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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，短短兩天內(nèi)，中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)接連迎來重磅突破。12月23日，廈門瀚天天成宣布成功開發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅（SiC）外延晶片；次日，晶盛機電便官宣其自主研發(fā)的12英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備順利交付瀚天天成。

相較于目前主流的6英寸碳化硅外延晶片及仍處于產(chǎn)業(yè)化推進階段的8英寸晶片，12英寸晶片憑借直徑的大幅增加，在相同生產(chǎn)流程下單片可承載的芯片數(shù)量顯著提升——分別為6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片的2.3倍。

目前，瀚天天成已啟動12英寸碳化硅外延晶片的批量供應(yīng)準備工作。該產(chǎn)品關(guān)鍵性能指標(biāo)表現(xiàn)突出：外延層厚度不均勻性控制在3%以內(nèi)，摻雜濃度不均勻性≤8%，2mm×2mm芯片良率超過96%，能夠充分滿足下游功率器件對高可靠性的應(yīng)用需求，已達到行業(yè)領(lǐng)先水平。

據(jù)悉，瀚天天成是中國首家實現(xiàn)3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片商業(yè)化批量供應(yīng)的企業(yè)。此次12英寸外延晶片的成功開發(fā)，背后離不開本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商的支撐。晶盛機電交付的12英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備，可兼容8、12英寸SiC外延生產(chǎn)，其獨創(chuàng)的垂直分流進氣方案，實現(xiàn)了晶圓表面溫度高精度閉環(huán)控制、工藝氣體精確分區(qū)控制等核心技術(shù)突破；同時設(shè)備配備自動化上/下料模塊及一鍵自動PM（預(yù)防性維護）輔助功能，大幅提升顆粒控制能力和維護效率。

值得注意的是，該設(shè)備所配套的12英寸襯底由浙江晶瑞SuperSiC提供，實現(xiàn)了從襯底、外延設(shè)備到外延晶片的全面國產(chǎn)化協(xié)同。

高質(zhì)量12英寸碳化硅外延片的突破，標(biāo)志著我國距離碳化硅功率器件制造進入12英寸時代更近一步。目前，晶盛機電、天岳先進、爍科晶體、天成半導(dǎo)體等企業(yè)已實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底制備，國內(nèi)12英寸碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈路正逐步構(gòu)建成型。

當(dāng)前，全球碳化硅市場正迎來爆發(fā)式增長，2025年市場規(guī)模已突破400億元，未來有望成長為萬億級賽道。此前，美國Wolfspeed、歐洲意法半導(dǎo)體、日本住友電工等海外企業(yè)在技術(shù)積累和渠道布局上占據(jù)優(yōu)勢；如今，我國企業(yè)憑借技術(shù)突破速度、本土市場需求支撐和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同優(yōu)勢，正實現(xiàn)從跟跑到領(lǐng)跑的跨越。

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12英寸碳化硅外延片突破！外延設(shè)備同步交付

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