高低溫測(cè)試分為溫度循環(huán)和溫度沖擊兩種測(cè)試。

注意：“由于從低溫到高溫轉(zhuǎn)換過(guò)程中，會(huì)有大量結(jié)霜變成水珠，水珠會(huì)導(dǎo)致芯片管腳直接的短路，導(dǎo)致SSD被燒毀，因此，被測(cè)試固態(tài)硬盤(pán)必須要做加固及防水處理！??！”

-40°C時(shí)，被測(cè)電路板表面凝霜實(shí)圖：

溫度循環(huán)測(cè)試

溫度循環(huán)是指設(shè)定溫度從-50°C保持4個(gè)小時(shí)后，升溫到 +90°C ，然后，在+90°保持4個(gè)小時(shí)，降溫到-50°C，依次做N個(gè)循環(huán)。

工業(yè)級(jí)溫度標(biāo)準(zhǔn)為-40°C ~ +85°C，因?yàn)闇叵渫ǔ?huì)存在溫差，為保證到客戶(hù)端不會(huì)因?yàn)闇囟绕顚?dǎo)致測(cè)試結(jié)果不一致，內(nèi)部測(cè)試建議使用標(biāo)準(zhǔn)溫度±5°C溫差來(lái)測(cè)試。

測(cè)試流程：

1、在斷電的狀態(tài)下，先將溫度下降到-50°C，保持4個(gè)小時(shí)；

請(qǐng)勿在通電的狀態(tài)下進(jìn)行低溫測(cè)試，非常重要，因?yàn)橥姞顟B(tài)下，芯片本身就會(huì)產(chǎn)生+20°C以上溫度，所以，在通電狀態(tài)下，通常比較容易通過(guò)低溫測(cè)試，必須先將其“凍透”，再次通電進(jìn)行測(cè)試。

2、開(kāi)機(jī)，對(duì)SSD進(jìn)行讀寫(xiě)性能測(cè)試，對(duì)比性能與常溫相比是否正常。

3、進(jìn)行老化測(cè)試，觀察是否有數(shù)據(jù)對(duì)比錯(cuò)誤。

4、進(jìn)行掉電測(cè)試，具體方法參考：

固態(tài)硬盤(pán)掉電測(cè)試原理及要點(diǎn)

5、升溫到+90°C，保持4個(gè)小時(shí)，與低溫測(cè)試相反，升溫過(guò)程不斷電，保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài)，4個(gè)小時(shí)后，執(zhí)行2、3、4測(cè)試步驟。

6、高溫和低溫測(cè)試分別重復(fù)10次。

如果測(cè)試過(guò)程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài)，則視為測(cè)試失敗。

市場(chǎng)上，通常有人使用商業(yè)級(jí)溫度產(chǎn)品進(jìn)行篩選后做工業(yè)級(jí)使用，這種方法具備一定的潛在風(fēng)險(xiǎn)，篩選的產(chǎn)品在幾次溫度循環(huán)中出現(xiàn)故障概率極大，另外，嚴(yán)格的寬溫通常無(wú)法通過(guò)，還有可能本次測(cè)試通過(guò)，下次測(cè)試無(wú)法通過(guò)。

溫度沖擊測(cè)試

溫度沖擊是指從低溫到高溫只需幾分鐘時(shí)間（或自定義的時(shí)間）的快速轉(zhuǎn)換，以及從高溫到低溫的快速轉(zhuǎn)換。

一般設(shè)定是從低溫開(kāi)始，-50°C 到 + 90°C的溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間低于3分鐘，或者反之從高溫開(kāi)始同樣測(cè)試方法。

溫度轉(zhuǎn)換過(guò)程中，可以一直運(yùn)行老化測(cè)試軟件，觀察在溫度快速切換過(guò)程中讀寫(xiě)是否會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)對(duì)比錯(cuò)誤。

具體測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)可以參考：

GB/T 2423.34，IEC 60068-2-38，GJB150.5等。