NLAST4599 單SPDT模擬開關(guān)單電源 TTL電平
數(shù)據(jù)：
數(shù)據(jù)表：低壓單電源SPDT模擬開關(guān)
NLAST4599是一款先進(jìn)的高速CMOS單極 - 雙極模擬開關(guān)，采用硅柵CMOS技術(shù)制造。它實現(xiàn)了高速傳播延遲和低導(dǎo)通電阻，同時保持低功耗。該開關(guān)控制模擬和數(shù)字電壓，這些電壓可能在整個電源范圍內(nèi)變化（從V CC 到GND）。
設(shè)備的設(shè)計使得導(dǎo)通電阻（R <輸入電壓> sub ）比典型CMOS模擬開關(guān)的R ON 更低且更線性。
通道選擇輸入與TTL電平兼容。 br>
無論電源電壓如何，當(dāng)施加0 V和5.5 V之間的電壓時，通道選擇輸入結(jié)構(gòu)可提供保護(hù)。此輸入結(jié)構(gòu)有助于防止由電源電壓引起的器件損壞 - 輸入/輸出電壓不匹配，備用電池，熱插拔等。
| 特性 |
| |
| |
| |
- 低功耗：I CC = 2 mA（Max），T A = 25°C
|
| |
| |
| |
- ESD性能：HBM> 2000 V; MM> 200 V，CDM> 500 V
|
| |
| |
| |
電路圖、引腳圖和封裝圖
![]()
