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      NLAS3899 模擬開(kāi)關(guān) 雙DPDT 低RON 低電容

      數(shù)據(jù)：

      NLAS3899B是一款雙DPDT模擬開(kāi)關(guān)，專(zhuān)為低功耗音頻和雙SIM卡應(yīng)用而設(shè)計(jì)。低RON3.0Ω（典型值）非常適合將音頻信號(hào)路由到中等阻抗負(fù)載或從中等高阻抗負(fù)載路由。此外，20 pF（典型值）的低CON使NLAS3899B具有280 MHz的高帶寬，非常適合雙SIM卡應(yīng)用。
      特性
      • 單一供應(yīng)運(yùn)作; 1.65至4.3 VV CC
      • 低導(dǎo)通電阻（3.0 V典型值跨越V CC ）
      • 低C ON （20 pF典型值）
      • 帶寬280 MHz
      • 最大擊穿電壓：5.5 V
      • 低靜態(tài)功率
      • 1.8 V芯片組接口
      應(yīng)用 終端產(chǎn)品
      • 雙SIM卡數(shù)據(jù)切換
      • 手機(jī)揚(yáng)聲器/麥克風(fēng)切換
      • 鈴聲芯片/放大器切換
      • 四個(gè)不平衡（單端）開(kāi)關(guān)
      • 智能手機(jī)
      • 平板電腦
      • VoIP手機(jī)

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1） 相關(guān)資料（3）
      元器件購(gòu)買(mǎi) NLAS3899 相關(guān)庫(kù)存
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