng)絡(luò)中，因此多孔電極中電子導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)和離子傳輸網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)設(shè)計與電極性能密切相關(guān)。
2023-03-20 10:16:487266 XNRGI這家初創(chuàng)公司希望打破這種局面，計劃以量產(chǎn)為目的推出“多孔”硅電池，它比傳統(tǒng)鋰離子電池有更好的能量密度和更低的制造成本，并且使用起來也更安全。
2019-07-21 17:55:454691 摘要 本文報道了鉑輔助化學(xué)化學(xué)蝕刻制備的多孔氮化鎵的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能。掃描電鏡圖像顯示，孔隙的密度隨著蝕刻時間的增加而增加，而蝕刻時間對孔隙的大小和形狀沒有顯著影響。原子力顯微鏡測量結(jié)果表明，表面
2022-04-27 16:55:321859 
超聲增強化學(xué)腐蝕被用來制作多孔硅層，通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層，發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用這種方法可以制作品質(zhì)因數(shù)高得多的多孔硅微腔，由超聲波蝕刻
2022-05-06 17:06:511776 
的沖擊韌性，應(yīng)用于汽車工業(yè)，將有效降低交通事故給乘客帶來的傷害。應(yīng)該將多孔結(jié)構(gòu)對機(jī)械性能的影響分成直接的與間接的兩種影響。例如加快（或減緩）擴(kuò)散過程，對相變的作用這類孔隙的間接影響在于會形成某些結(jié)構(gòu)。氣孔
2018-11-09 11:00:10
除了垂直，還向兩側(cè)蝕刻。隨著深度增加，兩側(cè)金屬面的蝕刻面積也在加大。開始的部分被蝕刻的時間長，向兩側(cè)蝕刻的深度也大，形成嚴(yán)重側(cè)蝕，底部蝕刻時間較短，側(cè)蝕相對輕微。側(cè)蝕能使凸面的線條或網(wǎng)點變細(xì)變小，反之
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
AFE4900光學(xué)結(jié)構(gòu)如何設(shè)計？
2024-11-28 07:47:21
簡述如下： 1 物理及化學(xué)方面 1）蝕刻液的濃度：應(yīng)根據(jù)金屬腐蝕原理和銅箔的結(jié)構(gòu)類型，通過試驗方法確定蝕刻液的濃度，它應(yīng)有較大的選擇余地，也就是指工藝范圍較寬。 2）蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻
2018-09-11 15:19:38
波導(dǎo)耦合器由于低插損，高功率，高定向性微波通信，測試測量等場合有大量的使用。同時波導(dǎo)耦合器由于是三維結(jié)構(gòu)，耦合方式多種多樣（寬邊/窄邊/多路/平行/交叉耦合），其中應(yīng)用非常廣泛的一種結(jié)構(gòu)是貝茲孔
2019-06-26 06:11:35
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
各向異性（晶體）化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù)，其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是：（1）具有原子級光滑面的光學(xué)設(shè)備（波導(dǎo)、激光器）減少損失（2）MEMS，其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
還改變了濕蝕刻輪廓GaAs 與沒有表面處理的晶片相比，反應(yīng)限制蝕刻更具各向同性；簡介 光刻膠的附著力對濕蝕刻的結(jié)果以及隨后的電氣和光學(xué)器件的產(chǎn)量起著關(guān)鍵作用。有許多因素會影響光刻膠對半導(dǎo)體襯底的粘附
2021-07-06 09:39:22
損傷并平滑垂直側(cè)壁。圖中。 在 TMAH 溶液中化學(xué)拋光不同時間后的 GaN m 面和 a 面?zhèn)缺诘?SEM 圖像。(a) 六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的晶胞示意圖。(b) 鳥瞰圖（傾斜于20°) ICP 干法蝕刻
2021-07-09 10:21:36
腔體對齊的精確位置制造光學(xué)組件。硅微加工和 MEMS 加工技術(shù)都非常適合此類應(yīng)用，從而能夠創(chuàng)建可以塑造或引導(dǎo)光束的復(fù)雜微結(jié)構(gòu)。先前已經(jīng)開發(fā)出硅體微加工技術(shù)并且通常使用多種不同的蝕刻來進(jìn)行，其中
2021-07-19 11:03:23
的波長窗口獲得穩(wěn)定的拍長,且拍長值也可以根據(jù)實際需求設(shè)計調(diào)整。通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù),在1310 nm波長窗口得到了帶寬大于180 nm的平坦拍長曲線?！娟P(guān)鍵詞】：光纖光學(xué);;多孔光纖;;波束傳播法;;雙折射
2010-04-24 10:12:19
有人做用電化學(xué)腐蝕多孔硅的工藝嗎？本人剛開始做，想一起交流一下相關(guān)經(jīng)驗。
2011-03-21 13:30:18
silicon photonic circuits“?；阪N離子注入的硅波導(dǎo)工藝和激光退火工藝，他們實現(xiàn)了可擦除的定向耦合器，進(jìn)而實現(xiàn)了可編程的硅基集成光路，也就是所謂的光學(xué)FPGA。
2019-10-21 08:04:48
，為避免上述情形發(fā)生，現(xiàn)有的解決方法大多由去除硅晶片正面邊緣上的劍山著手，使硅晶片正面能呈現(xiàn)待蝕刻結(jié)構(gòu)。如此一來，當(dāng)夾持臂夾持晶片邊緣時，所接觸到的晶片正面邊緣便是平坦?fàn)?，不會發(fā)生夾斷晶片正面邊緣上的劍
2018-03-16 11:53:10
是半導(dǎo)體制造，微機(jī)械和微流控設(shè)備中的重要過程，需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài)，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的。由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應(yīng)用。缺點包括許多化學(xué)廢物，其中許多是高酸性和多步過程。
2021-01-08 10:15:01
1995年希臘科學(xué)家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術(shù),各向異性的反應(yīng)離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結(jié)構(gòu),觀察到了類似于多孔硅的光激發(fā)光現(xiàn)象。
2019-09-26 09:10:15
納米結(jié)構(gòu)的幾何形狀只要滿足特定條件，并匹配入射光的波長，就能夠大幅提高光學(xué)傳感器的靈敏度。這是因為局部納米結(jié)構(gòu)可以極大地放大或減少光的電磁場。據(jù)麥姆斯咨詢報道，由Christiane Becker
2018-10-30 11:00:20
多孔硅在光電子和傳感器領(lǐng)域是一種具有重要應(yīng)用價值的材料, 多孔硅網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的形狀紋理直接影響其光學(xué)和熱學(xué)性能。運用數(shù)字圖像處理分析方法對多孔硅結(jié)構(gòu)電子顯微鏡圖像(SEM)
2009-06-30 08:34:10
15 本文介紹了有著蝕刻結(jié)構(gòu)的光纖傳感器在應(yīng)變測量以及薄結(jié)構(gòu)振動測量中的應(yīng)用和檢測機(jī)理. 并且在非對稱蝕刻結(jié)構(gòu)的光纖曲率傳感器的基礎(chǔ)上提出了分布式光纖模態(tài)曲率傳感器研究
2009-07-03 09:13:1310 一種新型陽極氧化多孔硅技術(shù):在適當(dāng)條件下氧化多孔硅是提高多孔硅發(fā)光強度的良好途徑,提出了一種新型陽極氧化方法,并探討了該方法所涉及的陽極氧化條件。采用含CH3CSNH2 的HF
2009-12-29 23:38:4713 激光加工多孔端面機(jī)械密封
摘 要：介紹了激光加工多孔端面機(jī)械密封的結(jié)構(gòu)特點，闡述了激光加工多孔端面機(jī)械密封的工作原理，指出端面微孔
2009-05-15 22:36:201408 
可控硅,可控硅的符號,可控硅性能和參數(shù)
可控硅的概念和結(jié)構(gòu)？
2010-03-02 16:57:273297 摘 要 提出一種用于SO2監(jiān)測的多孔硅光學(xué)傳感方案,其原理是以光催化氫化硅烷化處理的多孔硅作為敏感材料,根據(jù)多孔硅光致發(fā)光峰猝滅程度與SO2濃度間定量關(guān)系,實現(xiàn)SO2傳感。實驗采用電化學(xué)方法將n2型單晶硅腐蝕形成多孔硅并進(jìn)行氫化硅烷化處理,獲得敏感膜層;研
2011-02-16 22:11:1731 對多孔硅施加陽極氧化表面處理技術(shù),可有效解決多孔硅干燥時出現(xiàn)龜裂及坍塌,破壞原有多孔硅的形貌和本質(zhì)的問題.陽極氧化表面處理技術(shù)就是使用少量的負(fù)離子作用于多孔硅表面,滿足
2011-06-24 16:28:380 為了提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率和降低成本！采用光陷阱是一種很有效的方法！如多孔硅可使入射光的反射率減小到5%左右，對實驗室和國外幾種實用性很強的光陷阱結(jié)構(gòu)！如金字塔絨面多孔硅壓花法溶膠3凝膠等及其制作方法進(jìn)行了綜述。
2017-09-30 10:04:075 從硅碳復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)出發(fā)，可將目前研究的硅碳復(fù)合材料分為包覆結(jié)構(gòu)和嵌入結(jié)構(gòu)。其中，包覆結(jié)構(gòu)是在活性物質(zhì)硅表面包覆碳層，緩解硅的體積效應(yīng)，增強其導(dǎo)電性。根據(jù)包覆結(jié)構(gòu)和硅顆粒形貌，包覆結(jié)構(gòu)可分為核殼型、蛋黃-殼型以及多孔型。
2018-01-09 11:13:3110101 
）芯片。與傳統(tǒng)的硅光、液晶等OPA技術(shù)相比，該芯片創(chuàng)新性地將新型光柵結(jié)構(gòu)與硅基MEMS技術(shù)相結(jié)合，具有更經(jīng)濟(jì)、更高速、更高可靠性等優(yōu)點。此外，該MEMS OPA的光學(xué)調(diào)制在自由空間完成，可實現(xiàn)無插損的光學(xué)
2019-08-31 08:19:002548 化學(xué)蝕刻法是利用酸、堿、氧化物等化學(xué)試劑對石墨烯片層進(jìn)行化學(xué)刻蝕使其產(chǎn)生面內(nèi)孔的方法。圖4a展示了采用多金屬氧酸鹽衍生的金屬氧化物刻蝕，可以得到面內(nèi)多孔石墨烯材料，石墨烯片層上的孔徑約為20–50
2020-04-02 14:39:2610586 
多孔材料通常用于噪音控制。科研人員在不同多孔材料的吸聲特性方面已經(jīng)進(jìn)行了許多研究。根據(jù)孔的互連性，多孔材料通?？煞譃殚_孔結(jié)構(gòu)和閉孔結(jié)構(gòu)。對多孔材料聲學(xué)應(yīng)用的現(xiàn)有文獻(xiàn)表明，開孔結(jié)構(gòu)具有更好的吸聲性能
2020-08-19 10:37:551367 為了設(shè)計符合工程設(shè)計參數(shù)要求的多孔結(jié)構(gòu)模型，提出一種孔隙表征參數(shù)驅(qū)動的多孔結(jié)構(gòu)建模思路，并以增材制造制備成形。首先，針對三周期極小化曲面（TPMS）的4種常用類型（PDGI-WP），研究了TPMS
2021-04-29 15:11:184 單晶硅的各向異性蝕刻是硅器件和微結(jié)構(gòu)加工中經(jīng)常使用的技術(shù)。已經(jīng)制造的三角形和矩形凹槽、棱錐體、薄膜和微孔，它們在器件中有很大的應(yīng)用。
2021-12-17 15:26:071452 
)、(TMAH)、NaOH等，但KOH與TMAH相比，平整度更好，并且只對硅的 100 表面做出反應(yīng)，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向異性蝕刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向異性濕式蝕刻在壓力傳感器、加速度計、光學(xué)傳感器等整體MEMS裝置結(jié)構(gòu)形成等中使用。 實驗 KOH硅濕法蝕刻工藝 工藝
2021-12-23 09:55:351043 
引言 我們研究了四種硅在高頻水溶液中的陽極電流-電勢特性。根據(jù)不同電位陽極氧化的樣品的表面條件，電流-電位曲線上通常有三個區(qū)域：電流隨電位指數(shù)變化區(qū)域的多孔硅形成，恒流區(qū)域的硅的電泳拋光，以及
2021-12-28 16:40:161563 
引言 我們根據(jù)實驗，研究了多孔硅層(PSL)的形成機(jī)理。PSL是由只發(fā)生在孔隙底部的硅的局部溶解而形成的。在陽極化過程中，PSL孔隙中電解質(zhì)的HF濃度保持恒定，孔隙中的陽極反應(yīng)沿厚度方向均勻進(jìn)行。硅
2021-12-30 14:20:271142 
引言 通過在含有H2O2的HF溶液中蝕刻，在兩步工藝中對商用硅太陽能電池進(jìn)行紋理化。銀納米粒子作為催化位點，有助于蝕刻過程。確定了在表面制備納米孔的蝕刻時間。利用光譜儀測量了硅太陽能電池表面納米結(jié)構(gòu)
2022-01-04 17:15:351141 
引言 本文介紹了表面紋理對硅晶圓光學(xué)和光捕獲特性影響。表面紋理由氫氧化鉀(KOH)和異丙醇(IPA)溶液的各向異性蝕刻來控制。（001）晶硅晶片的各向異性蝕刻導(dǎo)致晶片表面形成金字塔面。利用輪廓測量法
2022-01-11 14:41:581824 
介紹 在本文中，我們首次報道了實現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究
2022-01-20 16:46:481197 
在 KOH 水溶液中進(jìn)行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對蝕刻速率已通過光學(xué)干涉測量法使用掩膜樣品進(jìn)行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60 時 1–5 M
2022-03-04 15:07:091824 
摘要 微機(jī)電系統(tǒng)中任意三維硅結(jié)構(gòu)的微加工可以用灰度光刻技術(shù)實現(xiàn)以及干各向異性蝕刻。 在本研究中，我們研究了深反應(yīng)離子蝕刻（DRIE）的使用和蝕刻的裁剪精密制造的選擇性。 對硅負(fù)載、O2階躍的引入、晶
2022-03-08 14:42:571476 
在本文中，我們首次報道了實現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成，隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機(jī)理，雖然沒有完全理解，將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:421074 
通過使用各向同性和各向異性工藝，可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)。各向同性蝕刻速度更快，但可能會在掩模下蝕刻以形成圓形?？梢愿_地控制各向異性蝕刻，并且可以產(chǎn)生具有精確尺寸的直邊。在每種
2022-03-09 16:48:343460 
了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43852 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮硅。因此，可以實現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18954 
質(zhì)的影響。蝕刻率由深度蝕刻隨時間的變化來確定。結(jié)果表明，隨著蝕刻時間的延長，硅的厚度減重增加。在高分辨率光學(xué)顯微鏡下，可以觀察到蝕刻的硅片表面的粗糙表面。XRD分析表明，蝕刻后硅的晶體峰強度變?nèi)?，說明在硅襯底上
2022-03-18 16:43:111211 
本研究為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中金屬雜質(zhì)的方法。
2022-03-21 16:15:07739 
利用作為掩模的陽極多孔氧化鋁的模式轉(zhuǎn)移，制備了具有100nm周期性自有序結(jié)構(gòu)的孔和柱陣列納米結(jié)構(gòu)，納米圖案的轉(zhuǎn)移是通過一個涉及硅的局部陽極化和隨后的化學(xué)蝕刻的組合過程來實現(xiàn)的。利用這一方法，可以通過改變蝕刻條件來制造負(fù)圖案和正圖案。
2022-03-23 11:05:54840 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:344201 
和水熱蝕刻制備黑硅具有更大的優(yōu)勢。它為制備黑硅可見光和近紅外光電子器件提供了一種合適而經(jīng)濟(jì)的方法。本文采用濕式蝕刻法制備了微結(jié)構(gòu)硅，并對其微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征，并對其光學(xué)性能進(jìn)行了測試。
2022-03-29 16:02:591360 
本文研究了用兩步金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)工藝制備的黑硅（b-Si）的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能，研究了銀膜低溫退火和碳硅片蝕刻時間短的兩步MACE法制備硼硅吸收材料。該過程包括銀薄膜沉積產(chǎn)生的鎵氮氣
2022-03-29 17:02:351332 
本文采用超聲增強化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高可
2022-04-06 13:32:13880 
，并添加化學(xué)物質(zhì)來調(diào)整粘度和單晶圓旋轉(zhuǎn)加工的表面潤濕性。 當(dāng)硅被蝕刻并并入蝕刻溶液時，蝕刻速率將隨時間而降低。 這種變化已經(jīng)建模。 這些模型可以延長時間，補充化學(xué)物質(zhì)，或者兩者兼而有之。
2022-04-07 14:46:331278 
引言 硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層，進(jìn)行化學(xué)蝕刻，在硅晶片的制造工序中，使
2022-04-08 17:02:102777 
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22717 
硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對所有種類的硅晶片進(jìn)行蝕刻預(yù)處理，特別是P(111)。
2022-04-13 13:35:461415 
本文采用超聲增強化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高可
2022-04-15 10:18:45764 
本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān)，缺陷相關(guān)，由于表面存在的氧化層，還是由于有機(jī)殘差。
2022-04-18 16:36:05913 
本文用濕化學(xué)腐蝕法制備多孔氧化鋅的研究。通過射頻磁控濺射在擇優(yōu)取向的p型硅上沉積ZnO薄膜。在本工作中使用的蝕刻劑是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，ZnO在不同時間被蝕刻，并通過X射線衍射（XRD
2022-04-24 14:58:201931 
為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中消除金屬雜質(zhì)的方法。
2022-04-24 14:59:231124 
拋光的硅片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進(jìn)行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機(jī)械損傷通過蝕刻是本文的重點。在準(zhǔn)備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:371285 
金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上，如硅晶片，而無需使無電鍍工藝進(jìn)行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究中，研究了在氫氟酸溶液中蝕刻作為硅晶片化學(xué)鍍前
2022-04-29 15:09:061103 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度，用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑
2022-05-05 16:37:364132 
在本文中，結(jié)合了現(xiàn)有的經(jīng)驗和觀察到的多晶氧化鋅腐蝕模型，該模型可以定性地描述濺射條件、材料特性和蝕刻條件的影響。幾項研究調(diào)查了濺射參數(shù)和蝕刻行為之間的關(guān)系，并提出了一種用于蝕刻的現(xiàn)象學(xué)結(jié)構(gòu)區(qū)域模型
2022-05-09 14:27:58778 
本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了蝕刻時間和氧化劑對用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅（氧化鋅）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中，射頻磁控管濺射的ZnO薄膜在氫氧化銨(NH4OH)溶液中腐蝕，全面研究了刻蝕時間和添加H2O2溶液對多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的影響。
2022-05-09 15:19:341328 
硅微腔。由超聲波蝕刻引起的質(zhì)量提高可歸因于氫氣泡和其它蝕刻化學(xué)物質(zhì)從多孔硅柱表面逃逸的速率增加。該效應(yīng)歸因于自由空穴載流子濃度的有效變化。超聲波已導(dǎo)致表明可能在鍵合結(jié)構(gòu)的變化，并增加氧化。此外，在超聲波處理和微觀結(jié)構(gòu)之間建
2022-05-10 15:43:251702 
在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率和輪廓的改進(jìn)，并且新的結(jié)果顯示，在5 μm
2022-05-11 15:46:191455 
我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時間和刮刻載荷的影響，通過對比試驗，評價了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理，各種表面圖案的制造被證明與控制尖端痕跡劃傷。 蝕刻時間
2022-05-20 16:37:453558 
認(rèn)為是一個速度源，這是我們提出的一個數(shù)學(xué)概念，也適用于位錯和晶界，速度源的活動取決于相關(guān)的M111N平面與掩模之間的夾角，因此在微觀機(jī)械結(jié)構(gòu)中蝕刻的薄壁相對的M111N側(cè)可以有不同的值。 在圖1a中，示出了S 100T單晶硅爐和部分覆蓋它的惰性掩
2022-05-20 17:12:591881 
發(fā)射的內(nèi)壁中捕獲的發(fā)光表面物質(zhì)的存在，第三個是由于表面限制的分子發(fā)射體即硅氧烷的存在。表面鈍化的作用對于確定多孔層的輻射效率非常重要。多孔硅結(jié)構(gòu)具有良好的機(jī)械強度、化學(xué)穩(wěn)定性和與現(xiàn)有硅技術(shù)的兼容性，因此
2022-05-25 13:59:391076 
基于以上問題，美國普渡大學(xué)西拉法葉分校機(jī)械工程學(xué)院（School of Mechanical Engineering，Purdue University，West Lafayette）的研究人員制備了一種海綿狀形式的多孔柔性有機(jī)硅復(fù)合材料，具有優(yōu)異的流變性能，可實現(xiàn)微量級DIW。
2022-05-27 09:50:442429 通常在蝕刻過程之后通過將總厚度變化除以蝕刻時間或者通過對不同的蝕刻時間進(jìn)行幾次厚度測量并使用斜率的“最佳擬合”來測量，當(dāng)懷疑蝕刻速率可能不隨時間呈線性或蝕刻開始可能有延遲時，這樣做有時可以實時測量蝕刻速率。
2022-05-27 15:12:135836 引言 p+型多孔硅(PS)的顯著單晶性質(zhì)被用于利用高分辨率X射線衍射研究硅晶體從濕態(tài)轉(zhuǎn)移到干態(tài)的效應(yīng):這些效應(yīng)被多孔硅的大比表面積所強調(diào)。硅從氫氟酸溶液通過水中的沖洗階段轉(zhuǎn)移到空氣中具有重要
2022-06-06 16:28:521449 
引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機(jī)理。首先，確定控制底切的蝕刻前沿的晶面，并測量它們的蝕刻速率。然后，基于測量數(shù)據(jù)，檢驗了凸角補償技術(shù)
2022-06-10 17:03:482252 
的逐層秘密。隨著制造工藝的變化和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的變化，這些技術(shù)需要在時間和程序上不斷調(diào)整。雖然有許多工具有助于這些分析，如RIE(反應(yīng)離子蝕刻-一種干法蝕刻技術(shù))、離子銑削和微切割，但鎢的濕法化學(xué)蝕刻有時比RIE技術(shù)更具重現(xiàn)性。
2022-06-20 16:38:207526 
拋光硅晶片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:001595 
蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:122602 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:403202 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:112991 
我們?nèi)A林科納通過光學(xué)反射光譜半實時地原位監(jiān)測用有機(jī)堿性溶液的濕法蝕刻，以實現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的各向同性蝕刻導(dǎo)致表面
2023-08-22 16:06:561159 
引言 近年來，硅/硅鍺異質(zhì)結(jié)構(gòu)已成為新型電子和光電器件的熱門課題。因此，人們對硅/硅鍺體系的結(jié)構(gòu)制造和輸運研究有相當(dāng)大的興趣。在定義Si/SiGe中的不同器件時，反應(yīng)離子刻蝕法（RIE）在圖案轉(zhuǎn)移
2023-12-28 10:39:511694 
）濃度，蝕刻時間為30秒和60秒。經(jīng)過一定量的蝕刻后，光學(xué)帶隙降低，這表明薄膜的結(jié)晶度質(zhì)量有所提高。利用OPAL 2模擬器研究了不同ZnO厚度對樣品光學(xué)性能的影響。與其他不同厚度的ZnO層相比，OPAL 2模擬表明，400nm的ZnO層在UV波長范圍內(nèi)具有最低的透射率。 晶體硅/黑硅
2024-02-02 17:56:451302 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講影響pcb蝕刻性能的因素有哪些方面?影響pcb蝕刻性能的因素。PCB蝕刻是PCB制造過程中的關(guān)鍵步驟之一，影響蝕刻性能的因素有很多。深圳領(lǐng)卓電子是專業(yè)從事PCB
2024-03-28 09:37:021902 
高端光學(xué)精密測量技術(shù)，深耕鋰電、半導(dǎo)體等領(lǐng)域的材料性能評估，本文光子灣將聚焦鋰離子電池多孔電極的電化學(xué)性能機(jī)制，解析結(jié)構(gòu)參數(shù)與性能的關(guān)聯(lián)規(guī)律，為高性能電極設(shè)計提供
2025-08-05 17:47:39961 
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