5s或更短的讀取延遲，速度提高了10倍，并且定位為新的存儲器層次結(jié)構(gòu)，填補了DRAM和NAND閃存之間的性能差異
2019-08-07 18:11:29
5730 擬態(tài)計算機的最大特點是高效能。測試表明，針對特定運算任務(wù)的能效比可提升數(shù)十倍到數(shù)百倍。盡管擁有巨大的發(fā)展?jié)摿?，但鄔院士表示，擬態(tài)計算機距離投入應(yīng)用，還需要突破一些理論、工程問題。
2013-09-22 10:05:221423 中國紫光集團(tuán)宣布，投入快閃存儲器戰(zhàn)場，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。
2017-01-03 09:05:211135 非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存（ReRAM）開發(fā)商Crossbar Inc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅（a-Si）為基板材料，并透過電場轉(zhuǎn)換機制，開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時就像先前在2016年所承諾地如期實現(xiàn)量產(chǎn)。
2017-02-13 09:46:402223 盧志遠(yuǎn)分析，NOR型快閃存儲器市場有同業(yè)退出，整體供給保守，需求又明顯成長下，明年供需吃緊狀況還可能加劇。至于大陸擴產(chǎn)主要是供應(yīng)低端市場，對旺宏不會有所影響。
2017-07-26 08:12:14944 目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:216033 
存儲器(Volatile memory)。于是，存儲器從大類來分，可以分為易失性存儲器和非易失性存儲器。后來出現(xiàn)的Flash Memory(快閃存儲，簡稱閃存)，掉電后數(shù)據(jù)也不容易丟失，所以也屬于
2012-01-06 22:58:43
-----ROM Read Only Memory，顧名思義，它是一種只能讀出事先所存的數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲器。ROM中所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，一旦存儲數(shù)據(jù)就再也無法將之改變或者刪除，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會消失
2021-12-10 06:34:11
的擦除操作，而且寫人時間也比閃存少幾個數(shù)量級。即使是與現(xiàn)有存儲器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數(shù)超過1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
當(dāng)系統(tǒng)運行了一個嵌入式實時操作系統(tǒng)時（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲器來運行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機訪問儲存
器），各種各樣的
閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
控制信號有些不同的地方。 深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM
2017-06-02 10:45:40
在使用opa380時，經(jīng)常出現(xiàn)原先正常工作的電路，突然信號值直線下降，輸出信號衰減十到百倍，但是變化趨勢一致，不可恢復(fù)，更換opa380芯片后正常
2024-07-29 06:51:17
啟動模式講完了，我們知道是主閃存存儲器啟動的。主閃存存儲器被映射到啟動空間(0x0000 0000)，但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問它。 接下來，再看一下它的啟動流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
。 2、硬盤存儲器 信息可以長期保存，可以讀寫，容量大，但是不方便攜帶?！ ?、移動存儲器 主要包括閃存盤（優(yōu)盤）、移動硬盤、固態(tài)硬盤（SSD）?！ ?、閃存盤（優(yōu)盤） 采用Flash存儲器（閃存
2019-06-05 23:54:02
據(jù)新華社7月2日報道，相變存儲器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點，被業(yè)界稱為下一代存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機領(lǐng)域，并實現(xiàn)千萬量級市場化銷售，未來中國在該領(lǐng)域有望實現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
大家好， 我的項目有一個閃存，用于將Xilinx FPGA配置為SPI模式。同時，我想將閃存用作內(nèi)存。這意味著閃存有兩個功能：配置FPGA和數(shù)據(jù)存儲器。那么，我該怎么辦呢？閃存中的配置引腳是否用作數(shù)據(jù)存儲器引腳？謝謝。最好的祝福。
2020-06-08 12:20:31
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途。目前市場上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
我用的labview幫助中的計數(shù)器輸入案例vi來采集頻率的，但是采集的頻率比正常大百倍，并且變化幅度也較大，求大佬解答
2021-05-08 13:17:06
方便移動設(shè)備應(yīng)用.存儲器系統(tǒng)設(shè)計必須支持增長的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比，被證實可以減少功耗。存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進(jìn)行寫入操作，而事實上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止
2011-11-19 11:53:09
。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進(jìn)行寫入操作，而事實上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止
2011-11-21 10:49:57
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
意法半導(dǎo)體(ST)公司近日推出新型8Mb串行閃存存儲器——M25PE80，以增加網(wǎng)絡(luò)管理功能。此款串行閃存還為采用Intel945 Express芯片組
2006-03-13 13:08:06668 摘要：磁電存儲器不僅存取速度快、功耗小，而且集動態(tài)RAM、磁盤存儲和高速緩沖存儲器功能于一身，因而已成為動態(tài)存儲器研究領(lǐng)域的一個熱點。文章總結(jié)了磁電
2006-03-24 13:01:372314 
摘 要： 本文簡單介紹了鐵電存儲器、磁性隨機存儲器和相變存儲器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲器的原理、研究進(jìn)展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182972 
Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:061236 旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲器
全球最大的序列式快閃存儲器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01892 相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301360 Farichild降壓轉(zhuǎn)換器 有效為高容量SD快閃存儲器應(yīng)用供電
FAN5362提供優(yōu)化控制功能，適合低電量運作
由于擁有
2010-09-30 11:11:201173 隨著數(shù)碼時代的來臨，除了PC外，越來越多的數(shù)碼信息產(chǎn)品正在或即將進(jìn)入我們的家庭：移動電話、掌上電腦、數(shù)碼相機、GPS等等，這些產(chǎn)品越來越多的使用各種移動微存儲器。這些存儲器中很大部分是快閃存儲器(Flash Memory)。
2011-01-23 09:38:034838 
英國研究人員最近報告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。
2012-05-21 08:45:53652 英國研究人員最近報告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材
2012-05-21 10:49:43911 北京時間5月21日消息，三星電子成功開發(fā)出可生產(chǎn)比原有半導(dǎo)體芯片速度快百倍以上的芯片的新型基礎(chǔ)元件。
2012-05-22 14:19:365540 本應(yīng)用筆記介紹如何利用IAR嵌入式工作臺工具分配和存取MAXQ微控制器上的閃存和SRAM存儲器。
2012-06-21 14:44:174446 
一群韓國科學(xué)家，在蔚山現(xiàn)代科技研究所已經(jīng)研發(fā)出了一種快速充電鋰電池，比普通電池充電速度快30到120倍，這個團(tuán)隊相信他們可以最終可以推出少于一分鐘能充滿電動汽車的新型電池
2012-08-20 11:19:574372 
韓國蔚山科技大學(xué)的一個科研小組，開發(fā)出一種充電速度比傳統(tǒng)鋰電池快30到120倍的新型鋰電池。這個小組相信，可用它為電動汽車制造一個電池組，這樣給汽車充滿電需要不到一分
2012-09-03 22:07:321857 在現(xiàn)在計算機內(nèi)存技術(shù)中，似乎速度與存儲持久性不可兼得。RAM速度很快，但存儲時間不長，硬盤與閃存則相反。而今，一種原型存儲設(shè)備打破了這種限制，實現(xiàn)了速度快、數(shù)據(jù)存放長等優(yōu)點。
2013-06-14 10:31:11809 5G網(wǎng)絡(luò)比現(xiàn)行4G網(wǎng)絡(luò)的傳輸速度快數(shù)百倍，整部超高畫質(zhì)電影可在1秒之內(nèi)下載完成。隨著5G技術(shù)的誕生，用智能終端分享3D電影、游戲以及超高畫質(zhì)（UHD）節(jié)目的時代已向我們走來。
2013-06-17 09:31:552016 是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。 由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、
2017-10-11 14:11:3723692 FLASH存儲器（也就是閃存）就 是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM），特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:469157 可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、
2017-10-11 15:16:1716975 閃存存儲器是寄存器嗎？ 很明顯不是 ，一個屬于儲存器，一個是寄存器。那么寄存器和存儲器有什么區(qū)別呢？ 1、從范圍來看 寄存器在CPU的內(nèi)部，它的訪問速度快，但容量?。?086微處理器只有14個16位
2017-10-11 17:12:2112474 ，但其發(fā)展的主要精力則放在提高存儲容量上。 1980年，典型DRAM部件的容量為4KB。1981年和1982年開發(fā)出了16KB芯片。這些部件的隨機訪問速率為3MHz或4MHz，局部訪問（頁模式）時速率大約快1倍。當(dāng)時的微處理器每秒需要訪問存儲器2M次。 到2000年，DRAM部件每片的容量
2017-10-17 16:36:21
1 存儲器芯片價格還在上漲的同時，質(zhì)量就決定勝負(fù)的重要關(guān)鍵，對旺宏而言，2017年的業(yè)績大幅成長，完整產(chǎn)品組合，提供一站式的非揮發(fā)性存儲器專業(yè)供應(yīng)商低容量快閃存儲器重現(xiàn)商機。
2017-12-18 13:09:161372 速率的8 I/O高功能OctaFlash Serial NOR快閃存儲器系列產(chǎn)品，資料傳輸速度更一舉突破250MHz而拔得頭籌。
2018-01-02 10:06:392098 旺宏昨日召開財報會表示，2017年在NOR型快閃存儲器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營收60%，旺宏并預(yù)計NOR型快閃存儲器2018年成長動力將來
2018-02-01 05:34:011484 
在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 據(jù)報道，華中科技大學(xué)光電學(xué)院副院長繆向水及其團(tuán)隊正在研制一款基于相變存儲器的3D XPOINT存儲技術(shù)。他估計，在這項技術(shù)基礎(chǔ)上研發(fā)的芯片，其讀寫速度會比現(xiàn)在快1000倍，可靠性也將提高1000倍。
2018-06-20 09:07:002366 耶魯大學(xué)和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲器研發(fā)領(lǐng)域開展合作，目標(biāo)是使具有潛在革命性的相變存儲技術(shù)更具實用性和可行性。 近年來，相變存儲器技術(shù)作為一種能改變游戲規(guī)則的新興技術(shù)，逐漸成為替代計算機隨機存取存儲器的潛在選擇。
2018-06-13 09:26:001968 現(xiàn)代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021646 代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:004980 的修改，您可以在引導(dǎo)閃存中存放例程和常量數(shù)據(jù)；這樣就擴展了PlC32 MCU的程序存儲器。例如，帶有128 KB閃存的器件實際上有140 KB可用。使用引導(dǎo)閃存沒有任何不利，因為它位于可高速緩存的存儲器中。 本文檔說明如何把一半引導(dǎo)閃存劃撥給應(yīng)用代
2018-04-20 14:28:343 日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲器，核心容量可達(dá) 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過因 QLC 快閃存儲器
2018-07-26 18:01:002758 最近的新聞報導(dǎo)指出，英特爾(Intel)與美光(Micron)閃存研發(fā)策略聯(lián)盟的分手，肇因于對未來3D NAND Flash發(fā)展的看法差異，想來合理，且早有征兆。
2018-06-13 16:31:453785 鋰電池已經(jīng)成為當(dāng)前純電動汽車上的主流技術(shù)，但電池續(xù)航里程段、充電速度慢卻時常被人詬病。近日一家法國初創(chuàng)公司稱正在研發(fā)中的新型電池，比加油快3倍，可以連續(xù)100萬次循環(huán)使用，將會打破電動汽車行業(yè)充電難、充電慢的困局。
2018-06-20 10:59:003535 將存儲器帶寬提升了20倍，而相比競爭性存儲器技術(shù)，則將單位比特功耗降低4倍。這些新型器件專為滿足諸如機器學(xué)習(xí)、以太網(wǎng)互聯(lián)、8K視頻和雷達(dá)等計算密集型應(yīng)用所需的更高存儲器帶寬而打造，同時還提供CCIX IP，支持任何CCIX處理器的緩存一致性加速，滿足計算加速應(yīng)用要求。
2018-07-31 09:00:003068 在區(qū)塊鏈游戲分發(fā)平臺BlockGame看來，目前游戲行業(yè)正處于瓶頸期，區(qū)塊鏈技術(shù)的出現(xiàn)為游戲市場帶來了增長十倍百倍的可能性。
2018-10-09 11:35:20991 出樣40nm ReRAM存儲芯片，更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會到來，這種新型存儲芯片比NAND閃存快一千倍，耐用一千倍。
2018-11-01 16:07:163536 外儲存器是指除計算機內(nèi)存及CPU緩存以外的儲存器，此類儲存器一般斷電后仍然能保存數(shù)據(jù)。本視頻主要介紹了外存儲器有哪些，分別是軟盤存儲器、硬盤存儲器、移動存儲器、閃存盤（優(yōu)盤）、移動硬盤以及固態(tài)硬盤（SSD）等。
2018-11-24 11:15:0265089 盡管ㄧ些新存儲器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來，但在這競爭激烈的市場，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術(shù)的列表。然而，無論哪一個技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3411902 
和RAM一樣快的永久存儲被廣泛認(rèn)為會使服務(wù)器和存儲行業(yè)擺脫一年或三年的換代周期，而這個改變?nèi)缃耠S著美國公司Everspin開始提供256Mb磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)樣品更近了一步。
2019-03-16 10:34:081351 存儲器市況不明，針對存儲器價格波動趨勢，存儲器控制芯片廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章表示，預(yù)估快閃存儲器（NAND Flash）價格已近谷底，下半年若再跌，幅度大約在低個位數(shù)百分比；而動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）則預(yù)估持續(xù)跌至年底。
2019-05-06 16:23:48802 群聯(lián)搶搭儲存型快閃存儲器（NAND Flash）需求爆發(fā)商機 ，今年在臺北國際電腦展（ Computex）展出的高端儲存系列產(chǎn)品受到市場矚目，預(yù)料在進(jìn)入5G后，將成為各大應(yīng)領(lǐng)用領(lǐng)域新寵，也成為群聯(lián)獲利利器。
2019-06-04 17:02:223583 業(yè)界普遍認(rèn)為未來從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價值，但要挖掘數(shù)據(jù)的價值除了需要很強的計算能力之外，數(shù)據(jù)的存儲也非常關(guān)鍵。目前，新型存儲器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注的一個方向，蘭開斯特大學(xué)（Lancaster University）的研究人員最近發(fā)表論文稱其研究的新型存儲器可以兼具穩(wěn)定、高速、超低功耗的優(yōu)點。
2019-06-25 09:16:233652 百倍幣顧名思義就是幣價會從最初的募資階段到某個時點上漲百倍，而幣價要上漲百倍也就意味著市值大概也要上漲百倍。
2019-07-18 14:41:426050 的次數(shù)比NOR Flash要少，但是可以通過軟件控制存儲位置，利用其更高存儲密度的特點，讓每個位置被寫的次數(shù)控制得均勻一些，這對延長存儲器壽命具有重要作用。
2019-08-30 09:04:494797 
馬云親自推進(jìn)的人工智能項目有了重大突破。據(jù)介紹，該項目用于攻克心血管，比之傳統(tǒng)醫(yī)療手段能提速百倍。
2019-08-19 09:11:012074 英國蘭卡斯特大學(xué)（Lancaster University )的科學(xué)家發(fā)明了一種可以解決數(shù)字技術(shù)能源危機的
新型計算機
存儲器并獲得了專利。在科學(xué)報告中發(fā)表的研究報告中描述了這種電子
存儲設(shè)備，據(jù)說它將以超低的能耗改變?nèi)粘Ｉ睢?/div>
2019-09-03 16:19:30792 快閃存儲器的編程時間有時會很長（對于大的存儲器或存儲器組可達(dá)1分鐘）。因此，此時不容許有其它元件的逆驅(qū)動，否則快閃存儲器可能會受到損害。
2019-09-13 12:44:001166 浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)院趙毅教授課題組研發(fā)出一種低成本、低功耗的新型存儲器。這項基于可工業(yè)化生產(chǎn)的半導(dǎo)體集成電路制造工藝的工作，將大幅提高數(shù)據(jù)交換速度，降低網(wǎng)絡(luò)芯片的制造成本，進(jìn)而從理論上為“萬物互聯(lián)”打下基礎(chǔ)。
2019-09-20 11:14:32913 人們需要了解閃存存儲器和固態(tài)硬盤（SSD）正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因，因為這些超級快速存儲的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲層。
2019-12-05 09:38:453512 英國蘭卡斯特大學(xué)（Lancaster University ）的科學(xué)家發(fā)明了一種可以解決數(shù)字技術(shù)能源危機的
新型計算機
存儲器并獲得了專利。在科學(xué)報告中發(fā)表的研究報告中描述了這種電子
存儲設(shè)備，據(jù)說它將以超低的能耗改變?nèi)粘Ｉ睢?/div>
2019-12-06 11:37:31882 為了使新型存儲器達(dá)到大批量生產(chǎn)，工業(yè)必須提供新的工藝控制解決方案。這些系統(tǒng)應(yīng)該測量原始沉積的薄膜，操作迅速，不會對存儲器造成額外傷害。
2019-12-31 16:10:431155 
EPFL研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種比當(dāng)今最快的晶體管運行速度快十倍的器件。新設(shè)備的運行速度也比目前計算機中的晶體管快100倍左右。他們發(fā)明的納米級設(shè)備能夠產(chǎn)生高功率太赫茲波。
2020-03-28 14:12:202865 EPFL研究員開發(fā)出了一種比現(xiàn)今最快的晶體管運行速度快十倍器件，并且新設(shè)備在運行速度上也比當(dāng)前計算機中的晶體管快100倍左右。
2020-04-02 11:55:352769 目前新型存儲器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:573524 
因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運而生，也就是靜態(tài)隨機存取存儲器。它通常以六個聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成，不需要去更新。靜態(tài)隨機存取儲存器是計算機系統(tǒng)中最快的存儲器，但也是最貴的，也占用了比動態(tài)隨機存取儲存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:583508 在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016 集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍，功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2020-11-17 16:33:39982 近日，Cloudam云端與國內(nèi)某知名藥企與合作，通過接入Cloudam云端自主研發(fā)的云E云超算服務(wù)，計算效率提高的數(shù)百倍。這也是云算力在生命科學(xué)領(lǐng)域的又一次成功應(yīng)用。Cloudam云端云E云超算服務(wù)是如何幫助該藥企實現(xiàn)計算效率數(shù)百倍的提升呢？
2021-03-17 10:53:09547 FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281719 集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-05 17:35:5918 根據(jù)組成元件的不同，ROM內(nèi)存可以分類為掩模型只讀存儲器(MASK ROM)、可編程只讀存儲器(PROM)、可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)、電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)、快閃存儲器(Flash Memory)。
2022-01-20 14:09:215447 。 據(jù)了解，在新型存儲器中，相變存儲器（PCM）是與CMOS工藝最兼容，技術(shù)最成熟的存儲技術(shù)。 2015年，Intel和Micron推出了傲騰三維相變存儲芯片，速度和壽命比固態(tài)閃存硬盤要快一千倍，其三維堆疊技術(shù)也使容量高出了十倍。 然而，由于在相變過程中需
2022-01-21 13:15:001047 基于上述因素，越來越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲器，比如相變存儲器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲器（RRAM）等，當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:061421 兩種最常見的商業(yè)存儲器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快，但需要持續(xù)供電來維持其信息。閃存是非易失性的，對于長期大容量存儲來說足夠穩(wěn)定，但速度不是特別快。鐵電存儲器介于兩者之間，并可能提供必要的中間步驟。
2023-01-30 16:10:044097 在筆者看來，市場對新興存儲器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲器。
2023-02-14 11:33:403191 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:464760 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:031225 非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:152048 
近日，鎧俠公司宣布其“創(chuàng)新型存儲制造技術(shù)開發(fā)”提案已被日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)（NEDO）的“加強后5G信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項目/先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)開發(fā)”計劃采納。這一消息標(biāo)志著鎧俠在新型存儲器研發(fā)領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。
2024-11-11 15:54:30941 閃速存儲器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）在擦除數(shù)據(jù)時，往往需要較長的時間，且操作相對繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001379 我國新型芯片的研發(fā)正加速突破，日前；北京大學(xué)人工智能研究院傳來好消息，突破瓶頸!中國成功研制新型芯片 ；在求解大規(guī)模MIMO信號檢測時效能提升超百倍。 據(jù)悉，該突破性成果由北京大學(xué)人工智能研究院孫仲
2025-10-23 16:05:402707 已全部加載完成
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