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FGD3N60LSD 600V 3A 1.2V DPAK

數(shù)據(jù):

飛兆的絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)提供非常低的傳導損耗。該器件專為極低導通壓降是必需功能的應用而設計。
特性
  • 高電流能力
  • 極低飽和電壓:V CE( sat) = 1.2 V(I C = 3 A時)
  • 高輸入阻抗

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術文檔

數(shù)據(jù)手冊(1) 相關資料(3)
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