NLAS4717 模擬開關(guān) 高帶寬 雙SPDT
數(shù)據(jù)：
數(shù)據(jù)表：模擬開關(guān)，高帶寬，雙SPDT
NLAS4717是采用亞微米硅柵CMOS技術(shù)制造的先進(jìn)CMOS模擬開關(guān)。該器件是雙獨(dú)立單刀雙擲（SPDT）開關(guān)，在3.0V時(shí)具有兩個(gè)4.5的低R ON 。
該器件還具有保證Break Before Make開關(guān)，確保開關(guān)永不短路NLAS4717采用2.0 x 1.5 mm凸點(diǎn)裸片陣列，具有4 x 3排列的焊料凸點(diǎn)。焊料凸點(diǎn)的間距為0.5 mm，便于處理。
| 特性 |
| |
| |
| |
| |
| |
| |
| |
- 低待機(jī)電流-I CC = 1.0nA（最大值）@T A = 25°C
|
| |
| 應(yīng)用 |
- 手機(jī)
- 掌上電腦
- MP3s
- 數(shù)碼相機(jī)
|
電路圖、引腳圖和封裝圖
