在組裝或升級電腦時,很多人會忽略一個關鍵細節(jié):如何為不同的發(fā)熱元件選擇合適的導熱材料。導熱硅脂和導熱片是兩種最常用的導熱解決方案,它們各有優(yōu)劣,適用于不同的硬件和使用場景。本文將從原理、性能、適用性
2025-07-28 10:53:33
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晶圓清洗后表面外延顆粒的要求是半導體制造中的關鍵質量控制指標,直接影響后續(xù)工藝(如外延生長、光刻、金屬化等)的良率和器件性能。以下是不同維度的具體要求和技術要點:一、顆粒污染的核心要求顆粒尺寸與數(shù)量
2025-07-22 16:54:43
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在半導體行業(yè)中,硅基光電子技術是實現(xiàn)光互聯(lián)、突破集成電路電互聯(lián)瓶頸的關鍵,而在硅si襯底上外延生長高質量GaAs薄膜是硅基光源單片集成的核心。臺階儀作為重要的表征工具,在GaAs/Si異質外延研究中
2025-07-22 09:51:18
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智算集群對網絡性能,特別是高吞吐、低延遲和無損特性有著嚴苛要求,RoCE因此被廣泛應用。然而,在主流Clos組網架構下,傳統(tǒng)的ECMP路由機制存在天然的局限性,容易引發(fā)哈希極化問題,成為制約
2025-07-21 17:27:21
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至少有90%的企業(yè)在初次采購高端CAE軟件時,過分關注短期價格,而嚴重低估了代理商技術服務能力所帶來的長期價值。Abaqus代理商碩迪科技為您介紹Abaqus應該如何選擇代理商。
2025-07-18 11:23:26
432 決策:使用含硅油導熱片還是無硅油導熱片?事實上,這兩種材料并非替代關系,而是針對不同應用場景的互補解決方案。理解它們各自的特性和適用領域,能為電子設備散熱設計提供更精準的匹配方案。
一、材料特性
2025-07-14 17:04:33
電子發(fā)燒友網報道(文/黃山明)在AI玩具高速發(fā)展的階段,電機驅動芯片作為實現(xiàn)玩具動作交互的核心組件,隨著AI機器人、智能寵物等高端產品的普及,其市場規(guī)模占比逐步提升。以中國市場為例,2025年AI玩具市場規(guī)模預計突破80億元,若按電機驅動芯片占硬件成本5%-10%計算,其市場規(guī)模約在4-8億元區(qū)間。 ? 而一些AI陪伴機器人需要復雜動作支持,單臺設備可能集成3-5顆電機驅動芯片。而技術上,也開始從單一轉向控制向多軸協(xié)同、靜音驅動發(fā)展,推動
2025-06-28 00:05:00
8185 一、應變片的類型 應變片按軸向區(qū)分有單軸應變片、雙軸應變片和三軸應變片。 雙軸應變片是兩個單軸應變片呈90°垂直疊加。 三軸應變片是三個單軸應變片呈0°、45°、90°疊加。如下圖所示: 二、TSK
2025-06-18 17:32:52
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隨著半導體器件特征尺寸不斷微縮,對高質量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術作為一種在半導體工藝制造中常用的單晶薄膜生長方法,能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長新的單晶薄膜,為提升器件性能發(fā)揮了關鍵作用。本文將對外延技術的定義、分類、原理、常用技術及其應用進行探討。
2025-06-16 11:44:03
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。此次IPO,公司擬募資49.65億元,用于“集成電路用 300 毫米薄層硅外延片擴產項目”“高端半導體硅材料研發(fā)項目”和“補充流動資金”。 三年營收達31億元,300mm硅片貢獻14.2億元 半導體硅片根據(jù)尺寸不同劃分為6英寸(直徑150mm)及以下、8 英寸(直徑200m
2025-06-16 09:09:48
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鐵電材料以其獨特的自發(fā)極化特性及電滯回線行為,在存儲器、傳感器、換能器及微波器件中扮演著核心角色。準確表征其極化性能是材料研究和器件設計的基石。在這一精密測量過程中,高壓放大器絕非簡單的附屬設備
2025-06-11 15:31:30
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電子發(fā)燒友網站提供《一種寬帶雙圓極化印刷單極子天線.pdf》資料免費下載
2025-05-28 14:09:56
0 電子發(fā)燒友網站提供《幾類寬帶圓極化天線設計.pdf》資料免費下載
2025-05-28 14:07:48
0 原料易得、工藝簡單,成本較人工石墨低。天然石墨片與人工合成石墨的價格為1:4~5,人工合成石墨制造比天然石墨復雜且制作成本昂貴。 2、場景適配指南 ※ 天然石墨適用場景動力電池電極、工業(yè)潤滑劑、電弧爐
2025-05-23 11:22:02
隨著臺積電在 2011年推出第一版 2.5D 封裝平臺 CoWoS、海力士在 2014 年與 AMD 聯(lián)合發(fā)布了首個使用 3D 堆疊的高帶寬存儲(HBM)芯片,先進封裝技術帶來的片上互連拓撲結構的改變和帶來的集成能力的提升,成為當前片上互連技術發(fā)展的主要驅動因素。
2025-05-22 10:17:51
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半導體的破產重整。 ? 聚力成半導體早期由重慶捷舜科技有限公司投資設立,并于2018年9月與重慶大足區(qū)政府簽約,啟動外延片和芯片產線項目,主要業(yè)務是硅基氮化鎵/碳化硅基氮化鎵外延片、功率器件晶圓代工、封裝等。 ? 該公司位
2025-05-22 01:07:00
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電子發(fā)燒友網站提供《ZSKY -DTA114YE PNP硅外延平面數(shù)字晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-13 17:03:06
0 選擇性外延生長(SEG)是當今關鍵的前端工藝(FEOL)技術之一,已在CMOS器件制造中使用了20年。英特爾在2003年的90納米節(jié)點平面CMOS中首次引入了SEG技術,用于pMOS源/漏(S/D
2025-05-03 12:51:00
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在我的這個電路圖里,可控硅一直處于開啟狀態(tài),沒有給單片機信號,試著換一下可控硅的方向,也沒有效果。請各位大佬幫忙看一下是不是電路圖那里出問題了。
2025-04-21 15:46:54
單片LTM8067隔離輸出電流不夠,是否可將兩片或多片并聯(lián)使用
2025-04-18 07:01:20
本文從多個角度分析了在晶圓襯底上生長外延層的必要性。
2025-04-17 10:06:39
867 一、導熱硅脂是什么? 導熱硅脂(Thermal Paste),俗稱散熱膏或導熱膏,是一種用于填充電子元件(如CPU、GPU)與散熱器之間微小空隙的高效導熱材料。其主要成分為硅油基材與導熱填料(如金屬
2025-04-14 14:58:20
“今年3月,在美國關稅政策頻繁變動、國內品牌春季新品集中放量及“以舊換新”政策帶動下,短期需求仍維持高位,因面板供應端持續(xù)高稼動出貨,面板
價格漲幅開始收窄。進入4月,隨著二季度部分需求提前釋放疊加美對華關稅貿易戰(zhàn)升級,面板供需進入弱平衡狀態(tài),預計4月面板
價格將
出現(xiàn)拐點?!?/div>
2025-04-11 11:07:04
763 今天為您介紹觸覺技術和音響用壓電振動片。
對壓電體施加應力,就會產生成比例的電極化,由此產生電壓,這叫做壓電效應。反之,對壓電體施加電壓,就會產生與電壓成比例的位移,這叫做逆壓電效應。振動片利用逆壓
2025-04-09 15:56:25
ADMV4821 是一款硅鍺 (SiGe)、24 GHz 毫米波 (mmW) 至 29.5 GHz 毫米波 5G 波束成形器。RF IC 高度集成,包含 16 個獨立通道,具有發(fā)射和接收功能。ADMV4821通過獨立的 RFV 和 RFH 輸入/輸出公共引腳支持 8 個水平和 8 個垂直極化天線。
2025-04-09 10:30:20
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ADMV4928是一款絕緣體上硅(SOI)、37.0 GHz至43.5 GHz、mmW 5G波束形成器。RF集成電路(RFIC)高度集成,包含16個獨立的發(fā)射和接收通道。ADMV4928通過獨立的RFV和RFH輸入/輸出支持八個水平和八個垂直極化天線。
2025-04-08 17:41:55
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多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly)是由無數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅(如硅襯底)不同,多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間,晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:45
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實驗名稱: 鐵電陶瓷雙軸應力作用下的極化研究 研究方向: 在新型鐵電陶瓷中,鈦酸鋇壓電陶瓷的居里溫度較低導致其無法通過提高溫度促進極化過程;而對于新型高溫鐵電陶瓷,其矯頑電場較高并超過了其材料本身
2025-04-08 10:46:57
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TSMC,中芯國際SMIC 組成:核心:生產線,服務:技術部門,生產管理部門,動力站(雙路保障),廢水處理站(環(huán)保,循環(huán)利用)等。生產線主要設備: 外延爐,薄膜設備,光刻機,蝕刻機,離子注入機,擴散爐
2025-03-27 16:38:20
近日,上揚軟件正式啟動國內SiC外延頭部企業(yè)的 CIM系統(tǒng)部署。此次部署的系統(tǒng)基于客戶在生產、工藝、質量、設備等方面的管理需求,定制化部署MES、EAP、RMS、FDC以及 YMS系統(tǒng),幫助企業(yè)實現(xiàn)生產效率和良率的雙提升。
2025-03-26 11:21:04
959 薄膜外延生長是一種關鍵的材料制備方法,其廣泛應用于半導體器件、光電子學和納米技術領域。
2025-03-19 11:12:23
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鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術,該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉機械將其注入模具內結晶凝固,最初主要用于生產等軸多晶硅。近年來,為提升多晶硅電池轉換效率,通過控制模具中熔體凝固過程的溫度,創(chuàng)造定向散熱條件,從而獲得定向柱狀晶組織。
2025-03-13 14:41:12
1126 使用STM32F103驅動W5500,單臺設備連接電腦網絡助手通訊沒有問題,多臺設備接入交換機的時候,偶發(fā)出現(xiàn)有兩臺設備只要同時都接入后就會互相影響,導致網絡數(shù)據(jù)交互堵塞,丟幀等問題。這兩臺設備只要
2025-03-13 07:05:25
進入2025年以來,全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價格開始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認知提前十幾年見證功率半導體歷史拐點:SiC碳化硅MOSFET價格開始低于IGBT!主要源于技術突破、產能
2025-03-03 16:28:22
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公司副總裁張欣女士表示,2025年隨著結構性產能的進一步釋放,公司預計全年產能同比增速有望突破300%,以滿足市場對高質量半導體硅外延片的迫切需求。
2025-02-28 09:24:27
1156 應變片的由來和原理
2025-02-26 15:07:37
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在電子設備散熱領域,導熱硅膠片和導熱硅脂是兩種常用材料。如何根據(jù)實際需求進行選擇?以下從性能、場景和操作維度進行對比分析。 一、核心差異對比?特性?導熱硅膠片?導熱硅脂
?形態(tài)固體片狀(厚度
2025-02-24 14:38:13
引言
碳化硅(SiC)作為新一代半導體材料,因其出色的物理和化學特性,在功率電子、高頻通信、高溫及輻射環(huán)境等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。然而,在SiC外延片的制備過程中,揭膜后的臟污問題一直是影響外延
2025-02-24 14:23:16
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請問下,DLPC3479+DLPA3005+4710 無HDMI輸入,兩片3479互連的PDATA可以不接嗎?應該是可以的吧
2025-02-20 07:55:00
我司在使用一片DLP3010的時候,出現(xiàn)工作一段時間后被擊穿的現(xiàn)象,取下來進行檢查發(fā)現(xiàn)VRST管腳對地電阻僅有5歐姆,外觀無任何異常。我們想確定問題的原因,ESD/熱/電擊穿,結果在OM顯微鏡下出現(xiàn)了下面的圖像,猜測可能是問題點。
請問針對可能的原因或者下一步的排查方向,是否有什么建議呢?
2025-02-18 06:38:24
ADS1298的WCT引腳輸出的電流,是否足夠驅動兩片,共11路的ADS1298的反相端。
2025-02-14 06:53:29
引言
碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導體材料,因其卓越的物理和化學性質,在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。然而,在SiC外延片的制造過程中,表面污染物的存在會嚴重影響
2025-02-11 14:39:46
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做項目時遇到了這樣的問題,用了兩片TI的 ADS123424位AD,共電源、共地、共參考電壓,一個增益設置為2倍另一個是64倍,但是MSP430采集來增益設為2倍的數(shù)不穩(wěn),如果都設成2倍,數(shù)據(jù)就是
2025-02-11 07:55:39
影響外延片質量和器件性能的關鍵因素。這些缺陷不僅會降低外延片的良品率,還可能對后續(xù)器件的可靠性產生嚴重影響。因此,有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成,對于提升Si
2025-02-10 09:35:39
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TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告顯示,DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢。
2025-02-08 16:41:02
930 影響外延片質量和性能的關鍵因素。為了克服這一問題,應力消除外延生長裝置及外延生長方法應運而生。本文將詳細介紹這種裝置和方法的工作原理、技術特點以及應用前景。
應力
2025-02-08 09:45:00
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解鎖晶硅切割液新活力 ——[麥爾化工] 潤濕劑
晶硅切割液中,潤濕劑對切割效果影響重大。[麥爾化工] 潤濕劑作為廠家直銷產品,價格優(yōu)勢明顯,品質有保障,供貨穩(wěn)定。
你們用的那種類型?歡迎交流
2025-02-07 10:06:58
引言
碳化硅(SiC)外延晶片因其卓越的物理和化學特性,在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領域具有廣泛應用。在SiC外延晶片的制備過程中,硅面貼膜是一道關鍵步驟,用于保護外延層免受機械損傷和污染。然而
2025-02-07 09:55:37
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忽略的剩余極化和在場致鐵電態(tài)中的高最大極化,在高性能儲能方面具有重要的意義。然而,低反鐵電-鐵電相變場和伴隨的大磁滯損耗會降低能量密度和可靠性。
2025-02-06 10:52:38
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SiC外延設備的復雜性主要體現(xiàn)在反應室設計、加熱系統(tǒng)和旋轉系統(tǒng)等關鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長過程中,晶型夾雜和缺陷問題頻發(fā),嚴重影響外延膜的質量。如何在提高外延生長速率和品質的同時,有效避免這些問題的產生,可以從以下幾個方面入手。?
2025-02-06 10:10:58
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我們將兩片 TLK 3101之間用光收發(fā)模塊通過光纖互聯(lián),TLK 3101和光收發(fā)模塊之間的接口匹配不存在問題,光功率都在正常的范圍之內 ,但在實驗室測試中經常出現(xiàn)TLK 3101幀同步丟失
2025-02-05 07:22:59
使用兩片ADS8568進行16通道同步采樣,原理圖在附件中,使用的是串行、軟件模式。采樣速率不高于10KHz,所以輸出只用了一個SDO_A。在采樣之前對芯片的配置應該是SDI(pin22
2025-02-05 06:21:28
集成電路是現(xiàn)代電子技術的基石,而外延片作為集成電路制造過程中的關鍵材料,其性能和質量直接影響著最終芯片的性能和可靠性。本文將深入探討集成電路外延片的組成、制備工藝及其對芯片性能的影響。
2025-01-24 11:01:38
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請教一下,兩片ADS8568在PCB布線是應該注意什么,數(shù)字地和模擬地的組合方式,或者有多片ADC的布線文檔沒,急用,謝謝。
2025-01-21 08:25:51
現(xiàn)想把2片TLV5628并聯(lián)起來使用,數(shù)據(jù)接口采用如下時序
DATA,LOAD直接并聯(lián),分別用兩路CLK(兩路CLK信號不同時出現(xiàn))來選擇其中一路TLV5628工作,即其中一路CLK出現(xiàn)時,一片TLV5628工作,另一片TLV5628沒有CLK不工作,請問這樣使用是否可以?
謝謝!
2025-01-16 08:25:11
你好,請問:
一:心電的耐極化電壓正負300mV,算不算共模電壓?
二:ADS1298R內部硬件有沒有去除耐極化電壓?還是直接在軟件上面設計了?
2025-01-16 07:06:57
我設計了用2片ADS1258 同時采集同一電壓信號,用示波器測量時發(fā)現(xiàn),采集的模擬電壓信號出現(xiàn)了周期性的抖動。想問問各位有沒有遇到過這種情況。
2025-01-16 06:54:09
相信最近關心手機行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵(GaN)”,這個名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后,“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
實驗名稱:鐵電材料極化測試 實驗原理:鐵電材料是指具有自發(fā)極化的晶體材料,具有一系列特殊的電學和物理性質。鐵電測試是研究鐵電材料性質的關鍵實驗手段之一。隨著新型鐵電材料的不斷涌現(xiàn),正確的獲得材料的電
2025-01-09 12:00:22
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一、引言
在半導體制造業(yè)中,外延生長技術扮演著至關重要的角色。化學氣相沉積(CVD)作為一種主流的外延生長方法,被廣泛應用于制備高質量的外延片。而在CVD外延生長過程中,石墨托盤作為承載和支撐半導體
2025-01-08 15:49:10
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介紹
在高約束芯片上與亞微米波導上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1]
耦合器由高折射率比材料組成,是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2]
錐形耦合器實際上是光纖和亞微米波導之間的緊湊模式
2025-01-08 08:51:53
一、引言
隨著半導體技術的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種具有優(yōu)異物理和化學性質的材料,在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。高質量、大面積的SiC外延片是實現(xiàn)高性能SiC
2025-01-07 15:19:59
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近日,天津大學精密儀器與光電子工程學院的光子芯片實驗室綜述了近年來硅基波導集成的片上光譜儀的研究成果,論文以“Integrated optical spectrometers on silicon photonics platforms”為題發(fā)表在《Laser & Photonics Reviews》上。
2025-01-06 16:30:38
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硅電容是一種采用了硅作為材料,通過半導體技術制造的電容,和當前的先進封裝非常適配
2025-01-06 11:56:48
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片銷量第一,營收受市場價格下跌明顯 當前,天域半導體已經成為中國首家技術領先的專業(yè)碳化硅外延片供應商,其及其技術可以用于在汽車、5G基站、數(shù)據(jù)中心、雷達及家用電器等場景。同時也是中國首批實現(xiàn)4英吋及6英吋碳化硅外延片量產的公司之一,以及中國首
2025-01-06 06:58:00
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評論