MUN5211DW1 雙NPN雙極數(shù)字晶體管（BRT）

數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)表：雙NPN偏置電阻晶體管R1 = 10 kOhm，R2 = 10 kOhm

該系列數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡。偏置電阻晶體管（BRT）包含一個單晶體管，其單片偏置網(wǎng)絡由兩個電阻組成;一系列基極電阻和基極 - 發(fā)射極電阻。 BRT通過將這些組件集成到單個設備中來消除這些組件。使用BRT可以降低系統(tǒng)成本和電路板空間。

特性
簡化電路設計
減少電路板空間
減少元件數(shù)量
需要獨特站點和控制變更要求的汽車和其他應用的S和NSV前綴; AEC-Q101合格且PPAP能力
這些器件無鉛，無鹵素/ BFR，符合RoHS標準兼容

電路圖、引腳圖和封裝圖

技術文檔

數(shù)據(jù)手冊（1）相關資料（6）

數(shù)據(jù)表：雙NPN偏置電阻晶體管R1 = 10 kOhm，R2 = 10 kOhm

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