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N64S818HA 串行SRAM存儲器 64 kb 1.8 V

數(shù)據(jù):

安森美半導(dǎo)體的串行SRAM系列包括幾個(gè)集成的存儲器件,包括這個(gè)64 k串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器,內(nèi)部組織為8 k字乘8位。這些器件采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)和制造,可提供高速性能和低功耗。這些器件采用單芯片選擇(CS)輸入工作,并使用簡單的串行外設(shè)接口(SPI)串行總線。單個(gè)數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出線與時(shí)鐘一起使用以訪問設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)。 N64S818HA器件包含一個(gè)HOLD引腳,允許暫停與器件的通信。暫停時(shí),輸入轉(zhuǎn)換將被忽略。這些器件可在-40°C至+ 85°C的寬溫度范圍內(nèi)工作,并可提供多種標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。
特性
  • 1.7至1.95 V電源范圍
  • 待機(jī)電流極低 - 低至200 nA
  • 極低的工作電流 - 低至3 mA
  • 簡單的內(nèi)存控制:單片機(jī)選擇(CS),串行輸入(SI)和串行輸出(SO)
  • 靈活的操作模式:字讀寫,頁面模式(32字頁)和突發(fā)模式(完整數(shù)組)
  • 8 K x 8位組織
  • 自定時(shí)寫周期
  • 內(nèi)置寫保護(hù)(CS高)
  • 用于暫停通訊的HOLD引腳
  • 高可靠性 - 無限制寫周期
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝 - 綠色SOIC和TSSOP

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1) 相關(guān)資料(5)
元器件購買 N64S818HA 相關(guān)庫存

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